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Boost電路的簡單設(shè)計

電源聯(lián)盟 ? 來源:電源聯(lián)盟 ? 2026-01-27 17:01 ? 次閱讀
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Boost電路的簡單設(shè)計

Boost 電路的原理圖如下圖所示

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當(dāng)MOSFET開通時,電源給電感L充電,電感儲能,電容放電。電感上的電流增加量(電感線圈未飽和時)為:

e53537e0-fa9e-11f0-92de-92fbcf53809c.png

其中:D為占空比,T為開關(guān)周期。

當(dāng)MOSFET關(guān)斷時,電感放電,電感的能量通過二極管傳遞到負(fù)載。電感上的電流不斷減小,忽略二極管的壓降,則電流變化為:

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電感電流連續(xù)模式時,在穩(wěn)態(tài)條件下,電感上的電流增加等于其電流減小,即

e5f2731e-fa9e-11f0-92de-92fbcf53809c.png

于是整理可得:

e64cf23a-fa9e-11f0-92de-92fbcf53809c.png

因為0

電感電流非連續(xù)模式時,MOSFET開通狀態(tài)下,電感電流的增值為:

e6a843b0-fa9e-11f0-92de-92fbcf53809c.png

MOSFET關(guān)斷狀態(tài)下,電感電流的下降值為:

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電感電流上升值等于下降值,即

e762099e-fa9e-11f0-92de-92fbcf53809c.png

整理得:

e7bdef8e-fa9e-11f0-92de-92fbcf53809c.png

因為在此模式下電感電流是不連續(xù)的,所以每個周期電感電流都會下降至零。輸出電流等于電感電流的平均值,即

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由此可以看出,對于Boost電路,電感電流連續(xù)模式與電感電流非連續(xù)模式有很大的不同,非連續(xù)模式輸出電壓與輸入電壓,電感,負(fù)載電阻,占空比還有開關(guān)頻率都有關(guān)系。而連續(xù)模式輸出電壓的大小只取決于輸入電壓和占空比。

輸出濾波電容的選擇

開關(guān)電源中,輸出電容的作用是存儲能量,維持一個恒定的電壓。Boost電路的電容選擇主要是控制輸出的紋波在指標(biāo)規(guī)定的范圍內(nèi)。對于Boost電路,電容的阻抗和輸出電流決定了輸出電壓紋波的大小。電容的阻抗由三部分組成,即等效串聯(lián)電感(ESL),等效串聯(lián)電阻(ESR)和電容值(C)。

在電感電流連續(xù)模式中,電容的大小取決于輸出電流、開關(guān)頻率和期望的輸出紋波。在MOSFET開通時,輸出濾波電容提供整個負(fù)載電流。在Boost電路中,為了滿足期望的輸出紋波電壓,電容值可以按下式選取

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其中:Iomax為較大的輸出電流;

Dmax為較大的占空比

對電感電流非連續(xù)模式,電容為

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在實際設(shè)計中,由于電容的ESR,為了保證較小的紋波電壓,必須要選擇更大容值的電容。

在電感電流連續(xù)模式中,假設(shè)電容值足夠大以至于可以忽略。就要有足夠小的ESR來限制輸出的電壓紋波。

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在電感電流非連續(xù)模式下:

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紋波電流通過電容的ESR中會產(chǎn)生功率損耗,這個損耗會使電容內(nèi)部的溫度上升。過度的溫升會大大縮短電容的使用壽命。在不同的環(huán)境溫度下,電容都有額定的紋波電流。通過電容的電流不能超過其額定值。通過輸出電容電流的有效值為

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ESL可以通過選用低ESL的電容,限制引線線長度(PCB以及電容),和采用多個小電容并聯(lián)的形式來控制它的大小。

有三種低阻抗的電容,鋁、有機半導(dǎo)體和固體鉭電容都適合于一般低成本的商業(yè)領(lǐng)域。低阻抗鋁電解電容成本低,在較小的封裝下可以提供更大的容量。但其ESR比較大。有機半導(dǎo)體電解電容在工業(yè)電源中用的越來越普遍。它可以提供較小的ESR和比較大的容量。固體鉭電容可以提供低的ESR和ESL以及比較大的容量。在開關(guān)電源中是比較理想的選擇。

在開關(guān)電源中,電感的作用是存儲能量。電感的作用是維持一個恒定的電流,或者說,是限制電感中電流的變化。

在Boost電路中,選擇合適電感量通常用來限制流過它的紋波電流。電感的紋波電流正比于輸入電壓和MOSFET開通時間,反比于電感量。電感量的大小決定了連續(xù)模式和非連續(xù)模式的工作點。

除了電感的感量外,選擇電感還應(yīng)注意它較大直流或者峰值電流,和較大的工作頻率。電感電流超過了其額定電流或者工作頻率超過了其較大工作頻率,都會導(dǎo)致電感飽和及過熱。

磁器件廠家提供了很多的電感都可用于DC/DC變換器。開關(guān)電源中最常用的磁心是鐵氧體和電工鐵。

由于電感繞線的直流電阻,電流通過時產(chǎn)生電感銅損。同時,由于電感的交流電流會導(dǎo)致磁通交變,產(chǎn)生磁損。功率損耗會引起電感的溫度上升,過度的溫升會使導(dǎo)線的絕緣降低。

Boost電路中,電感的損耗可以由下式計算

ea5091c0-fa9e-11f0-92de-92fbcf53809c.png

其中:Rcu為繞線電阻;

Pcore為磁損,可以有磁心廠家的數(shù)據(jù)手冊中查到。

在小功率的DC/DC變化中,Power MOSFET是最常用的功率開關(guān)。MOSFET的成本比較低,工作頻率比較高。設(shè)計中選取MOSFET主要考慮到它的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。要求MOSFET要有足夠低的導(dǎo)通電阻RDS(ON)和比較低的柵極電荷Qg。

MOSFET的耗散功率可以由下式計算

eaa9dca8-fa9e-11f0-92de-92fbcf53809c.png

選擇續(xù)流二極管的重要的標(biāo)準(zhǔn)是:開通速度、擊穿電壓、額定電流、正向?qū)妷?。開關(guān)電源中,通常選擇低正向?qū)妷旱?a target="_blank">肖特基二極管。

續(xù)流二極管的損耗計算:

eb07dbfa-fa9e-11f0-92de-92fbcf53809c.png

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原文標(biāo)題:Boost電路的簡單設(shè)計

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