推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），今日宣布其NCP51820高速門極驅(qū)動(dòng)器獲選為2019年度 “Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”。該年度獎(jiǎng)項(xiàng)是中國(guó)備受認(rèn)同的確定10大最具開(kāi)創(chuàng)性的設(shè)計(jì)及技術(shù)有顯著進(jìn)步的電源產(chǎn)品的行業(yè)基準(zhǔn)之一。

安森美半導(dǎo)體的NCP51820是技術(shù)先進(jìn)的方案，專為滿足驅(qū)動(dòng)離線、半橋電源拓?fù)渲性鰪?qiáng)型GaN器件的嚴(yán)格要求而設(shè)計(jì)。

該獲獎(jiǎng)器件提供許多獨(dú)特的特性，包括針對(duì)GaN優(yōu)化的調(diào)節(jié)門極驅(qū)動(dòng)輸出電壓和用于EMI噪聲調(diào)節(jié)的單獨(dú)的源極和汲極引腳。該驅(qū)動(dòng)器提供少于25 ns的短的傳輸延遲，先進(jìn)的電平移位技術(shù)使-3.5 V至+650 V （典型）共模電壓范圍用于高邊驅(qū)動(dòng)，-3.5 V 至 +3.5 V共模電壓范圍用于低邊驅(qū)動(dòng)。此外，該器件還支持驅(qū)動(dòng)器兩個(gè)輸出級(jí)穩(wěn)定的dV/dt運(yùn)行達(dá)200 V/ns，確保在高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的強(qiáng)固性能。

GaN技術(shù)有潛力提供更低的開(kāi)關(guān)損耗和更高的功率密度，但實(shí)現(xiàn)這些好處取決于有針對(duì)GaN優(yōu)化的、具有強(qiáng)固保護(hù)特性的門極驅(qū)動(dòng)電路。為了充分保護(hù)GaN功率晶體管的門極免受過(guò)壓應(yīng)力的影響，NCP51820的兩個(gè)驅(qū)動(dòng)級(jí)都采用專用的穩(wěn)壓器以精確保持柵源驅(qū)動(dòng)信號(hào)的幅值。安森美半導(dǎo)體的NCP51820還提供重要的保護(hù)功能，如獨(dú)立的欠壓鎖定（UVLO）、監(jiān)測(cè)器件工作電壓（VDD）的偏置電壓和高壓供電端（VDDH）及低壓供電端（VDDL）驅(qū)動(dòng)偏置，以及基于器件裸片結(jié)溫的熱關(guān)斷。