2018年，全球DRAM市場規(guī)模為1000億美元，其中三星、SK海力士、美光三大巨頭市場占有率超過90%，呈現(xiàn)寡頭壟斷態(tài)勢。近年來，在關(guān)鍵核心技術(shù)國產(chǎn)替代浪潮的推動下，中國大陸迎難而上，開啟對DRAM的戰(zhàn)略布局，力爭在這一高端產(chǎn)業(yè)上有所作為。

2016年立項的合肥長鑫已累計投入25億美元研發(fā)費用，建成了第一座12英寸DRAM存儲器晶圓廠，技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)有序開展，并已持續(xù)投入晶圓超過15000片；紫光集團DRAM事業(yè)在2016年擬收購美光未果后，于2019年6月30日宣布重啟DRAM計劃，組建DRAM事業(yè)群。

然而，DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展之路必將布滿荊棘?？v觀臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)30年的發(fā)展，投入500億美元卻血本無歸，其留下的經(jīng)驗和教訓(xùn)值得我們深思。

一、臺灣存儲器的三十年，投入500億血本無歸

說到臺灣的存儲器發(fā)展史，可以追溯到1983年，當(dāng)時臺灣政府借助與美國的合作開始了內(nèi)存的研發(fā)。1980年代，臺灣通過為美國配套生產(chǎn)電腦周邊產(chǎn)品，積累了產(chǎn)業(yè)能量，而以個人電腦為基礎(chǔ)的信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶動了存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。臺灣開始了存儲產(chǎn)業(yè)的試水。

1993年美國茂硅電子成立，并在1985年成功開發(fā)出了64K和256K的內(nèi)存，1987年成立臺灣茂硅電子，1991年茂硅電子兼并了美國華智。但由于缺乏晶圓制造能力，只能產(chǎn)品外包生產(chǎn)。華智外包給日本索尼和韓國現(xiàn)代進(jìn)行代工生產(chǎn)256K DRAM，茂硅則將16K SRAM外包富士通生產(chǎn)，64K SRAM外包韓國現(xiàn)代電子生產(chǎn)，其后開發(fā)的256K SRAM外包日本夏普生產(chǎn)。茂硅電子開始積極追求獨立發(fā)展存儲產(chǎn)品的可能，并于1993年建成6英寸生產(chǎn)線生產(chǎn)DRAM。

1989年，宏碁和德州儀器合資建立了合資制造公司德碁半導(dǎo)體，投資新臺幣31億元建設(shè)6英寸晶圓廠，生產(chǎn)1M DRAM產(chǎn)品。這是臺灣第一家專業(yè)DRAM生產(chǎn)廠，標(biāo)志著臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)的真正起航。然而1990年前后，內(nèi)存市場不景氣，逼迫德碁咬牙苦熬三年，直到1992年DRAM價格谷底翻升，德碁才扭虧為盈。隨后又建設(shè)了一座8英寸晶圓廠。但是由于景氣周期影響，1997至19898年德碁累計虧損超過新臺幣50億元，隨著德州儀器放棄DRAM業(yè)務(wù)并甩賣給美光，跟臺灣宏碁的技術(shù)合作自然也就終止了。失去技術(shù)合作的德碁半導(dǎo)體于1999年被臺積電收購并改造為純邏輯晶圓代工廠。但宏碁賬面獲利超過200億元新臺幣。（笑）當(dāng)時，茂硅和宏碁被看作是臺灣內(nèi)存行業(yè)的起步標(biāo)桿。

面對日韓日新月異的DRAM技術(shù)能力，1990年，臺灣官方在美國顧問建議下，啟動了“次微米制程技術(shù)發(fā)展五年計劃”，目標(biāo)是攻克8英寸0.5微米制程技術(shù)，獲得4M SRAM和16M DRAM的生產(chǎn)能力。1994年12月，臺灣投資新臺幣180億元，由臺積電占股30%，聯(lián)合華新麗華、硅統(tǒng)等13家公司成立世界先進(jìn)（VIS），建設(shè)臺灣第一座8英寸晶圓廠，主攻DRAM芯片業(yè)務(wù)。然而，世界先進(jìn)經(jīng)營不善，2001年至2003年虧損新臺幣200億元，被迫退出DRAM行業(yè)，2004年在臺積電的幫助下轉(zhuǎn)型為晶圓代工廠。世界先進(jìn)是臺灣唯一一家能夠進(jìn)行DRAM產(chǎn)業(yè)技術(shù)研發(fā)的企業(yè)，它的退出標(biāo)志著臺灣自主之路的夭折。此后，臺灣DRAM全部企業(yè)都需要花費巨額資本從美、日獲得制程技術(shù)授權(quán)。

