Intel之前已經(jīng)宣布在2021年推出7nm工藝,首發(fā)產(chǎn)品是數(shù)據(jù)中心使用的Ponte Vecchio加速卡。7nm之后的5nm工藝更加重要了,因?yàn)镮ntel在這個(gè)節(jié)點(diǎn)會(huì)放棄FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA晶體管。
隨著制程工藝的升級(jí),晶體管的制作也面臨著困難,Intel最早在22nm節(jié)點(diǎn)上首發(fā)了FinFET工藝,當(dāng)時(shí)叫做3D晶體管,就是將原本平面的晶體管變成立體的FinFET晶體管,提高了性能,降低了功耗。
FinFET晶體管隨后也成為全球主要晶圓廠的選擇,一直用到現(xiàn)在的7nm及5nm工藝。
Intel之前已經(jīng)提到5nm工藝正在研發(fā)中,但沒(méi)有公布詳情,最新爆料稱(chēng)他們的5nm工藝會(huì)放棄FinFET晶體管,轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管。
GAA晶體管也有多種技術(shù)路線,之前三星提到他們的GAA工藝能夠提升35%的性能、降低50%的功耗和45%的芯片面積,不過(guò)這是跟他們的7nm工藝相比的,而且是初期數(shù)據(jù)。
考慮到Intel在工藝技術(shù)上的實(shí)力,他們的GAA工藝性能提升應(yīng)該會(huì)更明顯。

如果能在5nm節(jié)點(diǎn)跟進(jìn)GAA工藝,Intel官方承諾的“5nm工藝重新奪回領(lǐng)導(dǎo)地位”就不難理解了,因?yàn)镚AA工藝上他們也是比較早跟進(jìn)的。
至于5nm工藝的問(wèn)世時(shí)間,目前還沒(méi)明確的時(shí)間表,但I(xiàn)ntel之前提到7nm之后工藝周期會(huì)回歸以往的2年升級(jí)的節(jié)奏,那就是說(shuō)最快2023年就能見(jiàn)到Intel的5nm工藝。
責(zé)任編輯:wv
-
intel
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
3507瀏覽量
190892 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
78文章
10381瀏覽量
147147 -
FinFET
+關(guān)注
關(guān)注
12文章
260瀏覽量
92146
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
晶體管入門(mén):BJT 與 MOSFET 的控制差異#晶體管 #BJT #MOSFET? #場(chǎng)效應(yīng)管 #電子放大
電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期
AI如何重塑模擬和數(shù)字芯片工藝節(jié)點(diǎn)遷移
多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
薄膜晶體管技術(shù)架構(gòu)與主流工藝路線
FinFET與GAA結(jié)構(gòu)的差異及其影響
無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳解
什么是晶體管?你了解多少?知道怎樣工作的嗎?
多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
晶體管電路設(shè)計(jì)(下)
晶體管電路設(shè)計(jì)(下) [日 鈴木雅臣]
晶體管電路設(shè)計(jì)與制作
鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造工藝流程
互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和作用
Intel放棄FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA晶體管 GAA工藝性能提升或更明顯
評(píng)論