據(jù)西安新聞網(wǎng)報道，截至3月底，西安43個先進制造業(yè)重點項目完成投資144.53億元，占年計劃投資的29.6%。產(chǎn)業(yè)項目加速推進，其中，三星二期一階段項目首批半導體產(chǎn)品已正式下線上市，二階段全面開工建設(shè)。

據(jù)悉，三星（中國）半導體有限公司生產(chǎn)的主要產(chǎn)品為3D V-NAND閃存芯片，目前產(chǎn)品通過韓國總部遠銷歐美、東南亞等地。三星高端存儲芯片項目于2012年落戶西安高新區(qū)。

資料顯示，三星電子一期投資108億美元，建成了三星電子存儲芯片項目和封裝測試項目。2019年，一期項目和封裝測試項目全部實施完畢，并實現(xiàn)滿負荷量產(chǎn)，實現(xiàn)產(chǎn)值513億元人民幣。

二期項目總投資150億美元，主要制造閃存芯片。其中，第一階段投資約70億美元，第二階段投資80億美元。按照規(guī)劃，三星西安二期第一季階段于2020年3月竣工投產(chǎn)，第二階段將于2021年下半年竣工。

2020年3月10日，三星（中國）半導體有限公司高端存儲芯片二期第一階段項目產(chǎn)品正式下線上市。據(jù)中國青年報此前報道，三星電子二期第一季預(yù)計今年8月份可實現(xiàn)滿產(chǎn)。

三星西安二期項目建成后將新增產(chǎn)能每月13萬片，占三星電子全球產(chǎn)量的40%，新增產(chǎn)值300億元，解決上千人就業(yè)，并帶動一批配套電子信息企業(yè)落戶，使西安成為全球水平最高、規(guī)模最大的閃存芯片制造基地。
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