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湖南三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開工活動在長沙高新區(qū)舉行

中國照明電器協(xié)會 ? 來源:中國照明電器協(xié)會 ? 2020-08-12 09:51 ? 次閱讀
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長沙晚報(bào)消息,7月20日,湖南三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開工活動在長沙高新區(qū)舉行。湖南三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資160億元,總占地面積1000畝。湖南省委常委、長沙市委書記胡衡華宣布項(xiàng)目開工,長沙市委副書記、市長、湖南湘江新區(qū)黨工委書記鄭建新致辭,三安集團(tuán)董事長林秀成、總經(jīng)理林科闖出席。

據(jù)三安光電此前公告,6月15日,三安光電與長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會簽署《項(xiàng)目投資建設(shè)合同》。三安光電決定在長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會園區(qū)成立子公司,投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈。 項(xiàng)目實(shí)施主體為擬成立的長沙控股子公司,將研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6吋SiC導(dǎo)電襯底、4吋半絕緣襯底、SiC二極管外延、SiC MOSFET外延、SiC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。 三安光電稱,公司在用地各項(xiàng)手續(xù)和相關(guān)條件齊備后24個月內(nèi)完成一期項(xiàng)目建設(shè)并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn),48個月內(nèi)完成二期項(xiàng)目建設(shè)和固定資產(chǎn)投資并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn),72個月內(nèi)實(shí)現(xiàn)達(dá)產(chǎn)。

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原文標(biāo)題:湖南三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開工,總投資160億

文章出處:【微信號:CALI_1989,微信公眾號:中國照明電器協(xié)會】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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