近日，中科院對外宣布，中國科學家研發(fā)除了新型垂直納米環(huán)柵晶體管，這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術候選。這意味著此項技術成熟后，國產(chǎn)2nm芯片有望成功“破冰”，意義重大。

目前最為先進的芯片制造技術為7nm＋Euv工藝制程，比較出名的就是華為的麒麟990 5G芯片，內(nèi)置了超過100億個晶體管。麒麟990首次將將5G Modem集成到SoC上，也是全球首款集成5G Soc，技術上的確實現(xiàn)了巨大突破，也是國產(chǎn)芯片里程碑式的意義。

而繼華為之后，中科院研發(fā)出了2nm及以下工藝所需要的新型晶體管——疊層垂直納米環(huán)柵晶體管。據(jù)悉，早在2016年官方就開始針對此類技術開展相關研究，歷經(jīng)重重困難，中科院斬獲全球第一，研發(fā)出世界上首個具有自對準柵極的疊層垂直納米環(huán)柵晶體管。

同時這一專利還獲得了多項發(fā)明專利授權，中科院的這項研究成果意義很大，這種新型垂直納米環(huán)柵晶體管被視為2nm及以下工藝的主要技術候選，可能對國產(chǎn)芯片制造有巨大推動作用。如今在美國企業(yè)的逼迫下，國產(chǎn)企業(yè)推進自主可控已成為主流意識，市場空間將被進一步打開。相信在5年的時間內(nèi)，在技術方面將實現(xiàn)全面突破。切斷對于華為的技術提供，這將是中國整體研發(fā)芯片的一個里程碑式轉折，中國將不再過于依賴美國所提供的相關芯片及其技術。