chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

就第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項目推進開展“云洽談”

nDFv_cnledw2013 ? 來源:全球半導(dǎo)體觀察 ? 2020-05-15 10:31 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近日,廣西桂林高新區(qū)管委會與位于中國臺灣的欣憶電子股份有限公司通過視頻連線召開海峽兩岸項目推進會,就第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項目推進開展“云洽談”。

據(jù)桂林日報報道,第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項目一期總投資16億元,計劃用地120畝,擬將依托桂林電子科技大學(xué)科研與人才優(yōu)勢,在桂林國家高新區(qū)建設(shè)獲利能力較強、國內(nèi)外市場影響力較大的氮化鎵集成電路生產(chǎn)線。

當(dāng)前,多個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)項目落戶桂林,如桂林光芯片半導(dǎo)體工藝平臺產(chǎn)業(yè)化項目、華為智能制造產(chǎn)業(yè)園項目、桂林軍民融合電子生態(tài)產(chǎn)業(yè)園項目等。

如今,桂林或?qū)⒃儆瓉硪粋€第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項目。屆時,桂林將借項目吸引高端技術(shù)人才引進,帶動更多半導(dǎo)體上、下游及配套產(chǎn)業(yè)集聚,在桂林市乃至廣西打造一個國內(nèi)重要的特色集成電路產(chǎn)業(yè)基地。

桂林日報指出,欣憶電子股份有限公司為臺商獨資高新技術(shù)企業(yè),總部設(shè)在中國臺灣新竹,主要從事半導(dǎo)體封裝測試設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售,為亞太地區(qū)半導(dǎo)體設(shè)備商三大廠商之一。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    30764

    瀏覽量

    264376
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    67

    文章

    1893

    瀏覽量

    119799
  • 智能制造
    +關(guān)注

    關(guān)注

    48

    文章

    6238

    瀏覽量

    79950

原文標(biāo)題:6英寸氮化鎵項目落戶廣西桂林,總投資16億元

文章出處:【微信號:cnledw2013,微信公眾號:CNLED網(wǎng)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強于2015年在深圳市華強北成立,當(dāng)時掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體

    深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強于2015年在深圳市華強北成立,當(dāng)時掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料的肖特基二極管和碳化硅mos管的生產(chǎn)技術(shù),開啟了在半導(dǎo)體行業(yè)高速發(fā)
    發(fā)表于 01-31 08:46

    龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺

    今天,龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?661次閱讀
    龍騰<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃蓟杵骷杀居型?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?,碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
    的頭像 發(fā)表于 01-16 11:41 ?399次閱讀

    高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測試中的應(yīng)用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導(dǎo)體器件的動態(tài)特性、柵極電流測量及開關(guān)損耗計算。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:16 ?267次閱讀

    青禾晶元常溫鍵合方案,破解第三代半導(dǎo)體異質(zhì)集成熱損傷難題

    關(guān)鍵詞: 常溫鍵合;第三代半導(dǎo)體;異質(zhì)集成;半導(dǎo)體設(shè)備;青禾晶元;半導(dǎo)體技術(shù)突破;碳化硅(SiC);氮化
    的頭像 發(fā)表于 12-29 11:24 ?397次閱讀
    青禾晶元常溫鍵合方案,破解<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>異質(zhì)集成熱損傷難題

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計及市場定位等多重因素影響,整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)?;当静⒋妗钡奶卣鳌R?、成本構(gòu)成:核心
    發(fā)表于 12-25 09:12

    上海永銘:第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵,如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案

    AMEYA360理品牌:上海永銘第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵,如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案 ? 引言:氮化(GaN)與碳化硅(
    的頭像 發(fā)表于 12-04 15:34 ?343次閱讀

    CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會

    10月25日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長臧沖主持會議。
    的頭像 發(fā)表于 10-27 18:05 ?1437次閱讀

    材料與應(yīng)用:第三代半導(dǎo)體引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)升級

    氮化(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料,正加速替代傳統(tǒng)硅基材料,在新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?;瘧?yīng)用。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度,成為高頻通信、
    的頭像 發(fā)表于 10-13 18:29 ?610次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?810次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>B3M平臺深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?740次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運而生。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2483次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進一步推動算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?927次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    從清華大學(xué)到未來科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅守!

    從清華大學(xué)到未來科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅守!近年來,珠海市未來科技有限公司(以下簡稱“未來”)在第三代
    發(fā)表于 05-19 10:16

    意法半導(dǎo)體推進8英寸SiC戰(zhàn)略,引領(lǐng)行業(yè)規(guī)?;l(fā)展

    新的機遇和挑戰(zhàn)。為了更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局,探索未來的前進方向,行家說三代半與行家極光獎聯(lián)合策劃了 《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)-行家瞭望2025》 專題報道。 ? ? 日前, 意法半導(dǎo)體意法
    的頭像 發(fā)表于 04-10 09:18 ?4352次閱讀