根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，日前在國(guó)際電子元件會(huì)議（International Electron Devices Meeting，IEDM）大會(huì)上，晶圓代工龍頭臺(tái)積電官方披露了5納米制程的最新進(jìn)展。

而根據(jù)公布的資料顯示，5納米制程將會(huì)是臺(tái)積電的再一個(gè)重要制程節(jié)點(diǎn)，其中將分為N5、N5P兩個(gè)版本。N5相較于當(dāng)前N7的7納米制程，性能要再提升15%、功耗降低30%。N5P則將在N5的基礎(chǔ)上再將性能提升7%、功耗降低15%。

報(bào)導(dǎo)指出，臺(tái)積電的5納米將使用第五代FinFET電晶體技術(shù)，EUV極紫外光刻技術(shù)也提升到10多個(gè)光刻層，整體電晶體密度提升84%。換句話說(shuō)，以7納米是每平方公厘9，627萬(wàn)個(gè)電晶體計(jì)算，則5納米就將是每平方公里有1.771億個(gè)電晶體。

同時(shí)，臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)，目前5納米制程正在進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段，而測(cè)試芯片的良率平均已達(dá)80%，最高良率可超過(guò)90%，只是，相對(duì)來(lái)說(shuō)，這些測(cè)試芯片的架構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，要真的生產(chǎn)移動(dòng)或個(gè)人電腦處理器芯片上，目前良率可能還有些差距。不過(guò)，臺(tái)積電目前并沒(méi)有公開(kāi)正式數(shù)據(jù)。

另外，臺(tái)積電還公布了5納米制程下的CPU和GPU芯片的電壓、頻率相對(duì)關(guān)系。目前CPU通過(guò)測(cè)試的最低值是0.7V/1.5GHz，最高可以做到1.2V/3.25GHz，而GPU方面則是最低0.65V/0.66GHz，而最高則是達(dá)到1.2V/1.43GHz。這些公布的結(jié)果都是初期的報(bào)告，未來(lái)正式投產(chǎn)之后，后續(xù)將還會(huì)提升。

根據(jù)先前相關(guān)外資所進(jìn)行的預(yù)估，臺(tái)積電的5納米制程將在2020年上半年，甚至最快在2020年第1季末就會(huì)投入大規(guī)模量產(chǎn)，相關(guān)芯片產(chǎn)品將在2020年晚些時(shí)候陸續(xù)登場(chǎng)。

而包括蘋(píng)果A14、華為海思麒麟系列新一代處理器，以及AMD Zen4架構(gòu)第四代銳龍（Ryzen）個(gè)人電腦處理器都將會(huì)采用。而初期的產(chǎn)能規(guī)劃每月4.5萬(wàn)片，而未來(lái)將逐步拉高到8萬(wàn)片的數(shù)字，只是初期的產(chǎn)能將可能由蘋(píng)果吃下70%，其余的就由華為海思包下。
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