集微網(wǎng)消息 日前，華虹半導體披露了公司2019年全年業(yè)績。公告顯示，華虹半導體2019年度的營業(yè)收入為9.326億美元，同比增長0.2%。

報告期內(nèi)，華虹半導體產(chǎn)品毛利率為30.3%，較上年度下降3.1個百分點，主要由于產(chǎn)能利用率的下降、人工費用、原材料單位成本及折舊成本的上升，部分被平均銷售價格上升所抵銷。值得提出的是，2019年是其毛利率連續(xù)第五年保持在30%以上。

另外，華虹半導體當期凈利潤為1.550億美元，上年度為1.856億美元；母公司擁有人應占年內(nèi)溢利為1.622億美元，上年度為1.832億美元。據(jù)悉，該公司在2019年中月產(chǎn)能由174,000片增至201,000片8吋等值晶圓。

華虹半導體稱，期內(nèi)的業(yè)績變化主要是源于技術(shù)的創(chuàng)新、技術(shù)組合的持續(xù)優(yōu)化、公司產(chǎn)能的擴充，以及半導體市場對本公司差異化技術(shù)需求的持續(xù)增長，主要包括MCU、超級結(jié)、通用MOSFET和IGBT等產(chǎn)品。

該公司在財報中還提到，差異化特色工藝將依然是其2020年的關(guān)鍵詞。

8吋工藝平臺方面，華虹半導體將進一步優(yōu)化現(xiàn)有95納米和90納米等嵌入式非易失性存儲器技術(shù)，提供更小的存儲器單元、IP模塊與更精簡的工藝，全方位應對來自MCU市場的多重需求；持續(xù)開發(fā)第四代超級結(jié)技術(shù)，并針對高質(zhì)量、車用IGBT導入氫注入工藝、研發(fā)逆導型IGBT(RC-IGBT)、SJ-IGBT等新一代功率分立器件技術(shù)。

華虹半導體指出，公司除了追求高壓功率器件所需的更高功率密度和更低損耗，還將更精益求精地開發(fā)片上集成傳感器的智能化IGBT工藝技術(shù)與更高可靠性的新型散熱IGBT技術(shù)；加大力度提高0.18微米BCD第三代工藝參數(shù)性能達到業(yè)界先進水平并滿足汽車電子要求，整合0.11微米嵌入式閃存與BCD技術(shù)，達到車規(guī)級應用要求，全面迎接混動車、電動車市場對半導體器件的成長性需求；推動RF-SOI第四代工藝向更高可靠性與持續(xù)量產(chǎn)方向發(fā)展，為5G等新興市場提供新生的中國力量。

另外面對業(yè)界當前重點關(guān)注的疫情影響，華虹半導體也對此表示：“由于近期新冠疫情的不確定影響，市場預測仍存在著諸多未知性。但非?？隙ǖ氖?，隨著中國本土IC設計公司的逐步成熟，國家政策的持續(xù)支持，創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)型企業(yè)快速增加，國內(nèi)晶圓代工業(yè)必將長期處于有利的成長環(huán)境，并保持增長態(tài)勢。”