chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

三星宣布全球首座專門為EUV極紫外光刻工藝打造的代工廠開始量產(chǎn)

工程師鄧生 ? 來源:快科技 ? 作者:上方文Q ? 2020-02-21 16:19 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

三星宣布,位于韓國京畿道華城市的V1工廠已經(jīng)開始量產(chǎn)7nm 7LPP、6nm 6LPP工藝,這也是全球第一座專門為EUV極紫外光刻工藝打造的代工廠。

據(jù)介紹,三星7LPP、6LPP工藝主要生產(chǎn)先進(jìn)的移動(dòng)SoC芯片,本季度內(nèi)陸續(xù)出貨,具體客戶均未披露,不過看起來7LPP會(huì)是對(duì)外代工主力,6LPP則可能是三星自用,或者僅限特定客戶。

按照三星的說法,6LPP相比于7LPP可將晶體管密度增加約10%,并降低功耗,但彼此互相兼容,針對(duì)7LPP工藝設(shè)計(jì)的IP可以直接復(fù)用,從而大大降低成本。

在路線圖上,三星還規(guī)劃了5LPE、4LPE、3GAE、3GAP等更先進(jìn)的工藝,都會(huì)使用EUV極紫外光刻,其中5nm、4nm都可以算作7nm工藝的深度升級(jí),3nm則是全新設(shè)計(jì)。

高通剛剛發(fā)布的第三代5G基帶驍龍X60就采用三星5nm工藝制造,3nm則會(huì)在今年完成開發(fā),放棄使用多年的FinFET晶體管架構(gòu)。

三星V1工廠2018年2月開工建設(shè),2019年下半年開始試產(chǎn),未來將迅速擴(kuò)大產(chǎn)能,到今年底7LPP EUV和更新工藝的總產(chǎn)能將是去年底的三倍,累計(jì)投資也將達(dá)60億美元。

責(zé)任編輯:wv

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 三星電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    34

    文章

    15891

    瀏覽量

    182703
  • EUV
    EUV
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    613

    瀏覽量

    88136
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    三星最新消息:三星將在美國工廠蘋果生產(chǎn)芯片 三星和海力士不會(huì)被征收100%關(guān)稅

    給大家?guī)?b class='flag-5'>三星的最新消息: 三星將在美國工廠蘋果生產(chǎn)芯片 據(jù)外媒報(bào)道,三星電子公司將在美國德克薩斯州奧斯汀的芯片
    的頭像 發(fā)表于 08-07 16:24 ?1102次閱讀

    中芯國際 7 納米工藝突破:代工龍頭的技術(shù)躍遷與拓能半導(dǎo)體的封裝革命

    流轉(zhuǎn)。這家全球大晶圓代工廠,正以每月 3 萬片的產(chǎn)能推進(jìn) 7 納米工藝客戶驗(yàn)證,標(biāo)志著中國大陸在先進(jìn)制程領(lǐng)域的實(shí)質(zhì)性突破。 技術(shù)突圍的底層邏輯 中芯國際的 7 納米
    的頭像 發(fā)表于 08-04 15:22 ?6658次閱讀

    中科院微電子所突破 EUV 光刻技術(shù)瓶頸

    紫外光刻(EUVL)技術(shù)作為實(shí)現(xiàn)先進(jìn)工藝制程的關(guān)鍵路徑,在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域占據(jù)著舉足輕重的地位。當(dāng)前,LPP-EUV 光源是
    的頭像 發(fā)表于 07-22 17:20 ?548次閱讀
    中科院微電子所突破 <b class='flag-5'>EUV</b> <b class='flag-5'>光刻</b>技術(shù)瓶頸

    Cadence擴(kuò)大與三星晶圓代工廠的合作

    楷登電子(美國 Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布擴(kuò)大與三星晶圓代工廠的合作,包括簽署一項(xiàng)新的多年期 IP 協(xié)議,在三星晶圓代工
    的頭像 發(fā)表于 07-10 16:44 ?675次閱讀

    光刻工藝中的顯影技術(shù)

    一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù),通過光刻膠在特殊波長光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化,再經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程,將設(shè)計(jì)在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上,是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微
    的頭像 發(fā)表于 06-09 15:51 ?1403次閱讀

    詳談X射線光刻技術(shù)

