肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）常用于高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）相機(jī)模塊的反向連接保護(hù)電路中。但由于車輛系統(tǒng)中高分辨率相機(jī)所需的電流較大，因此SBD越來(lái)越多地被緊湊型MOSFET取代，這種MOSFET具有低導(dǎo)通電阻和低發(fā)熱量。例如，在分別為2.0 A和0.6 W的電流和功耗下，傳統(tǒng)的汽車MOSFET可以比SBD減少30％的安裝面積。

采用底部電極型封裝方式的MOSFET可以提供必要的散熱，同時(shí)仍能以更小的外形尺寸支持大電流，與傳統(tǒng)的SBD相比，可以將安裝面積減少多達(dá)78％。但是，雖然底部電極型MOSFET可以小型化并且仍然保持高電流，但是安裝過(guò)程非常繁瑣，一旦通過(guò)自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)（AOI）系統(tǒng)（工業(yè)相機(jī)檢查缺少的部件或質(zhì)量缺陷），安裝后就無(wú)法驗(yàn)證焊料的高度。而為了確保汽車的質(zhì)量，在組裝過(guò)程中必須進(jìn)行目視檢查。

利用“可濕性面板成型技術(shù)”

根據(jù)ROHM的說(shuō)法，它是業(yè)界第一個(gè)通過(guò)利用其可濕面板成型技術(shù)（Wettable Flank）確保車輛應(yīng)用所需的最小焊料高度（130μm）。該技術(shù)在電鍍之前在底部電極封裝一側(cè)（例如QFN和DFN）切入引線框架，這增加了封裝和基板之間的焊點(diǎn)表面，提高了焊料潤(rùn)濕性，從而可以在安裝后輕松驗(yàn)證焊接條件。

車輛中越來(lái)越多的安全和舒適系統(tǒng)使電子系統(tǒng)的空間越來(lái)越有限，從而推動(dòng)了對(duì)更小部件的需求。 DFN1616封裝尺寸僅為1.6×1.6 mm。 （來(lái)源：ROHM）

此外，A在先前使用階梯切割解決方案（step-cut solution）的嘗試中，工程師發(fā)現(xiàn)隨著階梯切割的高度增加，切割到引線框架中會(huì)頻繁產(chǎn)生毛刺。為了克服這一限制，ROHM開發(fā)了一種方法，在引線框的整個(gè)表面上引入阻擋層，以最大限度地減少毛刺的發(fā)生。這不僅可以防止安裝過(guò)程中的焊接缺陷，而且可確保DFN1616（1.6 x 1.6 mm）封裝的最小焊接高度為130μm（圖1）。使自動(dòng)檢測(cè)機(jī)能夠輕松驗(yàn)證焊接條件，保障焊接質(zhì)量始終如一。

ROHM的RV4xxx系列符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的MOSFET利用了這種新的封裝處理技術(shù)（圖2）。 RV4xxx系列包含兩個(gè)版本-RV4E031RP和RV4C020ZP。前者的導(dǎo)通電阻（VGS為10 V）表示為75mΩ（典型值）和105mΩ（最大值）。這些器件的漏 - 源電壓分別為30 V和20 V，漏電流分別為3.1 A和2.0 A.

根據(jù)ROHM的說(shuō)法，其新型RV4xxx系列是市場(chǎng)上首款確保封裝側(cè)面130μm電極高度的系列。