當前第三代半導體產業(yè)的應用市場呈現高速增長的態(tài)勢，國際競爭也十分激烈，美國、歐洲、日本等發(fā)達國家都在積極進行戰(zhàn)略部署，通過建立創(chuàng)新中心、聯合研發(fā)等方式，將產學研及政府部門聯合起來協同組織和投入，加快第三代半導體的技術進步，以應用端的需求促進技術研發(fā)，資金更多投向產品級開發(fā)和終端應用，從而全面占領全球第三代半導體市場。

中國在第三代半導體市場需求和產業(yè)化水平方面處于領跑狀態(tài)。在光電子材料和器件領域與國際先進水平相比處于并跑狀態(tài)，目前 LED 照明產業(yè)已在我國獲得長足發(fā)展，并成為我國第三代半導體產業(yè)的首個突破口。但在電力電子半導體材料和器件、射頻材料和器件方面與國際先進水平相比，尚處于跟跑狀態(tài)。隨著全球半導體產業(yè)逐步向亞洲轉移，我國發(fā)展半導體產業(yè)的決心和支持力度空前加大，5G、新能源汽車、AI 等新興產業(yè)帶來的廣闊市場空間，我國發(fā)展第三代半導體產業(yè)正當時。

北京聚集了中科院半導體所、微電子所、物理所等有關院所，北京大學、清華大學等相關高校，擁有國內第三代半導體領域三分之一以上的科技資源，研發(fā)實力居于國內領先，研發(fā)水平整體與國外發(fā)達國家同步，大功率 LED 外延片、超低熱阻 LED 芯片等器件的多項技術指標處于國際一流水平。

同時，北京聚集了天科合達公司、泰科天潤公司、世紀金光公司等相關生產制造企業(yè)，中國電力科學研究院、中興北京研究所、精進電動科技公司等下游用戶單位，在國內率先實現了6英寸碳化硅晶圓的小批量制備和二極管等碳化硅相關器件的規(guī)?；a，初步形成碳化硅材料及器件的研發(fā)、生產，應用等各環(huán)節(jié)相對完整的產業(yè)鏈，為未來大力發(fā)展第三代半導體技術和產業(yè)、建設國家第三代半導體重大創(chuàng)新基地建設奠定了較好的基礎。

按產業(yè)上下游劃分，北京的第三代半導體產業(yè)可以劃分為材料、芯片工藝、裝備制造、應用等幾個方面。第三代半導體材料市場前景廣闊，是北京市高精尖產業(yè)的重要內容，更是順義確定發(fā)展的三大創(chuàng)新型產業(yè)集群之一。目前北京第三代半導體材料及應用聯合創(chuàng)新基地在中關村順義園加速建設，一些國內的優(yōu)勢企業(yè)和大批創(chuàng)新型公司紛紛落戶基地，在北京初步形成了第三代半導體技術和產業(yè)集聚區(qū)。在北京市科委、順義區(qū)政府和聯盟的共同推動下，從頂層規(guī)劃與設計、平臺建設、新型研發(fā)機構建設、產業(yè)生態(tài)環(huán)境規(guī)劃與建設、產業(yè)聚集等多個層面進行創(chuàng)新性探索，各項工作正在全面展開。

第三代半導體作為戰(zhàn)略性先進電子材料，其技術難度較大，國外對我國實行技術封鎖。針對北京市第三代半導體產業(yè)的發(fā)展，我們建議如下。

（1）認清差距，優(yōu)先發(fā)展碳化硅產業(yè)。材料環(huán)節(jié)，盡快突破大尺寸、高性能單晶襯底產業(yè)化技術；芯片設計與工藝環(huán)節(jié)，盡快突破碳化硅MOSFET、氮化鎵 HEMT 等芯片設計和工藝實現技術，解決可靠性關鍵技術，解決相關的驅動與應用系統(tǒng)仿真等關鍵技術；封裝與測試環(huán)節(jié)，盡快解決高溫、高壓、高頻、高功率密度等條件下的封裝工藝、技術、材料等關鍵問題，解決高壓、大電流、高頻、高溫等條件下的芯片和模塊測試技術問題；工藝裝備方面，要充分發(fā)揮材料、工藝和裝備一體化的優(yōu)勢，結合產業(yè)發(fā)展的需要，開發(fā)先進的包括刻蝕設備、高溫離子注入設備、高溫氧化設備、高溫退火設備等國產化工藝裝備，以滿足第三代半導體未來高速發(fā)展對裝備的需求。縮小技術差距要靠企業(yè)和研究機構持續(xù)投入研發(fā)，完成前期技術積累工作。鑒于北京已具備較為完整的碳化硅產業(yè)鏈，資源優(yōu)勢明顯，加上目前氮化鎵射頻工藝基本都是基于碳化硅襯底上做氮化鎵外延，因此建議北京優(yōu)先發(fā)展碳化硅產業(yè)。在目前國內企業(yè)普遍缺乏資金和技術實力的情況下，建議政府設立專項資金，集中有限資金重點支持，以天科合達（碳化硅材料）、泰科天潤（碳化硅器件）、燕東微電子（碳化硅器件）、北方華創(chuàng)（碳化硅設備）為重點扶持單位。

