據(jù)韓媒報道，三星電子決定最早于本月第三周開始量產(chǎn)HBM4，這批產(chǎn)品將用于英偉達下一代人工智能計算平臺“Vera Rubin”。英偉達有望在下月年度開發(fā)者大會（GTC）上首次公開搭載三星電子HBM4的相關(guān)產(chǎn)品。

三星電子HBM4 采用1c DRAM 和 4nm 制程工藝，其數(shù)據(jù)處理速度超過了JEDEC 標準的8Gbps，最高可達11.7Gbps，比上一代 HBM3E（9.6Gbps）提升22%。單層堆疊的內(nèi)存帶寬也高達3TB/s，比上一代產(chǎn)品提高了2.4 倍，12 層堆疊技術(shù)可提供最大 36GB 的容量。未來擴展到 16 層堆疊技術(shù)預計可將容量提升至 48GB。其另一大優(yōu)勢在于其低功耗設(shè)計，能夠在支持高性能計算的同時，顯著降低服務器和數(shù)據(jù)中心的功耗和冷卻成本。

三星電子預計今年其HBM銷量將比去年增長三倍以上，為支持這一增長，三星正在平澤P4工廠建設(shè)一條新的1c DRAM生產(chǎn)線。該生產(chǎn)線預計將于明年第一季度完工，月產(chǎn)能預計為10萬至12萬片晶圓。

SemiAnalysis 行業(yè)分析顯示，韓系廠商 SK 海力士與三星將主導下一代高帶寬內(nèi)存市場，而美光（Micron）因技術(shù)路線受挫，或?qū)⑼词вミ_下一代 Rubin 芯片的 HBM4 訂單，份額恐降至 0%。相比之下，市場預計 SK 海力士將拿下約 70% 的訂單，剩余 30% 則由三星囊括。

美光內(nèi)部自主設(shè)計和制造 HBM4 的基礎(chǔ)裸片產(chǎn)生嚴重的散熱問題，且引腳速度未能達到客戶標準。盡管美光計劃在重新設(shè)計基礎(chǔ)裸片并優(yōu)化供電網(wǎng)絡(luò)后，于 2026 年第二季度再次提交 NVIDIA 進行資格測試，但NVIDIA 的 Vera Rubin 芯片目前已進入“全速生產(chǎn)”階段，此測試進度有所滯后。