英特爾(Intel)在今年的COMPUTEX終于正式宣布，其10納米的處理器「Ice Lake」開始量產(chǎn)，但是另一個10納米產(chǎn)品「Lakefiled」卻缺席了。

雖然同樣使用10納米制程，但「Lakefiled」是一個更高階的產(chǎn)品，同時也將是是英特爾首款使用3D封裝技術的異質(zhì)整合處理器。

圖四: 英特爾Foveros的堆疊解析圖(source: intel)

根據(jù)英特爾發(fā)布的資料，「Lakefield」處理器，不僅在單一芯片中使用了一個10nm FinFET制程的「Sunny Cove」架構(gòu)主核心，另外還配置了4個也以10nm FinFET制程生產(chǎn)的「Tremont」架構(gòu)的小核心。此外，還內(nèi)建LP-DDR4記憶體控制器、L2和L3快取記憶體，以及一個11代的GPU。

而能夠?qū)⑦@么多的處理核心和運算單元打包成一個單芯片，且整體體積僅有12 x 12mm，所仰賴的就是「Foveros」3D封裝技術。

圖五: 英特爾Foveros的區(qū)塊與架構(gòu)原理(source: intel)

在年初的架構(gòu)日上，英特爾也特別針對「Foveros」技術做說明。英特爾指出，不同于過去的3D芯片堆疊技術，F(xiàn)overos能做到邏輯芯片對邏輯芯片的直接貼合。

英特爾表示，F(xiàn)overos的問世，可以為裝置與系統(tǒng)帶來更高性能、高密度、低功耗的處理芯片技術。Foveros可以超越目前被動中介層(interposers)的芯片堆疊技術，同時首次把記憶體堆疊到如CPU、繪圖芯片和AI處理器等，這類高性能邏輯芯片之上。

此外，英特爾也強調(diào)，新技術將提供卓越的設計彈性，尤其當開發(fā)者想在新的裝置外型中，置入不同類型記憶體和I/O元素的混合IP區(qū)塊。它能將產(chǎn)品分拆成更小的「微芯片(chiplets)」結(jié)構(gòu)，讓I/O、SRAM和電源傳遞電路可以在配建在底層的裸晶上，接著高性能的邏輯微芯片則可進一步堆疊在其上。

英特爾甚至強調(diào)，F(xiàn)overos技術的問世是該公司在3D封裝上的一大進展，是繼EMIB(Embedded Multi-die Interconnect Bridge)2D封裝技術之后的一大突破。