由于在圖中的R8處，串聯(lián)了一個耐壓400V以上的小容量電容C5，平時沒有任何靜態(tài)電流。每次SCR1導通的時候，此小容量電容通過R1、R8、R9放電，延熄結(jié)束后，220V脈動直流電向此小容量電容快速充電。由于V1、V2導通時，C4上電壓只有0.6V左右，要把C4上不多的電荷放掉，對于電容C5只要幾千皮法即可，圖中C5為3900PF／500V。

三極管V1、V2構(gòu)成模擬單向可控硅，一旦導通，就快速進入飽和狀態(tài)，對應C2上的電荷快速被釋放，結(jié)果SCR1快速關斷。由于采用了模擬單向可控硅，觸發(fā)電流極小，不到1微安，因此R3阻值可以取得很大，對應C4容量可以很小，讓C4電荷放掉的R8支路電流也可相應降低。如果三極管V3電流放大倍數(shù)大于50，C5容量還可減小。經(jīng)實驗，C5取2200pF，R8取3.3MΩ，也能正常工作。圖中R3取1.5MΩ，C4取l00μF，延熄時間實測68秒。所有電子元件成本約為1.58元。