國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）上修2019年全球晶圓廠設(shè)備支出金額至566億美元（單位下同），以及上修2020年晶圓設(shè)備投資預(yù)測(cè)至580億美元，顯示整體市場(chǎng)轉(zhuǎn)趨樂(lè)觀。

全球行銷長(zhǎng)暨***區(qū)總裁曹世綸點(diǎn)名，存儲(chǔ)器設(shè)備支出力道激增是扭轉(zhuǎn)全球晶圓廠設(shè)備支出放緩的關(guān)鍵。他表示，經(jīng)歷上半年衰退，下半年來(lái)晶圓廠設(shè)備支出成長(zhǎng)主要來(lái)自于先進(jìn)邏輯芯片制造與晶圓代工業(yè)者對(duì)存儲(chǔ)器，尤其3D NAND的投資挹注持續(xù)成長(zhǎng)所致。SEMI預(yù)估，2018-2019年，晶圓廠設(shè)備投資僅下滑7%，較先前預(yù)測(cè)的大幅下滑18%獲顯著改善。

SEMI分析，整體設(shè)備支出分別在2018年下半年及2019年上半年下降10%及12%，其中下滑主因來(lái)自全球存儲(chǔ)器設(shè)備支出萎縮。2019上半年存儲(chǔ)器設(shè)備投資下滑達(dá)38%，跌破100億元關(guān)卡；其中又以3D NAND設(shè)備投資縮減57%最慘烈；DRAM設(shè)備投資則在2018下半年及2019上半年分別衰退12%。

然而下半年來(lái)，在臺(tái)積電、英特爾引領(lǐng)下，先進(jìn)邏輯芯片制造與晶圓代工業(yè)者投資預(yù)估將攀升26%，同一時(shí)期3D NAND支出估將大幅成長(zhǎng)逾7成。盡管今年上半年對(duì)DRAM投資持續(xù)下降，但7月份來(lái)降幅已較和緩。

展望2020年，SEMI預(yù)測(cè)，在索尼建廠計(jì)劃帶動(dòng)下，上半年圖像感測(cè)器（CMOS）投資可望增長(zhǎng)20%，下半年劇增逾9成，達(dá)16億元高峰；另外，英飛凌、意法半導(dǎo)體和博世的投資計(jì)劃下，電源管理元件上半年投資預(yù)計(jì)大幅增長(zhǎng)40%以上，下半年再增29%，金額上看近17億元。