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關(guān)于OptiMOS 5 150V功率MOSFET的性能分析和應用

cROa_英飛凌 ? 來源:djl ? 2019-09-25 10:28 ? 次閱讀
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更環(huán)保的技術(shù)?

持之以恒研發(fā)適用于高能效設計的產(chǎn)品?堅持不懈幫助減少全球二氧化碳排放?近日,英飛凌推出的新品OptiMOS 5 150V功率MOSFET產(chǎn)品組合就是最佳注腳。不僅可以降低電信設備能耗,而且可以改善電動汽車的功率和續(xù)航里程,更環(huán)保的技術(shù),OptiMOS 5 150V功率MOSFET當之無愧。

細數(shù)那些“Breakthrough”

1. Breakthrough in RDS(on)——比之僅次于它的替代產(chǎn)品,采用SuperSO8封裝的OptiMOS 5 150V功率MOSFET可以將導通電阻RDS(on)大幅降低25%

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表1:OptiMOS 5 150V與僅次于它的替代產(chǎn)品的導通電阻RDS(on)比較圖

(在SuperSO8、D2PAK、TO-220三種封裝條件下)

2. Breakthrough inQrr——比之僅次于它的替代產(chǎn)品,采用SuperSO8封裝的OptiMOS 5 150V功率MOSFET可以將反向恢復電荷Qrr大幅降低72%,增強了通流耐受性

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表2:OptiMOS 5 150V與僅次于它的替代產(chǎn)品的反向恢復電荷Qrr比較圖

而且這一切都是在不犧牲品質(zhì)因素FOMgd和FOMOSS的前提下,OptiMOS 5 150V功率MOSFET的推出在優(yōu)化系統(tǒng)能效的同時有效簡化了設計難度,兼具更出色的EMI性能,可謂一舉多得~

特別的給特別的你

1特別的——關(guān)鍵性能總結(jié)

在不犧牲品質(zhì)因素FOMgd和FOMOSS的前提下,大幅降低導通電阻RDS(on);

大幅降低輸出電荷;

極低的反向恢復電荷Qrr;

增強了流通耐受性;

讓更高的開關(guān)頻率成為可能;

2給特別的你——主要應用領(lǐng)域

Low voltages drives—低壓驅(qū)動,例如:低壓馬達驅(qū)動等;

Telecom—通信,例如:通訊電源同步整流DC/DC Brick同步整流等;

Solar—太陽能,例如:太陽能電源優(yōu)化器等;

圖1:OptiMOS 5 150V功率MOSFET產(chǎn)品主打三大應用領(lǐng)域

3更多的——6大封裝齊聚

SuperSO8封裝:OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封裝,堪稱封裝界的best-in-class級別,相比于TO-220封裝,SuperSO8將在減少封裝電感的基礎(chǔ)上進一步增大功率密度、減少漏源電壓VDS的尖峰。

6大封裝齊聚:除了SuperSO8封裝亮點,英飛凌此次更是齊聚6大封裝。

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圖2:OptiMOS 5 150V功率MOSFET產(chǎn)品組合“全家?!?/p>

可以說,英飛凌最新推出的OptiMOS 5 150V產(chǎn)品家族將進一步壯大行業(yè)領(lǐng)先的最新一代OptiMOS 5功率MOSFET的陣容。

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