IT之家3月12日消息 根據(jù)外媒WCCFTECH的報(bào)道,爆料消息稱英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程,而不是之前報(bào)道的臺積電7nm工藝,據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù),另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
外媒表示,英偉達(dá)安培架構(gòu)曝光的GPU有GA102、GA103、GA104、GA106和GA1075款,配置最高的是GA102。報(bào)道還稱英偉達(dá)新款GPU將全部支持RTX(實(shí)時光線跟蹤),這意味著英偉達(dá)在安培架構(gòu)上對RT核心設(shè)計(jì)進(jìn)行升級,使其在性能較弱的顯卡中也能實(shí)現(xiàn)光線追蹤的效果。
爆料者@CorgiKitty提供的信息顯示,配置最低的GA107為1280流處理器,4GB顯存,最高的GA102 GPU為5376流處理器,12GB顯存,其中GA102比上代的RTX 2080Ti性能提升了40%。
IT之家曾報(bào)道,受到疫情的影響,英偉達(dá)曾宣布將月底GTC的大會改為線上直播。根據(jù)外媒anandtech的最新消息,GTC線上直播也將取消,英偉達(dá)將會采用新聞稿的形式公布新品,時間定在3月24日。
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15891瀏覽量
182738 -
英偉達(dá)
+關(guān)注
關(guān)注
23文章
4017瀏覽量
96973
發(fā)布評論請先 登錄
傳三星 HBM4 通過英偉達(dá)認(rèn)證,量產(chǎn)在即
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測試良率
千億美元打水漂,傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝
千億美元打水漂,傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝?
三星與英偉達(dá)高層會晤,商討HBM3E供應(yīng)
三星電子否認(rèn)1b DRAM重新設(shè)計(jì)報(bào)道
英偉達(dá)宣稱顯卡供電接口燒熔問題已解決
三星否認(rèn)重新設(shè)計(jì)1b DRAM
三星重啟1b nm DRAM設(shè)計(jì),應(yīng)對良率與性能挑戰(zhàn)
英偉達(dá)、高通或轉(zhuǎn)單三星2納米工藝
英偉達(dá)加速認(rèn)證三星新型AI存儲芯片
英偉達(dá)加速認(rèn)證三星AI內(nèi)存芯片
三星電子或向英偉達(dá)供應(yīng)先進(jìn)HBM
三星電子:18FDS將成為物聯(lián)網(wǎng)和MCU領(lǐng)域的重要工藝

評論