據(jù)中國化工報報道，由大慶溢泰半導體材料有限公司（以下簡稱“溢泰半導體”）投資建設的國內(nèi)首個化合物半導體新材料產(chǎn)業(yè)園區(qū)一期項目預計1月底全部建成達產(chǎn)。

報道指出，該化合物半導體材料產(chǎn)業(yè)園是大慶市重點招商引資項目，其中一期年產(chǎn)240萬片4英寸光電用砷化鎵晶片項目，目前已進入邊安裝、邊調(diào)試、邊投入使用階段。

根據(jù)溢泰半導體2019年4月公布的年產(chǎn)240萬片4英寸砷化鎵拋光片項目公眾參與說明顯示，年產(chǎn)240萬片4英寸砷化鎵拋光片項目總投資2.5億元。

當前，作為半絕緣砷化鎵下游產(chǎn)業(yè)的砷化鎵集成電路業(yè)市場平均增長近年都在40%以上，砷化鎵射頻器件市場具有30%的年增長，加之衛(wèi)星通訊系統(tǒng)和車載雷達用砷化鎵單晶的潛在市場，半絕緣砷化鎵的需求前景較好。

溢泰半導體表示，年產(chǎn)240萬片4英寸砷化鎵拋光片項目產(chǎn)品是砷化鎵拋光片，砷化鎵高速半導體器件具有優(yōu)異的物理性能，其在微波集成電路領域、高壓和高功率領域得到了廣泛應用。本項目的投資建設，順應了國家集成電路產(chǎn)業(yè)政策導向，符合國家對集成電路產(chǎn)業(yè)的扶持政策及產(chǎn)業(yè)發(fā)展的實際需求。

據(jù)黑龍江日報此前報道，溢泰化合物半導體新材料產(chǎn)業(yè)園計劃投資21億元，規(guī)劃建設年產(chǎn)240萬片4英寸光電用砷化鎵晶片、36萬片6英寸微電用砷化鎵晶片、120萬片2英寸磷化銦晶片、6萬片6英寸碳化硅晶片、120萬片2英寸鉭酸鋰晶片、化合物半導體新材料研發(fā)中心等6個子項目，全部投產(chǎn)年可實現(xiàn)銷售收入28億元。
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