1994年，力晶半導(dǎo)體依靠從日本三菱電機獲得的技術(shù)授權(quán)，開始籌建DRAM生產(chǎn)線。然而，由于市場不景氣，投產(chǎn)后的力晶半導(dǎo)體虧損嚴(yán)重，直到直至2004年，力晶的12寸晶圓廠，成為全球唯一將256M SDRAM生產(chǎn)成本，降至3美元以下的廠商，當(dāng)年實現(xiàn)盈利高達(dá)新臺幣165（約5億美元），并在2004年完成轉(zhuǎn)型為存儲晶圓代工廠。

1995年，臺塑集團依靠日本沖電氣提供的技術(shù)授權(quán)成立南亞科技，設(shè)立8英寸DRAM廠。同時，臺塑集團投資新臺幣42億元與日本小松合資成立了硅片生產(chǎn)工廠，大大提高了南亞科技的成本優(yōu)勢，2002年，南亞科技憑借DDR內(nèi)存的成本優(yōu)勢盈利100億元。2003年，南亞科技與德國英飛凌合資成立華亞科技，建立12英寸晶圓廠。

1996年，茂硅電子與西門子的半導(dǎo)體部門合資，投資450億元新臺幣，在新竹園區(qū)成立茂德電子，建設(shè)8英寸晶圓廠。采用西門子提供的制程生產(chǎn)DRAM晶圓，產(chǎn)能由兩家分配。2001年起，由于DRAM產(chǎn)業(yè)不景氣，茂硅虧損300億元新臺幣，并大量質(zhì)押茂德股票，引發(fā)與英飛凌的矛盾。2002年10月，英飛凌突然與茂硅中斷合資關(guān)系，終止技術(shù)授權(quán)合約，并停止采購茂德的晶圓。此后茂德的發(fā)展非常艱難，2007年金融危機后，茂德便一直虧損。

2006年，臺灣剩下六家DRAM廠商，其中三家為自主品牌，分別是南亞、茂德和力晶，另外三家為DRAM代工廠商，分別是華邦電子、華亞科技和瑞晶。

2007年起，全球金融危機醞釀并爆發(fā)，內(nèi)存產(chǎn)量供過于求，價格全面崩盤，從此徹底摧毀了臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)。最終，南亞科、華邦轉(zhuǎn)型為利基型DRAM，茂德轉(zhuǎn)型為IC設(shè)計公司，力晶在2013年成功轉(zhuǎn)型為專業(yè)晶圓代工公司，建立營運新模式；2013年瑞晶也并入了美光；2015年，美光以32億美元收購華亞科技67%的股份。到此，臺灣DRAM之路走到盡頭。

從2001年到2010年，力晶、茂德、華邦、華亞科、南亞科等五家DRAM廠，共投資9048億元；五家公司帳上的長期債務(wù)相加，金額高達(dá)1544億元。從財務(wù)角諾基亞看，只要能賺到更多現(xiàn)金，負(fù)債不是問題，但分析臺灣五大DRAM廠財務(wù)狀況發(fā)現(xiàn)，2001年到2010年以來的凈利總合，是虧損2245億元，等于10年來，平均一年虧掉200多億元，投資報酬率為負(fù)-25%。

二、急功近利掙“快錢”埋下隱患

有臺灣學(xué)者統(tǒng)計，過去三十年來，臺灣省向DRAM產(chǎn)業(yè)投入了超過16000億元新臺幣（約合五百億美元），有超過20000名科技精英參與到DRAM事業(yè)中，最后卻負(fù)債累累，連年巨額虧損。其中原因值得深思。

缺乏自主創(chuàng)新能力

其實在1980年代，臺灣DRAM廠商的研發(fā)能力還是蠻強的，臺灣省政府還能在產(chǎn)業(yè)政策、產(chǎn)業(yè)技術(shù)上，對DRAM產(chǎn)業(yè)進(jìn)行扶持。但是在1990年代，由于臺積電的代工模式引領(lǐng)了臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，加上臺積電的創(chuàng)始人張忠謀先生不看好存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，影響到臺灣省政府繼續(xù)扶持DRAM產(chǎn)業(yè)的決心，導(dǎo)致臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)自主研發(fā)積極性減小。

由于臺灣廠商放棄自主研發(fā)，通過國外技術(shù)轉(zhuǎn)移，從而喪失核心技術(shù)研發(fā)能力，以至于DRAM相關(guān)專利全部掌握在幾大存儲巨頭手中。有臺灣學(xué)者統(tǒng)計，每年臺灣需要向海外合作伙伴支付的技術(shù)授權(quán)費用超過新臺幣200億元（約為6億美元）。一旦海外合作伙伴出于自身營運窘迫或另有考量決定不再技術(shù)授權(quán)時，臺灣DRAM將立刻面臨技術(shù)斷炊的局面，最終只能將晶圓廠低價賣出。2002年英飛凌終止給茂德授權(quán)的慘痛歷歷在目。

