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3D封裝架構(gòu)的分類和定義

中科院半導(dǎo)體所 ? 來源:Tom聊芯片智造 ? 2025-10-16 16:23 ? 次閱讀
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文章來源:Tom聊芯片智造

原文作者:芯片智造

本文介紹了3D封裝架構(gòu)的分類、定義、實現(xiàn)和挑戰(zhàn)。

3D封裝架構(gòu)主要分為芯片對芯片集成、封裝對封裝集成和異構(gòu)集成三大類,分別采用TSV、TCB和混合鍵合等先進工藝實現(xiàn)高密度互連。

3D封裝架構(gòu)分類

3D封裝架構(gòu)主要分三大類:芯片對芯片的3D集成、封裝對封裝的3D集成,還有把封裝和芯片堆疊混在一起用的3D異構(gòu)集成。

芯片對芯片的3D集成

1. 基本概念

芯片對芯片的3D集成,簡單來說就是把幾顆芯片"堆疊"在一起,并用硅通孔(TSV)和微凸點把它們牢牢連起來。

2. 具體實現(xiàn)

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比如:兩顆存儲芯片先通過TSV和微凸點堆疊在一顆邏輯芯片上;邏輯芯片再通過一級焊點連到基板上;最后用二級焊點把整個3D封裝連到印刷電路板(PCB)上。

3. 工藝挑戰(zhàn)

傳統(tǒng)的2D封裝里,用的是"焊料回流"——先涂助焊劑,再貼芯片,然后放到爐子里回流焊接。但到了3D封裝時代,這種方法就不太好使了:

3D封裝里的芯片和基板都更薄

互連更小更密

一加熱就容易翹曲、錯位、傾斜、焊接不良、焊料橋連

所以,3D封裝需要更先進的工藝來代替?zhèn)鹘y(tǒng)回流焊。

4. 先進工藝方案

TCB(熱壓鍵合)就是最常用的替代方案,它專門用來把3D封裝里的微凸點精確焊接到位,避免翹曲和焊接不良。

再往前一步,混合鍵合(Hybrid Bonding)等新工藝,甚至可以處理小于5微米間距的超密互連,組裝溫度還低,更適合下一代3D封裝的發(fā)展。

封裝對封裝的3D集成

1. 典型配置

系統(tǒng)級封裝(SIP)和封裝堆疊封裝(POP)是封裝對封裝3D集成的典型配置,通過引線鍵合或倒裝鍵合把封裝堆疊起來。

2. 技術(shù)優(yōu)勢

跟芯片堆疊比,封裝堆疊技術(shù)開發(fā)周期短,能更快地把產(chǎn)品推向市場,價格也便宜。

3. 結(jié)構(gòu)描述

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如圖所示,一個引線鍵合封裝通過倒裝鍵合堆疊在另一個引線鍵合封裝上面,然后這兩個封裝再堆到一個倒裝封裝上,形成POP。

異構(gòu)3D集成

1. 定義與特點

異構(gòu)3D集成,是指將不同功能、不同工藝節(jié)點的芯片堆疊整合在同一個緊湊封裝中的封裝方式。

2. 應(yīng)用優(yōu)勢

相比傳統(tǒng)的單片芯片(所有功能做在一個Die上),異構(gòu)3D封裝的優(yōu)勢非常明顯:

可以讓每個小芯片用最合適的制程工藝(比如CPU用先進工藝,模擬部分用成熟工藝)

小芯片面積小,良率更高、成本更低

可以用現(xiàn)成的芯片快速組合出新產(chǎn)品,大大縮短開發(fā)周期

整體封裝更緊湊,系統(tǒng)級性能更強

3. 實現(xiàn)案例

比如,下面這種異構(gòu)3D結(jié)構(gòu)

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一顆DRAM封裝(里面是4顆通過TSV+微凸點堆疊的存儲芯片) 再跟一顆倒裝的CPU芯片并排組合在一個封裝中 封裝與封裝之間通過多級互連,再通過封裝內(nèi)的一級互連、基板連接,實現(xiàn)整個系統(tǒng)級的高速通信

這樣的"芯片堆+封裝堆"組合,既高效又靈活。

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原文標題:3D封裝架構(gòu)是怎么分類的?

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