chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

三星6nm和7nm EUV開始批量生產(chǎn)

汽車玩家 ? 來源:IT之家 ? 作者:馬卡 ? 2020-02-21 09:00 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

IT之家2月20日消息今天晚間,三星宣布其位于韓國(guó)華城的V1工廠已開始批量生產(chǎn)基于EUV(極紫外)光刻工藝的6nm和7nm芯片。

根據(jù)三星的計(jì)劃,到2020年底,V1生產(chǎn)線的累計(jì)總投資將達(dá)到60億美元,預(yù)計(jì)7nm及以下工藝節(jié)點(diǎn)的總產(chǎn)能將比2019年增長(zhǎng)三倍,目前的計(jì)劃是在第一季度開始交付其基于6nm和7nm的移動(dòng)芯片。

據(jù)IT之家了解,V1生產(chǎn)線于2018年2月破土動(dòng)工,并于2019年下半年開始測(cè)試晶圓生產(chǎn),其第一批產(chǎn)品將于今年第一季度交付給客戶。

韓國(guó)華城三星工廠

三星于2018年5月開啟了7nm芯片的里程碑,并于2019年8月推出了基于7nm EUV工藝構(gòu)建的Exynos 9825芯片組,即韓版Galaxy Note10上的那款處理器。

展望未來,三星將專注于其4nm和5nm芯片開發(fā),并著眼于在未來幾年內(nèi)突破3nm的壁壘。

據(jù)IT之家了解,隨著V1生產(chǎn)線的投入使用,三星現(xiàn)在在韓國(guó)和美國(guó)共有6條生產(chǎn)線,其中5條位于韓國(guó),1條位于美國(guó)(德克薩斯州奧斯?。?,后者為高通公司,英特爾英偉達(dá)等提供服務(wù)。

三星6nm和7nm EUV開始批量生產(chǎn)

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 三星電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    34

    文章

    15891

    瀏覽量

    182707
  • EUV
    EUV
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    613

    瀏覽量

    88153
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    白光干涉儀在EUV光刻后的3D輪廓測(cè)量

    EUV(極紫外)光刻技術(shù)憑借 13.5nm 的短波長(zhǎng),成為 7nm 及以下節(jié)點(diǎn)集成電路制造的核心工藝,其光刻后形成的維圖形(如鰭片、柵極、接觸孔等)尺寸通常在 5-50
    的頭像 發(fā)表于 09-20 09:16 ?386次閱讀

    今日看點(diǎn)丨三星美國(guó)廠2nm產(chǎn)線運(yùn)作;《人工智能生成合成內(nèi)容標(biāo)識(shí)辦法》正式生效

    (2330)長(zhǎng)期規(guī)劃美國(guó)新廠后續(xù)將導(dǎo)入2nm與更先進(jìn)制程,三星加入戰(zhàn)局加上英特爾獲得奧援,2nm以下制程競(jìng)爭(zhēng)在美國(guó)更加白熱化。 ? 韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo),市場(chǎng)傳出三星電子計(jì)劃從9月
    發(fā)表于 09-02 11:26 ?1262次閱讀

    三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 三星獲特斯拉千億芯片代工大單

    我們來看看三星的最新消息: 曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 數(shù)碼博主“剎那數(shù)碼”爆料稱,三星Exynos 2600芯片已進(jìn)入質(zhì)量測(cè)試階段,計(jì)劃在今年10月完成基于HPB(High
    的頭像 發(fā)表于 07-31 19:47 ?1306次閱讀

    三星代工大變革:2nm全力沖刺,1.4nm量產(chǎn)延遲至2029年

    在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的激烈競(jìng)爭(zhēng)中,三星電子的戰(zhàn)略動(dòng)向一直備受矚目。近期,有消息傳出,三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進(jìn)方面做出重大調(diào)整,原本計(jì)劃于2027年量產(chǎn)的1.4nm制程工藝,將推遲至2029年。而在
    的頭像 發(fā)表于 07-03 15:56 ?470次閱讀

    礪算6nm GPU與RTX 4060差距大?官方回應(yīng)來了

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 根據(jù)Geekbench的最新信息,礪算科技首款6nm GPU?G100在OpenCL通用計(jì)算測(cè)試中得分為15,524分。這一成績(jī)與13年前的英偉達(dá)GTX 660 Ti(約
    的頭像 發(fā)表于 06-24 00:16 ?3947次閱讀
    礪算<b class='flag-5'>6nm</b> GPU與RTX 4060差距大?官方回應(yīng)來了

    三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率

    較為激進(jìn)的技術(shù)路線,以挽回局面。 4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40% 的良率,這高于
    發(fā)表于 04-18 10:52

    千億美元打水漂,傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?據(jù)多方消息來源推測(cè),三星電子可能取消原計(jì)劃于?2027?年量產(chǎn)的?1.4nm(FS1.4)晶圓代工工藝。三星在?“Samsung?Foundry?Forum?2022”?上首
    的頭像 發(fā)表于 03-23 11:17 ?1596次閱讀

    千億美元打水漂,傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝?

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 據(jù)多方消息來源推測(cè),三星電子可能取消原計(jì)劃于 2027 年量產(chǎn)的 1.4nm(FS1.4)晶圓代工工藝。三星在 “Samsung Foundry Forum 2022” 上首
    的頭像 發(fā)表于 03-22 00:02 ?2193次閱讀

    三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片

    據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來,每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4
    的頭像 發(fā)表于 03-12 16:07 ?1.3w次閱讀

    三星電子否認(rèn)1b DRAM重新設(shè)計(jì)報(bào)道

    DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能雙重挑戰(zhàn),已決定在2024年底對(duì)現(xiàn)有的1b nm工藝進(jìn)行改進(jìn),并從頭開始設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM。然而,三星電子現(xiàn)在對(duì)此表示否認(rèn),強(qiáng)調(diào)其并未有重新設(shè)
    的頭像 發(fā)表于 01-23 15:05 ?752次閱讀

    三星否認(rèn)重新設(shè)計(jì)1b DRAM

    據(jù)DigiTimes報(bào)道,三星電子對(duì)重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級(jí)DRAM(1b DRAM)的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前,ETNews曾有報(bào)道稱,三星電子內(nèi)部為解決12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨
    的頭像 發(fā)表于 01-23 10:04 ?1164次閱讀

    三星電子1c nm內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲

    據(jù)韓媒報(bào)道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間推遲了半年。原本,三星計(jì)劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,以達(dá)到結(jié)束開發(fā)工作、順利進(jìn)入量
    的頭像 發(fā)表于 01-22 15:54 ?802次閱讀

    三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期

    據(jù)韓媒MoneyToday報(bào)道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動(dòng)可能對(duì)三星
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:27 ?882次閱讀

    三星重啟1b nm DRAM設(shè)計(jì),應(yīng)對(duì)良率與性能挑戰(zhàn)

    nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項(xiàng)目被命名為D1B-P,其重點(diǎn)將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進(jìn)版制程V6P相似,顯示出三星在半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:04 ?1180次閱讀

    今日看點(diǎn)丨 2011億元!比亞迪單季營(yíng)收首次超過特斯拉;三星將于2025年初引進(jìn)High NA EUV光刻機(jī)

    1. 三星將于2025 年初引進(jìn)High NA EUV 光刻機(jī),加快開發(fā)1nm 芯片 ? 據(jù)報(bào)道,三星電子正準(zhǔn)備在2025年初引入其首款High NA
    發(fā)表于 10-31 10:56 ?1383次閱讀