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詳析不同磁場強(qiáng)度下點(diǎn)接觸的零偏壓電阻隨著平面內(nèi)磁場方向的變化

ExMh_zhishexues ? 來源:知社學(xué)術(shù)圈 ? 作者:知社學(xué)術(shù)圈 ? 2020-06-24 10:31 ? 次閱讀
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凝聚態(tài)物理學(xué)中,自發(fā)對(duì)稱性破缺現(xiàn)象對(duì)于相變的研究往往具有非常重要的意義。超導(dǎo)相變通常與規(guī)范對(duì)稱性破缺相關(guān),而其他類型對(duì)稱性破缺的出現(xiàn),往往會(huì)誘導(dǎo)一些非常規(guī)超導(dǎo)電性,例如時(shí)間反演對(duì)稱性破缺和晶格旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性破缺。

最近,來自浙江大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)與日本東京大學(xué),中科院物理所,浙江工業(yè)大學(xué),復(fù)旦大學(xué)等單位合作,報(bào)道了在具有六角晶格結(jié)構(gòu)的拓?fù)洳牧螾bTaSe2的超導(dǎo)態(tài)中,觀測到電阻上臨界場和點(diǎn)接觸譜中具有的二重對(duì)稱現(xiàn)象。這種二重對(duì)稱性在塊體超導(dǎo)電性被抑制后依舊存在,并且一直持續(xù)到表面超導(dǎo)的上臨界場,意味著其可能是一種“僅存在于表面”的向列性超導(dǎo)。作為佐證,對(duì)塊體的平面內(nèi)的磁場轉(zhuǎn)角比熱測量,并沒有觀測到超導(dǎo)態(tài)的六度晶格旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性破缺現(xiàn)象。理論計(jì)算發(fā)現(xiàn)這種向列超導(dǎo)電性可能來源于PbTaSe2的拓?fù)浔砻鎽B(tài)超導(dǎo)。這些發(fā)現(xiàn),為揭示向列超導(dǎo)電性與非平庸拓?fù)湫再|(zhì)的關(guān)系提供了新的視角。

諸如銅氧化物超導(dǎo)材料,鐵基超導(dǎo)材料和重費(fèi)米子材料等一系列凝聚態(tài)物質(zhì),均呈現(xiàn)出奇異的電子向列序行為,其對(duì)稱性低于晶格的旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性,這與液晶的向列性極其相似。另一方面,伴隨著拓?fù)浣^緣體和拓?fù)浒虢饘俚陌l(fā)現(xiàn),拓?fù)涑瑢?dǎo)體因?yàn)槠湓谕負(fù)淞孔佑?jì)算中的應(yīng)用前景而吸引了眾多研究者的注意力。其中,拓?fù)涑瑢?dǎo)候選材料CuxBi2Se3表現(xiàn)出晶格旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性破缺,被認(rèn)為與拓?fù)涑瑢?dǎo)電性緊密相關(guān)。因此,在其他拓?fù)涑瑢?dǎo)候選材料中尋找向列性超導(dǎo)尤為重要,它將有助于進(jìn)一步研究向列性超導(dǎo)與能帶非平庸拓?fù)湫再|(zhì)的關(guān)系。 人們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)非中心對(duì)稱超導(dǎo)材料PbTaSe2存在著狄拉克節(jié)點(diǎn)線及其自旋極化的拓?fù)浔砻鎽B(tài)。作為一個(gè)純凈的化合物,PbTaSe2是一個(gè)非常合適的拓?fù)涑瑢?dǎo)候選材料。最近,通過磁場轉(zhuǎn)角的電阻和點(diǎn)接觸譜測量手段,來自浙江大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn),PbTaSe2的平面內(nèi)電阻上臨界場以及點(diǎn)接觸譜都呈現(xiàn)出明顯的二重對(duì)稱性,并且一直持續(xù)到電阻上臨界場。由于體態(tài)的超導(dǎo)電性在比熱對(duì)應(yīng)的上臨界場時(shí)已經(jīng)被抑制,結(jié)合理論分析,他們推測PbTaSe2中觀測到的向列性超導(dǎo)很可能只與拓?fù)浔砻鎽B(tài)超導(dǎo)有關(guān)。

