（文章來源：中國電力電子商務網(wǎng)）

固態(tài)電源的基本任務是安全、可靠地為負載提供所需的電能。對電子設備而言，電源是其核心部件。負載除要求電源能供應高質量的輸出電壓外，還對供電系統(tǒng)的可靠性等提出更高的要求。

IGBT是一種目前被廣泛使用的具有自關斷能力的器件，開關頻率高，廣泛應用于各類固態(tài)電源中。但如果控制不當，它很容易損壞。一般認為IGBT損壞的主要原因有兩種：一是IGBT退出飽和區(qū)而進入了放大區(qū)使得開關損耗增大;二是IGBT發(fā)生短路，產生很大的瞬態(tài)電流，從而使IGBT損壞。IGBT的保護通常采用快速自保護的辦法?即當故障發(fā)生時，關斷IGBT驅動電路，在驅動電路中實現(xiàn)退飽和保護;或者當發(fā)生短路時，快速地關斷IGBT。根據(jù)監(jiān)測對象的不同IGBT的短路保護可分為Uge監(jiān)測法或Uce監(jiān)測法?二者原理基本相似，都是利用集電極電流IC升高時Uge或Uce也會升高這一現(xiàn)象。

采用本文介紹的IGBT短路保護電路可以實現(xiàn)快速保護，同時又可以節(jié)省檢測短路電流所需的霍爾電流傳感器，降低整個系統(tǒng)的成本。實踐證明，該電路有比較大的實用價值，尤其是在低直流母線電壓的應用場合，該電路有廣闊的應用前景。該電路已經成功地應用在某型高頻逆變器中。

圖1(a)所示為工作在PWM整流狀態(tài)的H型橋式PWM變換電路(此圖為正弦波正半波輸入下的等效電路，上半橋的兩只IGBT未畫出)，圖1(b)為下半橋兩只大功率器件的驅動信號和相關的器件波形。現(xiàn)以正半波工作過程為例進行分析(對于三相PWM電路，在整流、逆變工作狀態(tài)或單相DC/DC工作狀態(tài)下，PWM電路的分析過程及結論基本類似)。

在圖1所示的電路中，在市電電源Us的正半周期，將Ug2.4所示的高頻驅動信號加在下半橋兩只IGBT的柵極上，得到管壓降波形UT2D。其工作過程分析如下：在t1～t2時刻，受驅動信號的作用，T2、T4導通(實際上是T2導通， T4處于續(xù)流狀態(tài))，在Us的作用下通過電感LS的電流增加，在T2管上形成如圖1(b)中UT2D所示的按指數(shù)規(guī)律上升的管壓降波形，該管壓降是通態(tài)電流在IGBT導通時的體電阻上產生的壓降;在t2～t3時刻，T2、T4關斷，由于電感LS中有儲能，因此在電感LS的作用下，二極管D2、D4續(xù)流，形成圖1(b)中UT2.D的陰影部分所示的管壓降波形，以此類推。

分析表明，為了能夠檢測到IGBT導通時的管壓降的值，應該將在t1～t2時刻IGBT導通時的管壓降保留，而將在t2～t3時刻檢測到的IGBT的管壓降的值剔除，即將圖1(b)中UT2.D的陰影部分所示的管壓降波形剔除。由于IGBT的開關頻率比較高，而且存在較大的開關噪聲，因此在設計采樣電路時應給予足夠的考慮。

根據(jù)以上的分析可知，在正常情況下，IGBT導通時的管壓降Uce(sat)的值都比較低，通常都小于器件手冊給出的數(shù)據(jù)Uce(sat)的額定值。但是，如果H型橋式變換電路發(fā)生故障(如同一側橋臂上的上下兩只IGBT同時導通的 “直通”現(xiàn)象)，則這時在下管IGBT的C～E極兩端將會產生比正常值大很多的管電壓。若能將此故障時的管壓降值快速地檢測出來，就可以作為對IGBT進行保護的依據(jù)，從而對IGBT實施有效的保護。

由對圖1所示電路的分析，可以得到IGBT短路保護電路的原理電路圖。IC4及其外圍器件構成選通邏輯電路，由IC5及其外圍器件構成濾波及放大電路，IC2及其外圍器件構成門限比較電路，IC1及其外圍器件構成保持電路。正常情況下，D1、D2、D3的陰極所連接的IC2D、IC2C及CD4011的輸出均為高電平，IC1的輸出狀態(tài)不會改變。假設由于某種原因，在給T2發(fā)驅動信號的時候，H型橋式PWM變換電路的左半橋下管T2的管壓降異常升高(設電平值為“高”)，即UT2-d端電壓異常升高，則該高電平UT2-d通過R2加在D8的陰極;同時，發(fā)給T2的高電平驅動信號也加在二極管D5的陰極。

對IC2C來說，其反相輸入端為高電平，若該電平值大于同相輸入端的門檻電平值的話，則IC2C輸出為“低”。該“低”電平通過D2加在R-S觸發(fā)器IC1的R輸入端，使其輸出端Q的輸出電平翻轉，向控制系統(tǒng)發(fā)出IGBT故障報警信號。如果是由于右半橋下管T4的管壓降異常升高而引起IC2D輸出為“低”，則該“低”電平通過D5加在R-S觸發(fā)器IC1的R輸入端，使其輸出端Q的輸出電平翻轉，向控制系統(tǒng)發(fā)出IGBT故障報警信號。

由IC5A和IC5C及其外圍器件構成的濾波及放大電路將選通電路送來的描述IGBT管壓降的電壓信號進行預處理后，送給由IC5B構成的加法器進行運算處理。若加法器的輸出電平大于由R22和R32確定的門檻電平，則會使R-S觸發(fā)器IC1的R端的第三個輸入端為“低”，也向控制系統(tǒng)發(fā)出IGBT故障報警信號。改變由R22和R32確定的門檻電平，就可以靈活地改變這第三路報警信號所代表的物理意義，從而靈活地設計保護電路。端子T4-d、T2-d，分別接在T4、T2的集電極上，T4-G、T2-G分別接IGBT器件T4、T2的驅動信號。在電路設計時應該特別注意的是，D8、D5、D9、D4必須采用快速恢復二極管。

當圖1所示的PWM變換器工作在單相高頻整流模式下，應用PSPICE仿真軟件對電路進行仿真研究。仿真波形相當于在電路中IC5B的第7腳觀察到的信號波形。仿真結果表明，檢測電路可以快速、有效地將PWM變換器的下管導通時的管壓降檢測出來。圖3所示波形是實際電路工作時檢測到的相關波形。圖中，1#通道顯示的是單相高頻整流電感電流的給定波形，2#通道顯示的是實際檢測到電路中IC5B的第7腳的工作波形。比較圖2和圖3可以得出，該檢測電路可以快速、有效地檢測出IGBT導通時的管壓降，從而對IGBT實施有效的保護。

圖4所示為IGBT過流時實際檢測到的PFC電感中流過的電流及保護電路動作的波形。

電路實際運行結果證明，本文介紹的IGBT短路保護電路可以有效地對IGBT實施保護，成本低，動作可靠。實踐證明，該電路有比較大的實用價值，尤其是在低直流母線電壓的應用場合，該電路有廣闊的應用前景。該電路已經成功地應用在某型3KVA高頻逆變器中。
（責任編輯：fqj）