隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展，進一步推動算力需求，服務(wù)器電源效率需達97.5%-98%，通過降低能量損耗，來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇，瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人，推出的第三代超結(jié)MOSFET，能全面滿足高效能需求。

特技搶先看

新一代芯片技術(shù)平臺：大幅提升FOM優(yōu)值，賦能高效系統(tǒng)。

創(chuàng)新的TOLL封裝：較低的封裝電阻、寄生電感、優(yōu)秀的散熱性能，提升系統(tǒng)熱管理性能。

行業(yè)領(lǐng)先的功率密度：為小型化提供了卓越的解決方案，重塑性能標桿。

完整的產(chǎn)品組合：覆蓋高低壓單元，為客戶提供一站式解決方案。

瑞能超結(jié)MOSFET技術(shù)路線

Cell pitch shrink

EPI with lower resistance

Shorter Pillar depth

瑞能 G1 超結(jié) MOSFET

Trench gate technology

Qg reduction technology

Robust reverse

recovery

瑞能 G3 超結(jié) MOSFET

瑞能 G4 超結(jié) MOSFET

技術(shù)亮點大揭秘

業(yè)界頂尖比導(dǎo)通電阻（R(ON)sp）

行業(yè)領(lǐng)先抗雪崩耐量等級（EAS）

RDS(ON)與EOSS參數(shù)實現(xiàn)優(yōu)異平衡性，比肩國際一線品牌

集成優(yōu)化設(shè)計的快恢復(fù)二極管（FRD）特性，兼具強魯棒性反向恢復(fù)能力與寬溫域穩(wěn)定性

完善的質(zhì)量管控體系，執(zhí)行全生命周期產(chǎn)品驗證

依托多元化封裝技術(shù)平臺，提供客制化封裝方案快速響應(yīng)及可靠交付保障

瑞能超結(jié)MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢

RDS(ON)低溫漂

在廣泛的電流密度范圍內(nèi)，RDS(ON)保持穩(wěn)定，在實際應(yīng)用中對于客戶而言更具指導(dǎo)意義；器件在寬溫度范圍內(nèi)具有更高的一致性。

寬裕的安全余量

G3 超結(jié) MOSFET 的整體性能與行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者相當(dāng)，盡管在產(chǎn)量和工藝控制方面非常嚴格，瑞能仍然為客戶保留了較大的VDS余量。

快恢復(fù)體二極管

體二極管Trr 小于 200 納秒，換向速度 dIF/dt 超過 1000 A/us ，兼容軟硬開關(guān)應(yīng)用。

低電容

卓越的 NP 平衡，Eoss 和RDS(ON)/VDS之間實現(xiàn)了良好的平衡折衷，對效率要求高的應(yīng)用十分友好。

優(yōu)勢詳解