搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過PSA 4級認證
發(fā)表于 10-09 15:57
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基礎(chǔ),將其定位為平面柵碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)的一次重要演進,其目標不僅在于追趕,更在于在特定性能維度上超越市場現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代(B3M)平臺概述 B3M系列是基本半導體推出的第三代
發(fā)表于 10-08 13:12
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BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
發(fā)表于 07-10 17:48
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第三代半導體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
發(fā)表于 06-19 14:21
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隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導體材料的研究與應(yīng)用不斷演進。傳統(tǒng)的硅(Si)半導體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導體材料應(yīng)運而生。第三代半導體主要包括氮化鎵(GaN
發(fā)表于 05-22 15:04
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隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進一步推動算力需求,服務(wù)器電源效率需達97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇,瑞能半導體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
發(fā)表于 05-22 13:58
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,這一革新使電池儲電能力顯著增強,能量密度提升 15%。在相同體積下,它能儲存更多電能,為手機制造商打造輕薄產(chǎn)品提供了技術(shù)支撐。 ? 彭博社指出,蘋果和三星是 TDK 的主要客戶,各自貢獻了公司約 10% 的總收入。第三代硅陽極電池的推
發(fā)表于 05-19 03:02
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一、引言隨著科技的不斷發(fā)展,功率半導體器件在電力電子系統(tǒng)、電動汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來,第三代寬禁帶功率半導體器件以其獨特的高溫、高頻、高耐壓等特性,逐漸
發(fā)表于 02-15 11:15
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-230:第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加.pdf》資料免費下載
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近年來,在消費電子需求帶動下,加上新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏、風電、工業(yè)控制等產(chǎn)業(yè)的興起,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體廠商發(fā)展迅速。
發(fā)表于 01-04 09:43
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隨著科技的發(fā)展,第三代半導體產(chǎn)業(yè)正處于快速擴張階段。在全球范圍內(nèi),各國都在加大對第三代半導體的投入,建設(shè)了眾多新的晶圓廠和生產(chǎn)線。如中國,多地都有相關(guān)大型項目規(guī)劃與建設(shè),像蘇州的國家第三代半導體
發(fā)表于 12-27 16:15
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當前,第三代半導體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中,新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導體技術(shù)推進的重要動力之一,新能源汽車需要高效、高密度的功率器件來實現(xiàn)更長的續(xù)航里程和更優(yōu)的能量管理。
發(fā)表于 12-16 14:19
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? 第三代寬禁帶功率半導體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢,且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對其進行簡單介紹。 以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶化合物半導體
發(fā)表于 12-05 09:37
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近期發(fā)布了采用N型TOPCon技術(shù)的第三代Tiger Neo系列產(chǎn)品后, 關(guān)于這款極具競爭力的產(chǎn)品,小編挑選了大家最為關(guān)心的10個問題進行解答。
發(fā)表于 11-12 10:19
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隨著科技的發(fā)展,半導體技術(shù)經(jīng)歷了多次變革,而第三代半導體材料的出現(xiàn),正在深刻改變我們的日常生活和工業(yè)應(yīng)用。
發(fā)表于 10-30 11:24
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