如何管理設(shè)計(jì)中的DDR問題
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
DDR
+關(guān)注
關(guān)注
11文章
740瀏覽量
68017 -
網(wǎng)絡(luò)
+關(guān)注
關(guān)注
14文章
8022瀏覽量
92206 -
研討會(huì)
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
109瀏覽量
36511
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
DDR器件管腳說明
DDR是硬件設(shè)計(jì)的重要一環(huán)，作為一名硬件工程師除了對(duì)DDR基礎(chǔ)和原理要有了解外，最重要的也就是對(duì)DDR控制器的掌握。本文章從DDR外部管腳的角度進(jìn)行描述，學(xué)習(xí)
AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)技巧
本文緊接著前一個(gè)文檔《AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)技巧-數(shù)據(jù)線等長(zhǎng) 》。本文著重講解DDR地址線、控制信號(hào)線等長(zhǎng)設(shè)計(jì)，因?yàn)榈刂肪€、控制信號(hào)線有分支，SOC有可能帶有2片DDR或者更多，我們叫做T型分支
發(fā)表于 07-29 16:14
?2次下載
AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)技巧
的講解數(shù)據(jù)線等長(zhǎng)設(shè)計(jì)。? ? ? 在另一個(gè)文件《AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長(zhǎng)設(shè)計(jì)技巧-地址線T型等長(zhǎng)》中著重講解使用AD設(shè)計(jì)DDR地址線走線T型走線等長(zhǎng)處理的方法和技巧。
發(fā)表于 07-28 16:33
?2次下載
漲價(jià)！部分DDR4與DDR5價(jià)差已達(dá)一倍！
，近期同樣規(guī)格的16Gb產(chǎn)品中，DDR4 16Gb（1GX16）與DDR5 16G（2Gx8）的價(jià)格差距已達(dá)到1倍。 ? CFM閃存市場(chǎng)表示，去年三
DDR模塊的PCB設(shè)計(jì)要點(diǎn)
在高速PCB設(shè)計(jì)中，DDR模塊是絕對(duì)繞不過去的一關(guān)。無論你用的是DDR、DDR2還是DDR3，只要設(shè)計(jì)不規(guī)范，后果就是——信號(hào)反射、時(shí)序混亂
DDR3 SDRAM配置教程
DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，
DDR內(nèi)存控制器的架構(gòu)解析
DDR內(nèi)存控制器是一個(gè)高度集成的組件，支持多種DDR內(nèi)存類型（DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2），并通過精心設(shè)計(jì)的架構(gòu)來優(yōu)化內(nèi)存
三大內(nèi)存原廠或?qū)⒂?025年停產(chǎn)DDR3/DDR4
據(jù)報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費(fèi)級(jí)平臺(tái)的更新?lián)Q代
淺談DDR6 RAM設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
DDR6 RAM 是 目前DDR 迭代中的最新版本，最大的數(shù)據(jù)速率峰值超過 12000 MT/s。
DDR3、DDR4、DDR5的性能對(duì)比
DDR3、DDR4、DDR5是計(jì)算機(jī)內(nèi)存類型的不同階段，分別代表第三代、第四代和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM）。以下是它們之間的性能對(duì)比： 一、速度與帶寬 DDR
DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異
DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異 隨著技術(shù)的發(fā)展，內(nèi)存技術(shù)也在不斷進(jìn)步。DDR5內(nèi)存作為新一代的內(nèi)存技術(shù)，相較于DDR4內(nèi)存，在性能上有著顯著的提升。 1. 數(shù)據(jù)傳輸速率
DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 DDR5和DDR4的主要區(qū)別
的數(shù)據(jù)傳輸速率、更大的容量和更低的功耗。 2. DDR5內(nèi)存工作原理 DDR5內(nèi)存的工作原理基于雙倍數(shù)據(jù)速率技術(shù)，即在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù)。DDR5內(nèi)存通過提高數(shù)據(jù)傳輸速率、增加數(shù)據(jù)預(yù)取和優(yōu)化功耗
如何檢測(cè)DDR內(nèi)存性能
3、DDR4）、頻率（如1600MHz、2133MHz）和容量。 主板兼容性 ：確保內(nèi)存條與主板兼容，查看主板說明書或官網(wǎng)支持的內(nèi)存規(guī)格。 1.2 檢查內(nèi)存安裝 正確安裝 ：確保內(nèi)存條正確安裝在主板的內(nèi)存插槽中，避免接觸不良。 雙通道配置 ：如果主板支持雙通道，確保內(nèi)存條
如何選擇DDR內(nèi)存條 DDR3與DDR4內(nèi)存區(qū)別
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)也在不斷發(fā)展。DDR（Double Data Rate）內(nèi)存條作為計(jì)算機(jī)的重要組成部分，其性能直接影響到電腦的運(yùn)行速度和穩(wěn)定性。DDR3和DDR4是目前市場(chǎng)上最常
一文讀懂DDR內(nèi)存基礎(chǔ)知識(shí)
無論對(duì)于芯片設(shè)計(jì)商還是器件制造商來說，DDR內(nèi)存可謂是無處不在——除了在服務(wù)器、工作站和臺(tái)式機(jī)中之外，還會(huì)內(nèi)置在消費(fèi)類電子產(chǎn)品、汽車和其他系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。每一代新的 DDR（雙倍數(shù)據(jù)速率）
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論