和改電阻法不同的是，改電壓法是在控制階段改變驅(qū)動(dòng)電壓來控制電壓電流過沖。改驅(qū)動(dòng)電壓的方法大概有兩種，一種是通過電阻分壓實(shí)現(xiàn)改驅(qū)動(dòng)電壓，另外一種是在控制芯片（DSPFPGA）中改變輸出信號(hào)，然后通過D/A芯片轉(zhuǎn)換為模擬量來改變驅(qū)動(dòng)電壓。改電壓法開通過程控制示意圖如圖2所示，實(shí)驗(yàn)波形如圖1所示。

改電壓法和改電阻法的開通過程控制方法基本一樣，控制階段是一樣的，從ICE上升開始，到上管反并二極管的反向恢復(fù)電流結(jié)束，只不過改電壓法是改驅(qū)動(dòng)電阻。

改電壓法關(guān)斷過程控制示意圖如圖4，實(shí)驗(yàn)波形如圖3。

和改電阻法一樣，關(guān)斷過程中改電壓法也是從VCE上升開始控制，直到ICE下降到接近0結(jié)束控制。

改電壓法化有多階段驅(qū)動(dòng)具有的優(yōu)點(diǎn)，前面已經(jīng)詳細(xì)介紹過了，其缺點(diǎn)化和改電阻法類似，下面介紹其缺點(diǎn)：

1：現(xiàn)有的改電壓法在控制階段改變驅(qū)動(dòng)電壓的方法有兩種，一種是通過開關(guān)（MOSFET）切換分壓電阻改變驅(qū)動(dòng)電壓；另一種是通過D/A芯片改變驅(qū)動(dòng)電壓。前者有著和改電壓法一樣的問題，控制開關(guān)的信號(hào)很難和功率回路隔離，信號(hào)易受功率回路噪聲影響，后者的問題是D/A芯片增加成本和電路復(fù)雜程度，同時(shí)增大了控制環(huán)路延時(shí)，影響反饋控制。

第二點(diǎn)是開通過程反饋控制難以實(shí)現(xiàn)，和改電阻法一樣，必須從ICE開始上升時(shí)就開始控制。否則會(huì)有兩種情況：1.如果驅(qū)動(dòng)電壓較高，和改電阻法一樣，ICE過沖會(huì)較高。2.如果驅(qū)動(dòng)電壓較低，則會(huì)使ICE下降甚至造成IGBT誤關(guān)斷。具體原因分析：

IGBT這個(gè)階段驅(qū)動(dòng)回路等效模型和分析改電阻法缺點(diǎn)中的等效模型一樣，如圖2.20所示。由于Rg很小，所以Ig比IgC要大很多，所以在分析改電壓法缺陷時(shí)可以忽略IgC的影響，這樣將等效模型再簡(jiǎn)化，就只有驅(qū)動(dòng)回路。由于Rg很小，所以要考慮驅(qū)動(dòng)回路寄生電感Lg的存在，簡(jiǎn)化模型如圖5。

如果控制時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓較高，由于驅(qū)動(dòng)回路寄生電感Lg的存在，Ig變小需要一段時(shí)間（大約幾十ns）。在這個(gè)階段，Vge仍然會(huì)以較快的速度上升，就無法將ICE的過沖降的很低。如果想要將ICE過沖控制的很低，就需要將驅(qū)動(dòng)電壓降的很低，甚至?xí)陀诋?dāng)前的Vge，這樣就會(huì)造成ICE下降，甚至?xí)斐烧`關(guān)斷，反而影響了IGBT的正常工作。為了IGBT能夠正常工作，控制階段的驅(qū)動(dòng)電壓至少要比控制前的Vge大，這樣就會(huì)無法將ICE過沖降得較低，在設(shè)計(jì)電路時(shí)仍然需要留有較大的IGBT電流裕量。

第三點(diǎn)是控制階段驅(qū)動(dòng)電壓Vcom很難改變，無法實(shí)現(xiàn)不同的控制效果（不同的電壓電流過沖）。有文獻(xiàn)提出在數(shù)字控制電路中加入D/A心片來改變Vcom的方法，但是這樣不僅增加成本，而且增加了控制環(huán)路的延時(shí)，有可能會(huì)導(dǎo)致控制不準(zhǔn)確甚至控制失效。不能算是一種好方法，實(shí)際應(yīng)用中也不可能這么用。