IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱(chēng),其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)組成,是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式開(kāi)關(guān)功率半導(dǎo)體器件,是實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心
發(fā)表于 09-22 16:54
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體,IGBT具有BJT的輸入特性和MOS管的輸出特性。 與BJT或MOS管相比,絕緣柵雙極型晶體管IGBT優(yōu)勢(shì)在于它提供了比標(biāo)準(zhǔn)雙極型晶體管更大的功率增益,以及更高工作電壓和更低MOS管輸入損耗。 0****1 **什么是
發(fā)表于 10-16 10:28
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本帖最后由 張飛電子學(xué)院郭嘉 于 2021-3-18 17:15 編輯
GBT 工作原理及應(yīng)用絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的保護(hù)引言絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管
發(fā)表于 03-17 11:59
IGBT的工作原理和作用是什么?IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是怎樣組成的?IGBT的特點(diǎn)有哪些?
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IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及特點(diǎn):本文通過(guò)等效電路分析,通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用,并精簡(jiǎn)的指出了IGBT的特點(diǎn)。
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調(diào)節(jié)輸出電能的形式,從而驅(qū)動(dòng)電機(jī),進(jìn)而驅(qū)動(dòng)車(chē)輛。這就是IGBT作為核心部件的工作原理。IGBT 功率模塊是逆變器的核心功率器件。逆變器用于驅(qū)動(dòng)電機(jī),為汽車(chē)運(yùn)行提供動(dòng)力。當(dāng)電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)
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igbt工作原理
IGBT 的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道,給 PNP 晶體管提供基極電流,使 IGBT 導(dǎo)通。反之,加反向門(mén)極電壓消除溝道,流過(guò)反向基極電流,使
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igbt工作原理及應(yīng)用
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的保護(hù)引言 絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件
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IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理
圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+ 區(qū)稱(chēng)為源區(qū),附于其上的電極稱(chēng)為源極。N+ 區(qū)稱(chēng)為漏區(qū)。器件
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講解IGBT的工作原理和作用
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本文首先介紹了IGBT概念及結(jié)構(gòu),其次介紹了IGBT工作原理及代換,最后介紹了它的應(yīng)用領(lǐng)域。
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本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理等資料合集說(shuō)明包括了:IGBT 的基本結(jié)構(gòu),IG
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領(lǐng)域。本文將對(duì)IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理進(jìn)行詳細(xì)介紹。 一、IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu) IGBT主要由
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IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件,常用于驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載的電路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)
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領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。 一、IGBT的結(jié)構(gòu)與工作原理 IGBT是三端器件,三個(gè)極為漏極(D)、柵極(G)和源極(S)。 當(dāng)柵極電壓為正時(shí),柵
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評(píng)論