中興官宣AXON 10s Pro標配LPDDR5內(nèi)存及UFS 3.0閃存 且最高配備12GB內(nèi)存+512GB存儲
今天“LPDDR5”成為微博熱詞。
2月6日消息，中興呂錢浩為AXON 10s Pro預(yù)熱。
呂錢浩表示，中興AXON 10s Pro標配LPDDR5內(nèi)存及UFS 3.0閃存。它不僅帶來倍增的更快讀寫速度、兩倍帶寬，更帶來更快的響應(yīng)速度、更高的糾錯可靠性，同時功耗卻大幅度降低。
比2019年旗艦采用的LPDDR4，LPDDR5內(nèi)存從3200Mbp提升到5500Mbps，每秒可傳送44GB數(shù)據(jù)。LPDDR5采用16 Bank可編程和多時鐘體系結(jié)構(gòu)，引入了Data-Copy和Write-X指令來降低功耗，還有鏈路ECC糾錯。
更重要的是，AXON 10s Pro采用的Wi-Fi 6(802.11ax Wi-Fi)主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，最高速率可達9.6Gbps。同時Wi-Fi 6減少了保持天線通電以傳輸和搜索信號所需的時間，極大減少電池消耗并改善電池續(xù)航表現(xiàn)。
可以說Wi-Fi 6標準的啟用，也將給Wi-Fi技術(shù)帶來一次“技術(shù)延壽”和競爭力的大幅提升，將帶來“一個新的Wi-Fi時代”。
核心配置上，中興AXON 10s Pro采用6.47英寸顯示屏，最高配備12GB內(nèi)存+512GB存儲，前置2000萬像素，后置4800萬三攝，電池容量為4000mAh。
責(zé)任編輯：wv
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
中興
+關(guān)注
關(guān)注
6文章
2001瀏覽量
69247
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
Amphenol DDR5/LPDDR5 CAMM2連接器：高性能內(nèi)存連接新選擇
在電子設(shè)備不斷追求更高性能和更低功耗的今天，內(nèi)存連接器的性能和特性對整個系統(tǒng)的表現(xiàn)起著至關(guān)重要的作用。Amphenol推出的DDR5/LPDDR5 CAMM2連接器，憑借其出色的設(shè)計和性能，成為了眾多電子設(shè)備的理想選擇。今天，我
長鑫存儲DDR5/LPDDR5X雙芯亮相，火力全開！
域的高端市場需求。 ? 長鑫存儲LPDDR5X產(chǎn)品是中國首個自主研發(fā)的LPDDR5X。其最高速率10667Mbps，最高顆粒容量16
存儲方案切換！LPDDR5/5X成需求炸彈
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，日前，受到存儲芯片結(jié)構(gòu)性調(diào)整帶來的部分產(chǎn)品缺貨漲價的影響，以及出于優(yōu)化能耗的考慮等，一些芯片廠商已經(jīng)開始轉(zhuǎn)向新的存儲產(chǎn)品例如LPDDR5/5X的遷移。包括英偉達、
MediaTek Kompanio系列芯片賦能筆記本電腦實現(xiàn)強勁性能
近日登場的 MediaTek Kompanio 540 采用八核架構(gòu)，包括兩顆 Arm Cortex-A78 高性能核心，并配備雙核圖形引擎，同時支持 LPDDR5 高速內(nèi)存與 UFS
今日看點:長鑫存儲官宣發(fā)布LPDDR5X，蘋果自研 5G 芯片 C2 曝光
速率動態(tài)隨機存儲器。通過創(chuàng)新的封裝技術(shù)和優(yōu)化的內(nèi)存設(shè)計，長鑫存儲 LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有顯著提升，目前提供12Gb和16
發(fā)表于 10-30 09:53
?835次閱讀
長鑫存儲LPDDR5X來了！速率高達10667Mbps，躋身國際主流水平！
和優(yōu)化的內(nèi)存設(shè)計，長鑫存儲 LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有顯著提升，目前提供12Gb和16Gb兩種單顆粒容量，
突破RK3576-S核心板存儲限制：UFS/EMMC雙存儲啟動邏輯剖析
前言：兩周前，眺望電子發(fā)布了最新RK3576-S核心板的預(yù)告，搭載LPDDR5和UFS這一組合引起了不少用戶的關(guān)注，同時也收到不少關(guān)于存儲搭配的疑問。本文結(jié)合內(nèi)測調(diào)試經(jīng)驗以與客戶需求為
雙UFS4.1 4Lane，速度可達8.6GB/s，大型文件讀寫速率提升達70%+
/s。vivo從以往的1個UFS4.1雙通道讀寫升級為2個UFS 4.1四通道并行協(xié)作，真正的雙UFS4.1 4-Lane，大型文件讀寫速率提升達到70%+，
美光12層堆疊36GB HBM4內(nèi)存已向主要客戶出貨
隨著數(shù)據(jù)中心對AI訓(xùn)練與推理工作負載需求的持續(xù)增長，高性能內(nèi)存的重要性達到歷史新高。Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）宣布已向多家主要客戶送樣其12層堆疊36GB HBM
LPDDR5X：面向高性能與能效的增強型移動內(nèi)存
LPDDR5X：面向高性能與能效的增強型移動內(nèi)存 概述 LPDDR5X（低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X）是LPDDR5 DRAM的升級版本，專為移動
LPDDR5X速率刷新記錄，LPDDR5-Ultra-Pro DRAM來了
DRAM，除了LPDDR5X數(shù)據(jù)傳輸率為12700MT/s之外，它是一款16Gb內(nèi)存，采用該公司第五代10nm級DRAM工藝制造，行業(yè)標準
發(fā)表于 02-28 00:07
?5745次閱讀
三星Galaxy S25系列搭載美光LPDDR5X內(nèi)存和UFS 4.0
且能夠感知語境的移動AI體驗。此外，美光已首次向市場出貨能效領(lǐng)先的LPDDR5X內(nèi)存，其功耗降低幅度超過 10%。1借助全新的One UI 7系統(tǒng)，三星Galaxy
佰維存儲發(fā)布新一代LPDDR5X內(nèi)存與DDR5內(nèi)存模組
%。同時，LPDDR5X在功耗控制上也表現(xiàn)出色，實現(xiàn)了25%的功耗降低。此外，該產(chǎn)品提供了8GB、12GB、16GB(ES階段)等多種容量選擇，為旗艦智能手機等終端設(shè)備帶來了卓越的性能
使用英特爾開發(fā)板部署YOLOv5完成透明物體目標檢測
LPDDR5內(nèi)存與32GB至64GB eMMC存儲選項。它支持Windows和Linux操作系統(tǒng)，具備豐富的接口如千兆以太網(wǎng)、HDMI 1
Banana Pi 攜手 ArmSoM 推出人工智能加速 RK3576 CM5 計算模塊
或 16GB LPDDR5 內(nèi)存、32GB、64GB 或 128GB eMMC
發(fā)表于 12-11 18:38
工商網(wǎng)監(jiān)
評論