ASML研發(fā)新一代EUV光刻機 分辨率能提升70%左右
在EUV光刻機方面，荷蘭ASML（阿斯麥）公司壟斷了目前的EUV光刻機，去年出貨26臺，創(chuàng)造了新紀錄。據(jù)報道，ASML公司正在研發(fā)新一代EUV光刻機，預(yù)計在2022年開始出貨。
根據(jù)ASML之前的報告，去年他們出貨了26臺EUV光刻機，預(yù)計2020年交付35臺EUV光刻機，2021年則會達到45臺到50臺的交付量，是2019年的兩倍左右。
目前ASML出貨的光刻機主要是NXE:3400B及改進型的NXE:3400C，兩者基本結(jié)構(gòu)相同，但NXE:3400C采用模塊化設(shè)計，維護更加便捷，平均維修時間將從48小時縮短到8-10小時，支持7nm、5nm。
此外，NXE:3400C的產(chǎn)能也從之前的125WPH（每小時處理晶圓數(shù)）提升到了175WPH。
不論NXE:3400B還是NXE:3400C，目前的EUV光刻機還是第一代，主要特點是物鏡系統(tǒng)的NA（數(shù)值孔徑）為0.33。
ASML最近紕漏他們還在研發(fā)新一代EUV光刻機EXE:5000系列，NA指標(biāo)達到了0.55，主要合作伙伴是卡爾蔡司、IMEC比利時微電子中心。
與之前的光刻機相比，新一代光刻機意味著分辨率提升了70%左右，可以進一步提升光刻機的精度，畢竟ASML之前的目標(biāo)是瞄準了2nm甚至極限的1nm工藝的。
不過新一代EUV光刻機還有點早，至少到2022年才能出貨，大規(guī)模出貨要到2024年甚至2025年，屆時臺積電、三星等公司確實要考慮3nm以下的制程工藝了。
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