長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開(kāi)工活動(dòng)在長(zhǎng)沙高新區(qū)舉行
7月20日，長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開(kāi)工活動(dòng)在長(zhǎng)沙高新區(qū)舉行。
長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資160億元，總占地面積1000畝，主要建設(shè)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后將形成超百億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，并帶動(dòng)上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預(yù)計(jì)逾千億元。
根據(jù)此前的公告披露，三安光電擬在長(zhǎng)沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)管理委員會(huì)園區(qū)成立子公司投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，包括長(zhǎng)晶—襯底制作—外延生長(zhǎng)—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6英寸SIC導(dǎo)電襯底、4英寸半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiC MOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。
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