有的時(shí)候,ESD的指標(biāo)要求在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中難以滿足,所以很多客戶一般得出結(jié)論,在物理上是不可能實(shí)現(xiàn)的。在這篇報(bào)道里,我們向大家介紹公司如何幫助許多客戶走出面臨的困境。
例如,顧客必須根據(jù)IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)對(duì)模擬開關(guān)的應(yīng)用保證 8kV的片上ESD保護(hù)。在信號(hào)路徑阻抗不能使用,電容負(fù)載預(yù)算非常小,總的IC尺寸僅限于一個(gè)特定面積的情況下, 幾乎沒留下硅面積導(dǎo)致ESD設(shè)計(jì)窗口幾乎不存在。同時(shí),導(dǎo)致項(xiàng)目局勢(shì)更加不確定的是,這個(gè)過程是給客戶量身定做的,對(duì)公司和客戶來說很多都是未知,而市場(chǎng)立即需要IC成品,不能拖延。
為此,公司創(chuàng)建一個(gè)專用的ESD解決方案的測(cè)試芯片、涵蓋設(shè)計(jì)窗口,提取表征方法及器件的防靜電性能,從而開發(fā)新的解決方案來面對(duì)手頭的挑戰(zhàn)。ESD解決方案對(duì)于導(dǎo)入產(chǎn)品和制造幾乎同時(shí)進(jìn)行, 作為第一步,首先讓產(chǎn)品具有正常的操作性能和高ESD魯棒性的保證。 在第一個(gè)硅產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)通過其性能規(guī)格后,但CORNER(邊際)分析表明,還是存在大規(guī)模生產(chǎn)失敗的風(fēng)險(xiǎn)。使用專用的測(cè)試結(jié)構(gòu),我們能夠調(diào)整設(shè)計(jì)使其建立在安全邊際的商業(yè)生產(chǎn)之上。目前, 公司針對(duì)模擬開關(guān)產(chǎn)品,推出了定制開發(fā)的一系列解決方案,已經(jīng)面向市場(chǎng)。這些解決方案是公司在十幾年的ESD項(xiàng)目中,支持了許多IC設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)高ESD的要求而得到的經(jīng)驗(yàn),比如:

其中的一些項(xiàng)目也可以在公司發(fā)表的文章中獲得:
On-Chip ESD Protection Achieving 8kV HBM Without Compromising the 3.4Gbps HDMI Interface
On-Chip ESD Protection with Improved High Holding Current SCR (HHISCR) Achieving IEC 8kV Contact System Level

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IEC-61000-4-2 2025中對(duì)靜電放電發(fā)生器校準(zhǔn)的要求變化
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Texas Instruments ESD851/ESD851-Q1 ESD保護(hù)二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
Texas Instruments ESD801/ESD801-Q1 ESD保護(hù)二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
Texas Instruments ESD701/ESD701-Q1 ESD 保護(hù)二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
Texas Instruments ESD501/ESD501-Q1低電容ESD二極管特性/應(yīng)用/框圖
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關(guān)于IEC 61000-4-2下的ESD的性能分析和應(yīng)用
評(píng)論