長沙三安第三代半導體項目開工活動在長沙高新區(qū)舉行
7月20日，長沙三安第三代半導體項目開工活動在長沙高新區(qū)舉行。
長沙三安第三代半導體項目總投資160億元，總占地面積1000畝，主要建設具有自主知識產(chǎn)權的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。項目建成達產(chǎn)后將形成超百億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，并帶動上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預計逾千億元。
根據(jù)此前的公告披露，三安光電擬在長沙高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會園區(qū)成立子公司投資建設包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6英寸SIC導電襯底、4英寸半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiC MOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。
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原文標題：長沙三安第三代半導體項目開工
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