在近日于美國硅谷舉行的年度Hot Chips大會上，IBM為預(yù)計2020年問世的Power 9處理器定義了一個新接口──該開放內(nèi)存接口(Open Memory Interface，OMI)能實現(xiàn)在一臺服務(wù)器上以高于DDR的帶寬搭載更多主存儲器，也是一個能與GenZ與英特爾(Intel)的CLX分庭抗禮的Jedec標(biāo)準(zhǔn)潛在候選。

OMI基本上是將內(nèi)存控制器從主機上移出，轉(zhuǎn)而依賴在相對較小型的DIMM板卡上的控制器；Microchip旗下的Microsemi已經(jīng)有一款DDR控制器在IBM實驗室的板卡上運作。這種方法號稱能在一臺服務(wù)器上支持4TB容量內(nèi)存、傳輸速率達320GBps，或是512GB容量內(nèi)存、最小持續(xù)傳輸速率為650GBps。
這種結(jié)果需要付出的代價是，在Microchip的控制器芯片中添加了至少4納秒(nanosceonds)的延遲，耗散功率約4W，其中有一半是藉由將DDR PHY從主機中移除來減輕。IBM預(yù)想未來的控制器能讓OMI結(jié)合圖像處理器DRAM，成為越來越受歡迎，但價格較高、功率消耗也很大的HBM堆棧。
此外根據(jù)IBM處理器架構(gòu)師William Starke的說法，該方案大約80納秒的延遲，使其成為能替代延遲可能高達400納秒的GenZ之具吸引力方案。
OMI是以IBM Power 9先進I/O (Advanced I/O，AIO)芯片中的96信道25G serdes為基礎(chǔ)；這種serdes提供高達600GBps的帶寬，能被彈性配置為支持OMI、新一代的Nvidia圖像處理器互連接口NVLink，或是IBM為其他加速器打造的OpenCAPI 4.0接口。

Microchip的OMI控制器在IBM實驗室的運作功耗為4W。


IBM的下一代Power 10處理器，將轉(zhuǎn)向采用32~50G serdes以繼續(xù)強化I/O與加速，其技術(shù)藍圖顯示，賽靈思(Xilinx)等合作伙伴不會再取得IBM的加速器專屬緩存一致性互連(cache-coherent interconnect，CCIX)支持；CCIX是與英特爾CLX競爭的方案。

一位Hot Chips與會者表示，由此產(chǎn)生的Power 9互連，類似于英特爾針對下一代處理器所開發(fā)的CLX。而IBM的Starke則表示，英特爾可能會把CLX同時運用于加速器以及Optane儲存級內(nèi)存。

針對DDR內(nèi)存，OMI藉由將控制器移出主機減輕了冷卻任務(wù)，也簡化了處理器設(shè)計；市場研究機構(gòu)TIrias Research資深分析師Kevin Krewell表示，這種方法類似AMD在Epyc服務(wù)器處理器封裝中，利用獨立的小芯片(chiplet)做為控制器；“這是切割該技術(shù)的另一種方法?！?br />
IBM的Power AIO是一款14納米芯片，支持48信道的PCIe 4.0；預(yù)計2021年推出的Power 10會采用全新的工藝節(jié)點、新的核心與晶體管設(shè)計，支持PCIe 5.0以及800GBps的最小持續(xù)傳輸速率。

然而IBM雖保有強勁的技術(shù)雄心，其市場影響力正逐漸式微；根據(jù)市場研究機構(gòu)IDC的統(tǒng)計數(shù)字，Power架構(gòu)在2019年第一季的服務(wù)器處理器市場上僅有0.190%的占有率，比去年同期的0.219%又下滑了些許。