詳析不同磁場強(qiáng)度下點(diǎn)接觸的零偏壓電阻隨著平面內(nèi)磁場方向的變化

圖1.(a)PbTaSe2磁場轉(zhuǎn)角的軟點(diǎn)接觸譜測量示意圖。(b)1.8 K時(shí),不同磁場強(qiáng)度下點(diǎn)接觸的零偏壓電阻隨著平面內(nèi)磁場方向的變化;(c)在1.8 K,0.3 T時(shí),點(diǎn)接觸電導(dǎo)曲線隨著平面內(nèi)磁場方向的三維等高圖;(d) 0.35 K時(shí),在不同磁場下比熱隨著平面內(nèi)磁場方向的變化,曲線有平移。

圖1(a)是磁場轉(zhuǎn)角下的軟點(diǎn)接觸譜技術(shù),其中磁場方向始終在樣品的ab平面內(nèi)。圖1(b)表示溫度在1.8 K時(shí)不同磁場強(qiáng)度下,零偏壓點(diǎn)接觸電阻(ZBR)隨著平面內(nèi)磁場方向的變化。~1.0 T以下,可以看到ZBR明顯的啞鈴狀二重對(duì)稱行為,這表明超導(dǎo)能隙各向異性,且具有C2對(duì)稱性。通過在1.8 K,0.3 T時(shí)不同磁場方向點(diǎn)接觸電導(dǎo)曲線G(V)的三維等值線彩圖,可以發(fā)現(xiàn)安德列夫反射引起的電導(dǎo)峰寬度及強(qiáng)度也呈現(xiàn)出二重對(duì)稱的行為,其結(jié)果如圖1(c)所示。當(dāng)磁場沿著平行于Se-Se (Pb-Pb)的晶軸時(shí),超導(dǎo)信號(hào)被平面內(nèi)的磁場顯著減弱了,點(diǎn)接觸電導(dǎo)曲線G(V)的電導(dǎo)峰結(jié)構(gòu)比較瘦弱,表明上臨界場的最小值是沿著晶軸方向。因此,這里在超導(dǎo)態(tài)內(nèi)觀測到的二重對(duì)稱行為表明,PbTaSe2中存在著因?yàn)榫Ц裥D(zhuǎn)對(duì)稱性破缺而具有的向列性超導(dǎo)。

同時(shí),他們注意到ZBR的二重對(duì)稱性強(qiáng)度隨著平面內(nèi)磁場的增大,在0.2-0.4 T時(shí)達(dá)到最大,且一直持續(xù)到~0.8 T??紤]到PbTaSe2存在自旋極化的拓?fù)浔砻鎽B(tài),他們推測這種向列性超導(dǎo)可能與體態(tài)超導(dǎo)無關(guān),僅僅起源于超導(dǎo)的拓?fù)浔砻鎽B(tài)。而合作者們?cè)谄矫鎯?nèi)磁場轉(zhuǎn)角比熱測量中并沒有觀察到體態(tài)超導(dǎo)的各向異性行為,如圖1(d)所示。據(jù)他們所知,這可能是第一次在實(shí)驗(yàn)上觀測到僅來自于表面的向列性超導(dǎo)。

來自PbTaSe2表面的向列性超導(dǎo)的起源還有待進(jìn)一步的研究,但是他們的研究結(jié)果表明PbTaSe2作為一個(gè)純凈的化合物,可能是研究向列性超導(dǎo)與拓?fù)涑瑢?dǎo)關(guān)系的理想材料體系。同時(shí),合作者們也從理論上分析了PbTaSe2拓?fù)浔砻鎽B(tài)形成超導(dǎo)后可能的庫伯對(duì)配對(duì)對(duì)稱性,并發(fā)現(xiàn)當(dāng)A1和E超導(dǎo)配對(duì)態(tài)混合存在時(shí),可以出現(xiàn)實(shí)驗(yàn)中觀測到的向列性超導(dǎo)。具體內(nèi)容請(qǐng)參見原文。

本研究由國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃(2016FYA0300402, 2017YFA0303101, 2016YFA0300202)、國家自然科學(xué)基金(11674279, U1732162, 11974061, 11774306, 11374257)、浙江省杰出青年基金(LR18A04001)和中科院先導(dǎo)計(jì)劃(XDB28000000)等項(xiàng)目資助。日本合作者由JSPS-KAKENHI (JP20H05164, 19K14661, 15H05883, 18H01161, JP17K05553)和J-Physics(18H04306)等項(xiàng)目資助。
責(zé)任編輯:pj

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