據韓媒報道，三星電子決定最早于本月第三周開始量產HBM4，這批產品將用于英偉達下一代人工智能計算平臺“Vera Rubin”。英偉達有望在下月年度開發(fā)者大會（GTC）上首次公開搭載三星電子HBM4的相關產品。

三星電子HBM4 采用1c DRAM 和 4nm 制程工藝，其數據處理速度超過了JEDEC 標準的8Gbps，最高可達11.7Gbps，比上一代 HBM3E（9.6Gbps）提升22%。單層堆疊的內存帶寬也高達3TB/s，比上一代產品提高了2.4 倍，12 層堆疊技術可提供最大 36GB 的容量。未來擴展到 16 層堆疊技術預計可將容量提升至 48GB。其另一大優(yōu)勢在于其低功耗設計，能夠在支持高性能計算的同時，顯著降低服務器和數據中心的功耗和冷卻成本。

三星電子預計今年其HBM銷量將比去年增長三倍以上，為支持這一增長，三星正在平澤P4工廠建設一條新的1c DRAM生產線。該生產線預計將于明年第一季度完工，月產能預計為10萬至12萬片晶圓。

SemiAnalysis 行業(yè)分析顯示，韓系廠商 SK 海力士與三星將主導下一代高帶寬內存市場，而美光（Micron）因技術路線受挫，或將痛失英偉達下一代 Rubin 芯片的 HBM4 訂單，份額恐降至 0%。相比之下，市場預計 SK 海力士將拿下約 70% 的訂單，剩余 30% 則由三星囊括。

美光內部自主設計和制造 HBM4 的基礎裸片產生嚴重的散熱問題，且引腳速度未能達到客戶標準。盡管美光計劃在重新設計基礎裸片并優(yōu)化供電網絡后，于 2026 年第二季度再次提交 NVIDIA 進行資格測試，但NVIDIA 的 Vera Rubin 芯片目前已進入“全速生產”階段，此測試進度有所滯后。