上海華虹（集團）有限公司（以下簡稱“華虹集團”）在本次博覽會上集中展示了集團集成電路工藝技術的最新研發(fā)成果及解決方案，并喜獲CITE 2018年度兩項金獎。

展會首日，工信部電子信息司刁石京司長蒞臨華虹集團展位考察指導，詳細詢問了解了華虹集團28納米以下先進工藝技術的研發(fā)進展和特色工藝的發(fā)展規(guī)劃。

此次參展 CITE 2018，華虹集團攜8英寸和12英寸兩個芯片制造平臺，包括先進邏輯工藝和以嵌入式存儲器、功率器件為代表的大批先進特色工藝，以及模擬及電源管理、射頻和圖像傳感器等差異化工藝悉數(shù)亮相，工藝技術覆蓋1.0微米至90納米和55納米至28納米節(jié)點，全面展示了華虹集團在當下熱點應用，如5G通訊、金融IC卡、物聯(lián)網(wǎng)、綠色能源、汽車電子等領域的布局，展現(xiàn)了華虹集團在國內高端集成電路芯片制造領域的領軍地位。

在最為引人矚目的CITE 2018金獎頒獎環(huán)節(jié)中，集團旗下華虹宏力和華力再次不負眾望，拿下了兩個“2018 CITE創(chuàng)新產(chǎn)品與應用金獎”。華虹宏力的90納米低功耗嵌入式閃存工藝和華力的55納米SONOS嵌入式閃存工藝分別在眾多參選項目的評比中脫穎而出，受到業(yè)界專家的一致認可。

華虹宏力的90納米低功耗嵌入式閃存工藝平臺，是國內最先進的8英寸晶圓嵌入式存儲器技術，可制作目前全球8英寸晶圓代工廠中最小尺寸的嵌入式閃存單元，以高性能、高可靠性及高集成度實現(xiàn)了高端智能卡芯片的國產(chǎn)化。該90納米嵌入式平臺可與標準邏輯工藝完全兼容，采用低閾值電壓的5V器件，為客戶的電路設計提供了便利。與0.11微米嵌入式閃存工藝相比，該90納米嵌入式平臺的門密度與嵌入式存儲器IP性能均提升30%以上，功耗降低超30%，且總成本優(yōu)勢明顯，可為電信卡芯片、智能卡芯片、安全芯片產(chǎn)品以及微控制器（MCU）等產(chǎn)品提供理想的芯片制造技術解決方案。此外，該平臺具有高度自有知識產(chǎn)權，已累計獲得國內發(fā)明專利授權多達70件，美國專利授權20件。

另外，此次華力獲得“2018 CITE創(chuàng)新產(chǎn)品與應用金獎”的55納米SONOS嵌入式閃存工藝各項技術指標和產(chǎn)品市場應用已經(jīng)達到國際先進水平，于2016年完成技術開發(fā)并開始風險量產(chǎn)，迄今已經(jīng)實現(xiàn)多家客戶、多顆產(chǎn)品的驗證和量產(chǎn)，產(chǎn)品涵蓋了低功耗物聯(lián)網(wǎng)存儲芯片、觸控芯片、高速MCU、嵌入式FPGA、智能卡芯片、安全芯片等。該技術平臺為眾多國內IC設計公司在集成電路領域的創(chuàng)新、突破提供了極具競爭力的基礎工藝和制造平臺，其數(shù)據(jù)保持能力的高可靠性、產(chǎn)品高良率以及相對來說的成本優(yōu)勢保證了國內IC設計公司的產(chǎn)品市場優(yōu)勢和突破國際壟斷的可能。此外，基于該平臺成功量產(chǎn)了高端電信卡、安全芯片、金融支付芯片等也在進一步開發(fā)中，將為國家的信息和金融安全添磚加瓦。

新時代開啟新發(fā)展，華虹集團將不忘初心，砥礪前行，為國家發(fā)展自主可控集成電路事業(yè)貢獻中堅力量。