EUV(極紫外)光刻技術(shù)憑借 13.5nm 的短波長(zhǎng),成為 7nm 及以下節(jié)點(diǎn)集成電路制造的核心工藝,其光刻后形成的三維圖形(如鰭片、柵極、接觸孔等)尺寸通常在 5-50
發(fā)表于 09-20 09:16
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(2330)長(zhǎng)期規(guī)劃美國(guó)新廠后續(xù)將導(dǎo)入2nm與更先進(jìn)制程,三星加入戰(zhàn)局加上英特爾獲得奧援,2nm以下制程競(jìng)爭(zhēng)在美國(guó)更加白熱化。 ? 韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo),市場(chǎng)傳出三星電子計(jì)劃從9月
發(fā)表于 09-02 11:26
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我們來看看三星的最新消息: 曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 數(shù)碼博主“剎那數(shù)碼”爆料稱,三星Exynos 2600芯片已進(jìn)入質(zhì)量測(cè)試階段,計(jì)劃在今年10月完成基于HPB(High
發(fā)表于 07-31 19:47
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在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的激烈競(jìng)爭(zhēng)中,三星電子的戰(zhàn)略動(dòng)向一直備受矚目。近期,有消息傳出,三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進(jìn)方面做出重大調(diào)整,原本計(jì)劃于2027年量產(chǎn)的1.4nm制程工藝,將推遲至2029年。而在
發(fā)表于 07-03 15:56
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 根據(jù)Geekbench的最新信息,礪算科技首款6nm GPU?G100在OpenCL通用計(jì)算測(cè)試中得分為15,524分。這一成績(jī)與13年前的英偉達(dá)GTX 660 Ti(約
發(fā)表于 06-24 00:16
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較為激進(jìn)的技術(shù)路線,以挽回局面。
4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40% 的良率,這高于
發(fā)表于 04-18 10:52
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?據(jù)多方消息來源推測(cè),三星電子可能取消原計(jì)劃于?2027?年量產(chǎn)的?1.4nm(FS1.4)晶圓代工工藝。三星在?“Samsung?Foundry?Forum?2022”?上首
發(fā)表于 03-23 11:17
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 據(jù)多方消息來源推測(cè),三星電子可能取消原計(jì)劃于 2027 年量產(chǎn)的 1.4nm(FS1.4)晶圓代工工藝。三星在 “Samsung Foundry Forum 2022” 上首
發(fā)表于 03-22 00:02
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據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來,每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4
發(fā)表于 03-12 16:07
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DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能雙重挑戰(zhàn),已決定在2024年底對(duì)現(xiàn)有的1b nm工藝進(jìn)行改進(jìn),并從頭開始設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM。然而,三星電子現(xiàn)在對(duì)此表示否認(rèn),強(qiáng)調(diào)其并未有重新設(shè)
發(fā)表于 01-23 15:05
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據(jù)DigiTimes報(bào)道,三星電子對(duì)重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級(jí)DRAM(1b DRAM)的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前,ETNews曾有報(bào)道稱,三星電子內(nèi)部為解決12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨
發(fā)表于 01-23 10:04
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據(jù)韓媒報(bào)道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間推遲了半年。原本,三星計(jì)劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,以達(dá)到結(jié)束開發(fā)工作、順利進(jìn)入量
發(fā)表于 01-22 15:54
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據(jù)韓媒MoneyToday報(bào)道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動(dòng)可能對(duì)三星
發(fā)表于 01-22 14:27
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nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項(xiàng)目被命名為D1B-P,其重點(diǎn)將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進(jìn)版制程V6P相似,顯示出三星在半導(dǎo)體
發(fā)表于 01-22 14:04
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1. 三星將于2025 年初引進(jìn)High NA EUV 光刻機(jī),加快開發(fā)1nm 芯片 ? 據(jù)報(bào)道,三星電子正準(zhǔn)備在2025年初引入其首款High NA
發(fā)表于 10-31 10:56
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評(píng)論