如今科技能有如此巨大的發(fā)展，離不開半導(dǎo)體材料。我們知道二極管、三級管是常用的一種，其實半導(dǎo)體材料的器件還有很多，今天我們就來講講其中的一種：晶閘管。

晶閘管的應(yīng)用場景非常廣泛，在發(fā)電站就是其中一個場景。在高壓直流輸電中，必須借助轉(zhuǎn)換站將大量的交流電轉(zhuǎn)換為直流電（為此，我找了一個發(fā)電廠交直流傳輸?shù)奈恼?，在今天?欄文章）。之后，直流電被傳輸?shù)接脩簟＿@項重要的轉(zhuǎn)換任務(wù)由稱為“晶閘管”的獨特半導(dǎo)體開關(guān)設(shè)備執(zhí)行，更具體地說，由硅控整流器執(zhí)行。

學(xué)習(xí)晶閘管之前，可以先看下我之前寫過的一篇文章：三極管來源，及NPN與PNP區(qū)別。

一、晶閘管介紹

晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；

---來自百度百科

如下圖，不同的半導(dǎo)體開關(guān)器件，例如二極管和晶體管。同樣和這些器件一樣，晶閘管也是一種開關(guān)器件。所有這些開關(guān)裝置均由眾所周知的硅半導(dǎo)體材料制成，晶閘管由N和P區(qū)域的4個交替層組成。

要了解為什么使用晶閘管，讓我們看一下普通晶體管BJT）的工作原理。 二、BJT工作原理BJT：Bipolar Junction Transistor 雙極結(jié)型晶體管。 如下圖，當連接主電源時，我們會觀察到晶體管的一個結(jié)點總是反向偏置。

要接通晶體管，我們只需在發(fā)射極和基極端子之間連接一個次級電壓源，就可以導(dǎo)通晶體管了。如下圖：

如果我們移除次級電源，則晶體管將關(guān)閉，因為它需要連續(xù)的次級電源。

但是，在大功率應(yīng)用期間（比如發(fā)電站），需要連續(xù)的基本電流供應(yīng)，會導(dǎo)致巨大的功率損耗。

為了克服這個問題，1950年，William Shockley提出了一種非常有趣的電源開關(guān)，稱為晶閘管。

在晶閘管中，與晶體管不同，不需要這種連續(xù)的次級電源。觸發(fā)后，即使你移除次級電源，晶閘管仍將繼續(xù)工作（如下圖）。

要了解晶閘管的工作原理，需要了解一下晶體管的工作原理：

三、晶閘管工作原理有了晶體管的基礎(chǔ)知識，我們就可以了解晶閘管的工作原理。

如果硅結(jié)構(gòu)晶片摻雜有四種交替形式的P和N型，則會產(chǎn)生晶閘管。在此，耗盡區(qū)的形成也發(fā)生在結(jié)處。無論采用哪種方式在晶閘管中施加電壓，總會有至少一個反向偏置結(jié)，如下圖：

門極觸發(fā)

在晶閘管中，一種有效且流行的方法稱為“門極觸發(fā)”。我們將次級電源連接到柵極和陰極端子。該次級電源將大量電子注入P區(qū)域。隨著該過程的繼續(xù)，P區(qū)變得充滿電子，如下圖：

現(xiàn)在，電子已成為該區(qū)域的多數(shù)電荷載流子。簡而言之，P區(qū)域最終成為N區(qū)域，這個新的N區(qū)域?qū)?dǎo)致耗盡區(qū)域自動減小。 由于P區(qū)域已成為新的N區(qū)域，由于柵極觸發(fā)，底側(cè)的三個區(qū)域共同成為一個大N區(qū)域?，F(xiàn)在，晶閘管的結(jié)構(gòu)看起來像一個PN結(jié)二極管。

四、如何關(guān)閉晶閘管？

關(guān)閉晶閘管的方法是在晶閘管兩端施加反向電壓，如下圖：

實現(xiàn)此目的的最有效方法是使用LC振蕩器。在LC振蕩器中，能量交換發(fā)生在電容器和電感器之間。