工藝和設(shè)備是密不可分的。由于放棄自主研發(fā)DRAM技術(shù)，同樣臺灣也不具備自主設(shè)備制程能力，臺灣DRAM廠商每年需要花費十幾億美元資金購買工藝制程設(shè)備。有臺灣學(xué)者統(tǒng)計，2000至2010年間，臺灣整體DRAM產(chǎn)業(yè)僅購買制程設(shè)備就花掉累計上萬億臺幣，導(dǎo)致了4000多億元的借債，其中有3000億元來自銀行借款，與債券、公司債和其他資本融通工具的總和遠(yuǎn)超過這幾家上市公司的總市值。而DRAM產(chǎn)業(yè)工藝制程轉(zhuǎn)變快，加上臺灣DRAM規(guī)模有限，無法承受新設(shè)備的不斷投入。

戰(zhàn)略判斷嚴(yán)重失誤

存儲產(chǎn)業(yè)是一個面向大批量生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品，因而制造商必須依賴成本控制，低價格競爭，技術(shù)升級以及提高生產(chǎn)能力在市場上存活。

在早期的6英寸晶圓時代，臺灣DRAM依靠技術(shù)還在國際市場中獲得一席之地。但是到了8英寸晶圓、12英寸晶圓，臺灣存儲廠商戰(zhàn)略出現(xiàn)了失誤，其搶占市場最簡單的方法就是降低成本，大打價格戰(zhàn)。

從2002年開始，臺灣DRAM廠商開始12英生產(chǎn)線的大規(guī)模投資，因為12寸廠的產(chǎn)能可以達(dá)到8英廠的2.25倍，可以使成本降低30%。從財務(wù)角度看，當(dāng)廠商大量投資建廠擴充產(chǎn)能，成本的降低和利潤提升可以使整個行業(yè)獲利。但是，一旦需求不及預(yù)期，任何產(chǎn)能的增加都會導(dǎo)致過剩和開工不足，導(dǎo)致成本提高，這影響了整個產(chǎn)業(yè)的獲利能力和資本積累。

當(dāng)時，幾乎2/3的新建或擴充產(chǎn)能集中在存儲器產(chǎn)業(yè)中，但需求端并沒有快速成長，全球存儲器的市場未能達(dá)到預(yù)期，造成供過于求的局面，最終導(dǎo)致DRAM和NAND閃存價格的持續(xù)下跌完全超出市場預(yù)期。

另外一點就是臺灣廠商在1990年代和2000年代多采用代工模式。產(chǎn)能對代工廠的運營非?？简?，如何規(guī)劃產(chǎn)能的大小是令DRAM廠商頭痛的問題。當(dāng)產(chǎn)能過小，無法與IDM廠競爭，只有被使喚的份；當(dāng)你產(chǎn)能足夠大時，又引起IDM大廠的擔(dān)心，害怕雙方爭奪客戶。而重要點的一點就是IDM廠不可能把最先進(jìn)制程的DRAM產(chǎn)品交給代工廠生產(chǎn)。因此，DRAM代工模式在業(yè)界受到質(zhì)疑，中芯國際于2007年退出存儲器代工領(lǐng)域可能也此有關(guān)。

牢記前車之鑒，走自主研發(fā)正道

以銅為鏡，可以正衣冠；以史為鏡，可以知興替；以人為鏡，可以明得失。

回顧臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)三十年發(fā)展之路，從逐步放棄自主研發(fā)，到完全依賴外國企業(yè)技術(shù)授權(quán)，再到代工模式遭遇金融危機重創(chuàng)，最終落得滿盤皆輸。背后的原因和經(jīng)驗教訓(xùn)對正在發(fā)展DRAM產(chǎn)業(yè)的中國大陸有著借鑒和警示意味。

在自主研發(fā)和技術(shù)引進(jìn)兩條道路的選擇上，大陸也有許多精典案例，比如面板和LED，在半導(dǎo)體行業(yè)里也有同樣的案例，敗者的嗚咽之聲如猶在耳。

目前，中國存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展正在迎來關(guān)鍵的歷史機遇期。專家呼吁，在斥巨資打造宏偉產(chǎn)業(yè)的起步階段，必須充分吸取臺灣發(fā)展DRAM失敗的慘痛教訓(xùn)，千萬不能因為急功近利而走上依賴外商技術(shù)授權(quán)的歪路，給產(chǎn)業(yè)發(fā)展造成無法彌補的損失，這將是任何人都無法承擔(dān)的重大歷史責(zé)任。

