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中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“中微”)在本周舉辦的SEMICON China期間正式發(fā)布了第一代電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備Primo nanova?，用于大批量生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片和邏輯芯片的前道工序。該設(shè)備采用了中微具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的電感耦合等離子體刻蝕技術(shù)和許多創(chuàng)新的功能，以幫助客戶達(dá)到芯片制造工藝的關(guān)鍵指標(biāo)。

例如關(guān)鍵尺寸(CD)刻蝕的精準(zhǔn)度、均勻性和重復(fù)性等。其創(chuàng)新的設(shè)計(jì)包括：完全對(duì)稱的反應(yīng)腔，超高的分子泵抽速;獨(dú)特的低電容耦合線圈設(shè)計(jì)和多區(qū)細(xì)分溫控靜電吸盤(ESC)。憑借這些特性和其他獨(dú)特功能，該設(shè)備將為7納米、5納米及更先進(jìn)的半導(dǎo)體器件刻蝕應(yīng)用提供比其他同類設(shè)備更好的工藝加工能力，和更低的生產(chǎn)成本。

中微 Primo nanova?刻蝕機(jī)已獲得多家客戶訂單，設(shè)備產(chǎn)品已陸續(xù)付運(yùn)。中微首臺(tái)Primo nanova?設(shè)備已在客戶生產(chǎn)線上正常運(yùn)行，良率穩(wěn)定。目前公司正在和更多客戶合作，進(jìn)行刻蝕評(píng)估。在中微提供了一系列電容耦合等離子體刻蝕設(shè)備之后，這一電感耦合等離子體刻蝕新設(shè)備大大增強(qiáng)了中微的刻蝕產(chǎn)品線，能涵蓋大多數(shù)芯片前段的刻蝕應(yīng)用。

當(dāng)今芯片制造所采用的新材料、新的器件結(jié)構(gòu)、雙重模板以至四重模板工藝和其他新的技術(shù)正在推動(dòng)器件尺度的不斷縮小，這使得芯片的制造越來(lái)越復(fù)雜。中微開發(fā)Primo nanova? 時(shí)，充分考慮了在這種苛刻的加工環(huán)境中，如何使刻蝕達(dá)到在晶圓片內(nèi)更好的刻蝕均勻性和實(shí)時(shí)的控制能力、為芯片制造提供更寬的工藝窗口，以達(dá)到客戶日益提高的技術(shù)要求，并實(shí)現(xiàn)較低的制造成本。

“Primo nanova?采用了當(dāng)下最先進(jìn)的等離子體刻蝕技術(shù)，為前沿客戶提供更具創(chuàng)新、更靈活的解決方案?！敝形⒏笨偛眉娴入x子體刻蝕產(chǎn)品部總經(jīng)理倪圖強(qiáng)博士說(shuō)道，“該設(shè)備不僅能夠用于多種導(dǎo)體刻蝕工藝，比如淺溝槽隔離刻蝕、多晶硅柵極刻蝕;同時(shí)可用于介質(zhì)刻蝕，如間隙壁刻蝕、掩?？涛g、回刻蝕等，具有業(yè)界領(lǐng)先的生產(chǎn)率和卓越的晶圓內(nèi)加工性能。這項(xiàng)基于電感耦合等離子體的刻蝕技術(shù)既可以用于刻蝕垂直深孔，也可以用于刻蝕淺錐形輪廓。此外，由于這個(gè)設(shè)備占地面積小、減少了耗材的使用，有相當(dāng)大的成本優(yōu)勢(shì)。我們非常高興看到客戶已經(jīng)從該設(shè)備投入生產(chǎn)中獲益?！?br /> （責(zé)任編輯：fqj）