（2）發(fā)揮政府主導作用，形成合力。第三代半導體產業(yè)發(fā)展是一個大規(guī)模的系統(tǒng)工程，建議通過政府作用，發(fā)掘和聚合北京市內有限的科技力量，建立第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟，包括材料、芯片、封測、應用、裝備各環(huán)節(jié)，形成上中下游緊密聯動、聯合開發(fā)、快速迭代驗證。實現從企業(yè)技術引進、政府主導關鍵技術合作開發(fā)，到后續(xù)企業(yè)自主開發(fā)過程。

（3）以應用促發(fā)展，開展典型試點示范。產業(yè)方面，以應用促發(fā)展，開展典型試點示范。以應用為導向，建立“技術供給與市場拉動一體化”的試點示范組織實施機制，制定包括技術集成、產品應用、商業(yè)模式、工程監(jiān)管、標準檢測等在內的系統(tǒng)化、集成化實施方案，重點開展面向電動汽車（充電、驅動、無人駕駛）、新能源與能源互聯網（光伏逆變器、風電變流器、智能微網中的各類固態(tài)變壓器、固態(tài)斷路器和開關、儲能控制設備等微網控制設備）、5G 通信（基站和終端應用）以及智能照明等重點領域的試點示范。以試點示范，加快技術成果轉化和產業(yè)化，促進國產化應用。試點布局方面建議以新能源汽車（北汽新能源）、充電樁（華商三優(yōu)）為重點建設。

（4）鼓勵民營、外資等各種經濟形式的企業(yè)投資。當前，半導體產業(yè)的民間投資出現良好勢頭，但更多關注芯片設計環(huán)節(jié)，應鼓勵各類經濟實體投資半導體制造業(yè)，鼓勵發(fā)展第三代半導體專用材料及器件生產線，特別是有半導體行業(yè)經驗的大型企業(yè)集團，使之有能力進入這些領域，并依靠自己的經濟實力生存下來并發(fā)展壯大。應用方面建議從對可靠性要求相對較低的消費級電子產業(yè)、對第三代半導體器件有剛性需求的產業(yè)（如光伏逆變器、5G 通信）、受政策導向影響較大的產業(yè)（如充電樁）等逐步切入市場。

（5）最大限度利用海外成熟技術和人才。通過在海外設研發(fā)中心、海外并購或引進海外人才的方式，短時間內快速提升技術整合和自主開發(fā)能力。美國和日本技術方面較先進，但封鎖較嚴，尤其對中國，并購企業(yè)的方式基本行不通，建議通過人才和技術引進，或者在當地設研發(fā)中心的方式獲得資源。歐洲、俄羅斯等國技術也相對先進，可以考慮尋找中小規(guī)模材料或器件企業(yè)整體并購或團隊整體引進的方式獲得合作。

（6）鼓勵重點園區(qū)布局和建設。目前順義區(qū)已經啟動了第三代半導體創(chuàng)新型產業(yè)集聚區(qū)前期研究和規(guī)劃建設，專門制定了第三代半導體產業(yè)發(fā)展規(guī)劃，預留了 1000 畝的發(fā)展空間，制定了專項政策，包括成立專門機構加強組織領導、整合土地資源豐富承載空間、統(tǒng)籌財政資金加大支持力度、吸引社會資本深化產融合作等。與此同時，北京經濟技術開發(fā)區(qū)擁有天科合達、世紀金光、北方華創(chuàng)、燕東微電子等代表企業(yè)，建議開發(fā)區(qū)政府加大政策扶持力度，提供資金幫助，推進具有自主知識產權的 4 英寸和 6 英寸碳化硅產品的規(guī)?；l(fā)展，持續(xù)提升良品率和市場導入率；加快解決第三代半導體的裝備問題，實現材料、工藝、裝備一體化。

南有亦莊，北有順義，建議以“順義第三代半導體全產業(yè)鏈研發(fā)創(chuàng)新公共平臺”為核心，以燕東微電子、泰科天潤為牽頭項目，加快招引優(yōu)質項目，打造集研發(fā)、生產、科技服務和孵化于一體的第三代半導體產業(yè)化基地。最終實現全產業(yè)鏈協同創(chuàng)新，共同協作，包括材料、設備和關鍵零部件的技術突破，并帶動后端應用市場的拓展。