近日，咱們家推出了業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM---“MB85AS8MT”(超高密度&極低功耗，富士通全新8Mbit ReRAM讓魚和熊掌得兼)，兼具“高密度位存取”及“低讀取電流”的特色，很給力有木有！熟悉富士通的小伙伴一定不會(huì)忘記獨(dú)具特色的FRAM，以及最新的NRAM，嵌入式存儲(chǔ)同門三兄弟，大家都分得清嗎？

眾所周知，富士通電子以讀寫次數(shù)幾乎不受限、超低功耗和超高讀寫速度的FRAM存儲(chǔ)器近年來在各種市場(chǎng)獲得廣泛應(yīng)用，然而目前的硬件廠商更多針對(duì)特定任務(wù)對(duì)存儲(chǔ)的需求日趨多樣化。技術(shù)的多樣性正在為各種應(yīng)用帶來類似 “定制化”的更優(yōu)化設(shè)計(jì)選項(xiàng)。而嵌入式系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域也是如此，以不同獨(dú)特性能的各種存儲(chǔ)技術(shù)正在為許多應(yīng)用需求提供“定制化”的方案，其中富士通在FRAM、NRAM以及ReRAM技術(shù)上已經(jīng)能夠提供具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)的細(xì)分化解決方案。

今天，小編就跟大家聊聊富士通新一代存儲(chǔ)技術(shù)的這套三連“組合拳”。

近乎無(wú)限次寫入數(shù)據(jù)——叱咤市場(chǎng)20年的FRAM

富士通自1999年開始生產(chǎn)FRAM，亦稱為FeRAM。FRAM是一種采用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應(yīng)來進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器，既可以做到像SRAM的隨機(jī)讀取，又具備像Flash和EEPROM一樣掉電后重要數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)保存的特點(diǎn)，F(xiàn)RAM結(jié)合了ROM和RAM的特性，并擁有高速寫入數(shù)據(jù)、低功耗和高速讀寫周期的優(yōu)點(diǎn)，保證10萬(wàn)億次的讀寫次數(shù)，最適用于需要實(shí)時(shí)記錄數(shù)據(jù)的測(cè)量?jī)x表應(yīng)用。

即使電源系統(tǒng)發(fā)生停電或驟降，寫入操作中的數(shù)據(jù)也可被完整地保護(hù)下來。在如電表等基礎(chǔ)生活有關(guān)的相關(guān)的測(cè)量?jī)x表，以及要求有高可靠性的工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備，金融終端等應(yīng)用中， FRAM 得到了非常廣泛的認(rèn)可和使用。

極低功耗支持頻繁讀取——小型化趨勢(shì)的ReRAM

ReRAM亦稱作可變電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是一種非易失性存儲(chǔ)器，通過向金屬氧化物薄膜施加脈沖電壓，產(chǎn)生大的電阻差值來存儲(chǔ)“0”和“1”。其結(jié)構(gòu)非常簡(jiǎn)單，兩側(cè)電極將金屬氧化物包夾于中間，這簡(jiǎn)化了制造工藝，同時(shí)可實(shí)現(xiàn)低功耗和高速重寫等卓越性能。此存儲(chǔ)器具備行業(yè)最低讀取電流,非常適用于可穿戴設(shè)備和助聽器。

富士通的 ReRAM 產(chǎn)品易于寫入操作，在寫入操作之前，不需要擦除操作，并且擁有豐富的中密度存儲(chǔ)線，涵蓋4Mbit、8Mbit、32Mbit。同時(shí)，最新的ReRAM產(chǎn)品“MB85AS8MT”在5MHz 的讀出操作最大電流僅為0.15mA，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于同樣條件的 EEPROM (3mA@5MHz)。

可穿戴設(shè)備和小型醫(yī)療設(shè)備一直是 ReRAM 的主要市場(chǎng)，為了使用可穿戴和醫(yī)療設(shè)備小型化和低功耗的要求，富士通的 ReRAM 的產(chǎn)品也將向小型化方向發(fā)展。

高速低功耗非易失性存儲(chǔ)——高耐久低成本的NRAM

BCC Research預(yù)計(jì)，全球NRAM市場(chǎng)將從2018年到2023年實(shí)現(xiàn)62.5%的復(fù)合年成長(zhǎng)率(CAGR)，其中嵌入式系統(tǒng)市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在2023年成長(zhǎng)至2.176億美元，CAGR高達(dá)115.3% 。

作為一個(gè)比較“新”的產(chǎn)品，NRAM之所以能很快引起市場(chǎng)的注意，與NRAM獨(dú)有的優(yōu)勢(shì)分不開——NRAM讀寫的速度比較快，讀寫耐久性比NOR Flash高了1000倍?？煽啃愿撸?0度時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)限高達(dá)1000年，在300度時(shí)亦可達(dá)到10年。與此同時(shí)還具有低功耗的特點(diǎn)。此前，富士通曾與 Nantero 達(dá)成協(xié)議，使用三重富士通的 300mm 晶圓，共同開發(fā) 55nm CMOS 技術(shù)的 NRAM。

高性能的 NRAM 在眾多應(yīng)用領(lǐng)域擁有明顯的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)：

· 可應(yīng)用于任何系統(tǒng)：NRAM 不但是非易失性存儲(chǔ)器，又具有與 DRAM 同等的高速特點(diǎn)；

· 可實(shí)現(xiàn) instant on（即開即用）功能，降低功耗的同時(shí)提高了系統(tǒng)的性能；

· 適應(yīng)于逐漸增長(zhǎng)的高溫環(huán)境市場(chǎng)需求。

作為NRAM的第一代產(chǎn)品，16Mbit的DDR3 SPI接口產(chǎn)品最快將于2020年底上市，勢(shì)必引發(fā)存儲(chǔ)行業(yè)的新一輪變革。

結(jié)論：

作為已經(jīng)批量生產(chǎn)推向市場(chǎng)超過20年的產(chǎn)品，F(xiàn)RAM依然是富士通存儲(chǔ)解決方案當(dāng)前的明星“花旦”，ReRAM和NRAM將為嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)全方位解決方案提供完美補(bǔ)充。簡(jiǎn)略地講，F(xiàn)RAM 用于數(shù)據(jù)記錄；ReRAM可替代大容量EEPROM；NRAM 用于數(shù)據(jù)記錄和電碼儲(chǔ)存，還可替代NOR Flash。