Socionext推出先進的3D芯片堆疊與5.5D封裝技術全面擴展3DIC的產品組合

實現(xiàn)面向緊湊、低功耗的消費品類應用以及高性能AI、HPC產品的3DIC技術的量產適用

Socionext Inc.（以下簡稱“Socionext”）宣布，其3DIC設計現(xiàn)已支持面向消費電子、人工智能(AI)和高性能計算(HPC)數(shù)據(jù)中心等多種應用。通過結合涵蓋Chiplet、2.5D、3D及5.5D的先進封裝技術組合與強大的SoC設計能力，Socionext將提供高性能、高品質的解決方案，助力客戶實現(xiàn)創(chuàng)新并推動其業(yè)務增長。

作為一項關鍵里程碑， Socionext基于TSMC SoIC-X 3D堆疊技術，成功完成了一款完整封裝芯片的流片。該設計采用面對面（F2F）堆疊架構，將3納米制程的計算芯片與5納米制程的I/O芯片集成于一體。相較于傳統(tǒng)2D和2.5D設計方案，這種F2F 3D堆疊技術極大縮短了互連距離，顯著降低了信號延遲與功耗。

垂直堆疊：釋放3DIC設計的無限潛能

憑借在2.5D設計領域積累的豐富經驗，Socionext將成熟的設計經驗與方法論應用于3DIC技術，通過垂直堆疊晶粒的方式充分發(fā)揮關鍵性能優(yōu)勢。

3DIC F2F與5.5D結構

? 異構集成

3D IC可將不同工藝節(jié)點（3nm、5nm、7nm）及功能模塊（邏輯單元、存儲單元、接口單元等）集成于同一封裝內，實現(xiàn)性能、密度與成本的最優(yōu)平衡。

? 高集成密度賦能廣泛應用場景

垂直堆疊技術能夠在更小尺寸內實現(xiàn)更強大的功能——這一優(yōu)勢在傳統(tǒng)制程微縮逼近物理極限的當下顯得尤為重要，對于空間受限的消費類電子設備具有顯著價值。

? 性能提升

芯片間更短更寬的互聯(lián)路徑顯著降低延遲并提升帶寬。

? 功耗優(yōu)化

緊湊型互連結構通過降低阻抗特性，顯著減少驅動功耗需求。

未來愿景

3DIC及5.5D技術的推進體現(xiàn)了Socionext對推動異構集成技術的高度重視。通過將多元功能整合于統(tǒng)一的半導體與封裝系統(tǒng)中，為未來技術發(fā)展奠定基礎。隨著市場對可擴展、高密度與高能效平臺需求的持續(xù)增長，尤其在消費電子、人工智能(AI)及數(shù)據(jù)中心領域，3DIC技術將在塑造半導體行業(yè)未來創(chuàng)新格局中發(fā)揮關鍵作用。

Socionext首席技術官兼執(zhí)行副總裁Rajinder Cheema表示："依托在SoC設計領域的豐富經驗以及與TSMC的緊密合作，使我們始終處于下一代SoC開發(fā)的前沿。此次里程碑正是我們不斷提供能夠滿足客戶日益增長需求之尖端解決方案的最佳體現(xiàn)。"

關于Socionext

Socionext是全球領先的SoC供應商，也是“Solution SoC”商業(yè)模式的開拓者。這種創(chuàng)新模式整合了Socionext的“Entire Design”能力并提供了“Complete Service”。作為值得信賴的芯片合作伙伴，Socionext 推動全球創(chuàng)新，提供卓越的功能、性能和質量，使客戶的產品和服務在汽車、數(shù)據(jù)中心、網絡、智能設備和工業(yè)設備等不同領域脫穎而出。Socionext Inc.總部位于橫濱，在日本、亞洲、美國和歐洲均設有辦事處，負責開發(fā)和銷售。