大家都知道，光刻機是芯片制造過程當中一個重要的環(huán)節(jié)，光刻機直接決定著芯片的質量。而我國作為全球最大的芯片消費國之一，每年進口的芯片都達到幾萬億人民幣。

但是作為世界上芯片消費大國，我在芯片制造方面卻并沒有拿得出手的一些技術或者企業(yè)，而我國在芯片制造方面之所以跟一些發(fā)達國家有較大的差距，這里面最主要的一個原因就是光刻機的限制。

雖然最近十幾年我國一直在致力于研究光刻機，但是取得的成果并不是很明顯，目前我國光刻機最高技術也就上海微電子所生產(chǎn)的90nm光刻機。除此之外，目前合肥芯碩半導體公司也具備量產(chǎn)200nm光刻機的實力，無錫影幻半導體公司也具備200nm光刻機量產(chǎn)的實力。

但是目前這些國產(chǎn)光刻機企業(yè)跟asml、尼康等具備28nm以上工藝光刻機的企業(yè)相比，差距還是比較大的，尤其是跟asml7nmEUV的差距更大。

表面上看，90nm跟28nm或者是7nm從數(shù)字上來看差距不是很大，但實際上這里面是千差萬別的，光刻機每上一個臺階技術難度就會大大增加，可能從90nm升級到65nm并不難，但是從65nm升級到45nm，就是一個技術節(jié)點了，45nm的光刻機技術明顯要比90nm和65nm難很多，至于28nm、14nm和7nm，甚至未來有可能出現(xiàn)的3nm，那難度就更大了，也正因為如此，我國的光刻機的研發(fā)進度一直都比較緩慢。

畢竟光刻機的制造研發(fā)并不是某一個企業(yè)能夠單獨完成的，這里面涉及的技術非常復雜，需要很多頂尖的企業(yè)相互配合才可以完成，比如荷蘭asml作為目前全球最頂尖的光刻機制造商，是全球唯一能夠生產(chǎn)出7nm光刻機的企業(yè)，但是asml也需要美國企業(yè)提供光源設備，需要德國蔡司提供光學設備，此外還有來自英特爾，臺積電，三星，海力士等眾多芯片巨頭的資金支持還有技術支持。

而目前制造高端光刻機所需要的一些零部件外國都是對我國進行技術封鎖的，我國又并不具備單獨生產(chǎn)這些高端零部件的實力，這也是為什么我國光刻機長期停滯在90mm，很難有突破的重要原因。

好在天無絕人之路，任何困難都阻擋不了中國實現(xiàn)芯片獨立自主的夢想，經(jīng)過多年的研發(fā)和積累之后，最近幾年我國光刻機的研發(fā)成果取得了比較喜人的成績。

比如2018年8月份，清華大學的研究團隊研發(fā)出了雙工作臺光刻機，這使得我國成為全球第二個具備開發(fā)雙工作臺光刻機的國家。這種雙工作臺光刻機的研發(fā)難度是非常大的，失敗的風險非常高，之前有很多國家都曾經(jīng)做過試驗，但基本上都半途而廢了。

再比如2018年11月，由中國科學院光電技術研究所所承擔的國家重大科研裝備研制項目“超分辨光刻裝備研制”通過驗收，該裝備采用365nm波長的紫外光單次成像，實現(xiàn)了22納米的分辨率，結合雙重曝光技術后，未來還有可能用于制造10nm級別的芯片，這為我國芯片加工提供了全新的解決途徑。

到了2019年之后，我國的芯片研發(fā)又向前推進了一步，2019年4月，武漢光電國家技術研究中心甘棕松團隊采用二束激光在自主研發(fā)的光刻膠上突破了光束衍射極限，采用遠場光學的辦法，成功刻出9nm線寬的線段，實現(xiàn)了從超分辨成像到超衍射極限光刻制造的重大創(chuàng)新，這個技術突破讓我國打破了三維納米制造的國外技術壟斷，在這個全新的技術領域內，我國從材料、軟件到光機電零部件都不再受制于人，使得我國的光刻機技術又向前邁進了一步。

總之，在光刻機制造領域，雖然我國跟asml等頂尖企業(yè)還有很大的差距，但是我們也看到目前我國的光刻機研發(fā)進步是非常明顯的，未來我國光刻機跟國際的差距會逐漸縮小，甚至有可能會達到世界先進水平。