全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導(dǎo)體有限公司（“華虹半導(dǎo)體”或“公司”，連同其附屬公司，統(tǒng)稱“集團(tuán)”，股份代號：1347.HK）今天宣布，公司針對8位微控制器（Microcontroller Unit, MCU）市場，最新推出95納米單絕緣柵非易失性嵌入式存儲器（95納米5V SG eNVM）工藝平臺。在保證產(chǎn)品穩(wěn)定性能的同時(shí)，95納米5V SG eNVM工藝平臺以其低功耗、低成本的優(yōu)勢，廣受客戶青睞。該平臺現(xiàn)已成功量產(chǎn)，產(chǎn)品性能優(yōu)異。

萬物互聯(lián)時(shí)代，8位MCU不斷推陳出新，出貨量也逐步攀升，在工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、消費(fèi)類電子等諸多領(lǐng)域均有廣泛應(yīng)用。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS預(yù)測，8位MCU市場持續(xù)增長，到2020年，全球8位MCU的市場規(guī)模將達(dá)61億美元，需求量將達(dá)到近170億顆，市場需求強(qiáng)勁。華虹半導(dǎo)體順勢推出95納米5V SG eNVM工藝平臺，為客戶提供高性價(jià)比的制造工藝，助力客戶在龐大的8位MCU應(yīng)用市場提高競爭力。

華虹半導(dǎo)體的95納米5V SG eNVM工藝通過優(yōu)化單元的結(jié)構(gòu)和IP的設(shè)計(jì)，令其具有較小的面積和較低的讀取功耗（50μA/MHz），器件靜態(tài)功耗Ioff也只有0.5pA。CPU內(nèi)核的速度達(dá)到50MHz，完全滿足了8位MCU產(chǎn)品應(yīng)用的需求。在設(shè)計(jì)上，該工藝還支持整合電可擦可編程只讀存儲器（EEPROM）和閃存（Flash）的單IP設(shè)計(jì)，把EEPROM的高性能和Flash的面積優(yōu)勢體現(xiàn)在一顆IP上，相比于兩個(gè)IP的設(shè)計(jì)，大大節(jié)約了面積成本。同時(shí)，采用具有競爭力的光罩層數(shù)，三層金屬最少光罩層數(shù)只有19層。此外，在模擬面積比較大的芯片應(yīng)用領(lǐng)域，華虹半導(dǎo)體的95納米單5V電壓工藝亦具有較大的成本優(yōu)勢。該平臺在保持良好性能的同時(shí)兼?zhèn)涓呖煽啃?，?shù)據(jù)保存時(shí)間超過30年，重復(fù)擦寫次數(shù)超過50萬次。

華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示：“華虹半導(dǎo)體力爭保持在eNVM技術(shù)領(lǐng)域的全球競爭優(yōu)勢，近年來在智能卡、MCU市場取得很好的業(yè)績。此次推出的95納米5V SG eNVM技術(shù)，安全可靠兼顧成本優(yōu)勢，使其成為制勝8位MCU市場的首選制造工藝?！彼M(jìn)一步指出，“華虹半導(dǎo)體同時(shí)擁有多種MCU所需要的細(xì)分化eFlash/eEEPROM工藝平臺，可將我們領(lǐng)先的嵌入式存儲技術(shù)與CMOS射頻集成及/或高壓LDMOS技術(shù)結(jié)合，大大增加可用MCU解決方案的數(shù)量。華虹半導(dǎo)體將順應(yīng)市場需求，持續(xù)進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，致力于為客戶提供更低功耗、更高性能、更安全可靠的高性價(jià)比MCU解決方案?！?/p>