三星6nm和7nm EUV開始批量生產(chǎn)
IT之家2月20日消息今天晚間，三星宣布其位于韓國華城的V1工廠已開始批量生產(chǎn)基于EUV（極紫外）光刻工藝的6nm和7nm芯片。
根據(jù)三星的計(jì)劃，到2020年底，V1生產(chǎn)線的累計(jì)總投資將達(dá)到60億美元，預(yù)計(jì)7nm及以下工藝節(jié)點(diǎn)的總產(chǎn)能將比2019年增長三倍，目前的計(jì)劃是在第一季度開始交付其基于6nm和7nm的移動芯片。
據(jù)IT之家了解，V1生產(chǎn)線于2018年2月破土動工，并于2019年下半年開始測試晶圓生產(chǎn)，其第一批產(chǎn)品將于今年第一季度交付給客戶。
韓國華城三星工廠
三星于2018年5月開啟了7nm芯片的里程碑，并于2019年8月推出了基于7nm EUV工藝構(gòu)建的Exynos 9825芯片組，即韓版Galaxy Note10上的那款處理器。
展望未來，三星將專注于其4nm和5nm芯片開發(fā)，并著眼于在未來幾年內(nèi)突破3nm的壁壘。
據(jù)IT之家了解，隨著V1生產(chǎn)線的投入使用，三星現(xiàn)在在韓國和美國共有6條生產(chǎn)線，其中5條位于韓國，1條位于美國（德克薩斯州奧斯汀），后者為高通公司，英特爾和英偉達(dá)等提供服務(wù)。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15894瀏覽量
182968 -
EUV
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
614瀏覽量
88640
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
三星發(fā)布Exynos 2600，全球首款2nm SoC，NPU性能提升113%
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，三星電子正式發(fā)布其手機(jī)芯片Exynos 2600。這款芯片意義非凡，它不僅是三星首款2nm芯片，更是全球首款采用2納米（2nm）全環(huán)繞柵極（GAA）工藝制造
“汽車智能化” 和 “家電高端化”
芯片晶體管密度更高，功耗卻更低，能讓家電反應(yīng)更快、更省電。?
成本下降惠及消費(fèi)者：以前 7nm 芯片成本太高，只有萬元級高端家電才敢用。中芯國際良率提升后，批量生產(chǎn)能攤薄成本，未來幾千元的中端家電也能
發(fā)表于 10-28 20:46
白光干涉儀在EUV光刻后的3D輪廓測量
EUV（極紫外）光刻技術(shù)憑借 13.5nm 的短波長，成為 7nm 及以下節(jié)點(diǎn)集成電路制造的核心工藝，其光刻后形成的三維圖形（如鰭片、柵極、接觸孔等）尺寸通常在 5-50
AMD 7nm Versal系列器件NoC的使用及注意事項(xiàng)
AMD 7nm Versal系列器件引入了可編程片上網(wǎng)絡(luò)（NoC, Network on Chip），這是一個(gè)硬化的、高帶寬、低延遲互連結(jié)構(gòu)，旨在實(shí)現(xiàn)可編程邏輯（PL）、處理系統(tǒng)（PS）、AI引擎（AIE）、DDR控制器（DDRMC）、CPM（PCIe/CXL）等模塊之間的高效數(shù)據(jù)交換。
今日看點(diǎn)丨三星美國廠2nm產(chǎn)線運(yùn)作；《人工智能生成合成內(nèi)容標(biāo)識辦法》正式生效
（2330）長期規(guī)劃美國新廠后續(xù)將導(dǎo)入2nm與更先進(jìn)制程，三星加入戰(zhàn)局加上英特爾獲得奧援，2nm以下制程競爭在美國更加白熱化。 ? 韓國媒體報(bào)導(dǎo)，市場傳出三星電子計(jì)劃從9月
發(fā)表于 09-02 11:26
?1576次閱讀
曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 三星獲特斯拉千億芯片代工大單
我們來看看三星的最新消息： 曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 數(shù)碼博主“剎那數(shù)碼”爆料稱，三星Exynos 2600芯片已進(jìn)入質(zhì)量測試階段，計(jì)劃在今年10月完成基于HPB（High
三星代工大變革：2nm全力沖刺，1.4nm量產(chǎn)延遲至2029年
在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的激烈競爭中，三星電子的戰(zhàn)略動向一直備受矚目。近期，有消息傳出，三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進(jìn)方面做出重大調(diào)整，原本計(jì)劃于2027年量產(chǎn)的1.4nm制程工藝，將推遲至2029年。而在
礪算6nm GPU與RTX 4060差距大？官方回應(yīng)來了
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 根據(jù)Geekbench的最新信息，礪算科技首款6nm GPU?G100在OpenCL通用計(jì)算測試中得分為15,524分。這一成績與13年前的英偉達(dá)GTX 660 Ti（約
PCBA小批量生產(chǎn)服務(wù)流程大公開，這些優(yōu)勢你知道嗎？
一站式PCBA加工廠家今天為大家講講PCBA小批量生產(chǎn)服務(wù)有什么優(yōu)勢？PCBA小批量生產(chǎn)服務(wù)的完整流程與優(yōu)勢。隨著電子產(chǎn)品的快速迭代和市場需求的多樣化，PCBA小批量生產(chǎn)已成為電子制造領(lǐng)域不可或缺
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測試良率
較為激進(jìn)的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日報(bào)道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
發(fā)表于 04-18 10:52
千億美元打水漂，傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?據(jù)多方消息來源推測，三星電子可能取消原計(jì)劃于?2027?年量產(chǎn)的?1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在?“Samsung?Foundry?Forum?2022”?上首
千億美元打水漂，傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝?
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 據(jù)多方消息來源推測，三星電子可能取消原計(jì)劃于 2027 年量產(chǎn)的 1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在 “Samsung Foundry Forum 2022” 上首
曝三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片
據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來，每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4
三星電子否認(rèn)1b DRAM重新設(shè)計(jì)報(bào)道
DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能雙重挑戰(zhàn)，已決定在2024年底對現(xiàn)有的1b nm工藝進(jìn)行改進(jìn)，并從頭開始設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM。然而，三星電子現(xiàn)在對此表示否認(rèn)，強(qiáng)調(diào)其并未有重新設(shè)
三星否認(rèn)重新設(shè)計(jì)1b DRAM
據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星電子對重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級DRAM（1b DRAM）的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前，ETNews曾有報(bào)道稱，三星電子內(nèi)部為解決12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨
工商網(wǎng)監(jiān)
評論