    隨著紫外光刻EUV)技術(shù)面臨光源功率和掩模缺陷挑戰(zhàn),X射線光刻技術(shù)憑借其固有優(yōu)勢(shì),在特定領(lǐng)域正形成差異化競(jìng)爭(zhēng)格局。
    的頭像 發(fā)表于 05-09 10:08 ?909次閱讀
    詳談X射線<b class='flag-5'>光刻</b>技術(shù)

    三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率

    似乎遇到了一些問題 。 另一家韓媒《DealSite》當(dāng)?shù)貢r(shí)間17日?qǐng)?bào)道稱,自 1z nm 時(shí)期開始出現(xiàn)的電容漏電問題正對(duì)三星 1c nm DRAM 的開發(fā)量產(chǎn)造成明顯影響。三星試圖通
    發(fā)表于 04-18 10:52

    【「芯片通識(shí)課:一本書讀懂芯片技術(shù)」閱讀體驗(yàn)】了解芯片怎樣制造

    ,合一工藝平臺(tái),CMOS圖像傳感器工藝平臺(tái),微電機(jī)系統(tǒng)工藝平臺(tái)。 光掩模版:基板,不透光材料 光刻膠:感光樹脂,增感劑,溶劑。 正性和負(fù)性
    發(fā)表于 03-27 16:38

    飛利浦將旗下MEMS代工廠Xiver出售,該廠ASML光刻機(jī)提供組件

    近日,飛利浦已將其位于荷蘭埃因霍溫的 MEMS 晶圓廠和代工廠出售給一個(gè)荷蘭投資者財(cái)團(tuán),交易金額不詳。該代工廠 ASML 光刻機(jī)等公司提供產(chǎn)品,并已更名為 Xiver。 該 MEMS
    的頭像 發(fā)表于 01-16 18:29 ?2138次閱讀

    納米壓印光刻技術(shù)旨在與紫外光刻EUV)競(jìng)爭(zhēng)

    芯片制造、價(jià)值1.5億美元的紫外EUV,https://spectrum.ieee.org/tag/euv光刻掃描
    的頭像 發(fā)表于 01-09 11:31 ?943次閱讀

    日本首臺(tái)EUV光刻機(jī)就位

    據(jù)日經(jīng)亞洲 12 月 19 日?qǐng)?bào)道,Rapidus 成為日本首家獲得紫外 (EUV) 光刻設(shè)備的半導(dǎo)體公司,已經(jīng)開始在北海道芯片制造廠內(nèi)安
    的頭像 發(fā)表于 12-20 13:48 ?1257次閱讀
    日本首臺(tái)<b class='flag-5'>EUV</b><b class='flag-5'>光刻</b>機(jī)就位

    三星芯片代工新掌門:先進(jìn)與成熟制程并重

    制程與成熟制程的并重發(fā)展。他指出,當(dāng)前三星代工部門最緊迫的任務(wù)是提升2nm產(chǎn)能的良率爬坡。這一舉措顯示了三星在先進(jìn)制程技術(shù)領(lǐng)域的決心和實(shí)力。 同時(shí),韓真晚也提到了三星電子在GAA
    的頭像 發(fā)表于 12-10 13:40 ?999次閱讀

    三星減少NAND生產(chǎn)光刻膠使用量

    近日,據(jù)相關(guān)報(bào)道,三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領(lǐng)域取得了重要技術(shù)突破,成功大幅減少了光刻工藝光刻膠的使用量。 據(jù)悉,三星已經(jīng)制定了未來NAND閃存的生產(chǎn)路線圖,并計(jì)劃在這一生產(chǎn)過
    的頭像 發(fā)表于 11-27 11:00 ?797次閱讀

    今日看點(diǎn)丨 2011億元!比亞迪單季營收首次超過特斯拉;三星將于2025年初引進(jìn)High NA EUV光刻機(jī)

    1. 三星將于2025 年初引進(jìn)High NA EUV 光刻機(jī),加快開發(fā)1nm 芯片 ? 據(jù)報(bào)道,三星電子正準(zhǔn)備在2025年初引入其首款High NA
    發(fā)表于 10-31 10:56 ?1383次閱讀

    簡(jiǎn)述光刻工藝個(gè)主要步驟

    光刻作為半導(dǎo)體中的關(guān)鍵工藝,其中包括3大步驟的工藝:涂膠、曝光、顯影。個(gè)步驟有一個(gè)異常,整個(gè)光刻工藝都需要返工處理,因此現(xiàn)場(chǎng)異常的處理
    的頭像 發(fā)表于 10-22 13:52 ?2905次閱讀