黨的十八大以來，******在多個場合反復(fù)強調(diào)，核心技術(shù)受制于人是最大的隱患，而核心技術(shù)靠化緣是要不來的，只有自力更生。在國家大力布局存儲芯片產(chǎn)業(yè)的今天，這些話聽起來也非常具有針對性和前瞻性。

我們應(yīng)該牢記臺灣存儲產(chǎn)業(yè)失敗的慘痛歷史教訓(xùn)，把握住時代賦予的機會，堅持自主研發(fā)、埋頭苦干，不要尋找捷徑，不能讓“命門”落在別人手里，更別迷信“外人”開出的貽害無窮的技術(shù)授權(quán)的假藥方。

只有通過自主研發(fā)掌握核心技術(shù)，才有制勝法寶，才能把發(fā)展的主動權(quán)牢牢掌握在自己手中。這點從我國兩大晶圓代工公司的發(fā)展中得到了極好的證明。

中芯國際在尖端制造工藝研發(fā)上，堅持自主研發(fā)之路。本著一步一個腳印，掌握核心技術(shù)，技術(shù)延伸一代，研發(fā)一代，成熟一代，產(chǎn)業(yè)化一代的宗旨，中芯國際不僅實現(xiàn)了集成電路技術(shù)上的追趕，同時也將自己打造成中國集成電路的產(chǎn)業(yè)化航母。經(jīng)過17年的技術(shù)積累和沉淀，中芯國際已經(jīng)構(gòu)建完成相對完整的代工制造平臺，包括28納米（2014年量產(chǎn)）、40/45納米（2013年量產(chǎn)）、55納米（2012年量產(chǎn)）/65納米（2010年量產(chǎn)）先進(jìn)邏輯技術(shù)和90納米（2006年量產(chǎn)）、0.13/0.11微米、0.15/0.18微米、0.25微米、0.35微米成熟制程以及非揮發(fā)性存儲器、模擬/電源管理、LCD驅(qū)動IC、CMOS-MEMS等產(chǎn)品線。特別要提到完全自主獨立研發(fā)的SPOCULL工藝制程該，制程提供了在8寸半導(dǎo)體代工技術(shù)中最高的器件庫密度和最小的SRAM。同時SPOCULL技術(shù)還具有極低的漏電流，低功耗和低寄生電容的優(yōu)秀的半導(dǎo)體晶體管特性。

華虹宏力從2002年開始自主創(chuàng)“芯”路，成長為全球第一家關(guān)注功率器件的8英寸純晶圓代工廠。2002年到2010年，陸續(xù)完成先進(jìn)的溝槽型中低壓MOSFET/SGT/TBO等功率器件技術(shù)開發(fā)；2010年，高壓600V到700V溝槽型、平面型MOSFET工藝進(jìn)入量產(chǎn)階段；2011年第一代深溝槽超級結(jié)工藝進(jìn)入量產(chǎn)階段，同年1200V溝槽型NPT IGBT工藝也完成研發(fā)進(jìn)入量產(chǎn)階段；2013年，第2代深溝槽超級結(jié)工藝推向市場，同時600V到1200V溝槽場截止型IGBT（FDB工藝）也成功量產(chǎn)；2015年，進(jìn)一步優(yōu)化，推出2.5代超級結(jié)MOSFET工藝；2017年第三代超級結(jié)MOSFET工藝試生產(chǎn)。經(jīng)過多年研發(fā)創(chuàng)新和持續(xù)積累，華虹宏力得以有節(jié)奏地逐步推進(jìn)自主創(chuàng)芯進(jìn)程。截至2018年第4季度，作為全球最大的功率芯片純晶圓代工廠，華虹宏力8英寸MOSFET晶圓出貨已超過700萬片。值得強調(diào)的是，深溝槽型超級結(jié)MOSFET是華虹宏力自主獨立開發(fā)、擁有完全知識產(chǎn)權(quán)的創(chuàng)“芯”技術(shù)。

而在存儲方面，合肥長鑫的自主研發(fā)之路也取得階段性勝利。據(jù)***息顯示，長鑫存儲技術(shù)來源是奇夢達(dá)，安全可靠，并建立了嚴(yán)謹(jǐn)合規(guī)的研發(fā)體系，保障技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)一直按計劃推進(jìn)，已持續(xù)投入晶圓超過15000片，并結(jié)合當(dāng)前先進(jìn)設(shè)備完成了大幅度的工藝改進(jìn)，開發(fā)出獨有的技術(shù)體系，拉近了與世界先進(jìn)水平的技術(shù)差距。

人間正道是滄桑，小荷才露尖尖角；自主研發(fā)是正道，鑄我中華“芯”鐵軍！