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MARCH 主要提供了哪兩種 RAM 檢測(cè)方式?

lhl545545 ? 來(lái)源:與非網(wǎng) ? 作者:佚名 ? 2020-08-28 14:44 ? 次閱讀
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隨著越來(lái)越多的工業(yè)應(yīng)用對(duì)產(chǎn)品的可靠性和安全性要求越來(lái)越高,我們?cè)谧霎a(chǎn)品設(shè)計(jì)的時(shí)候不僅要正確的實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品功能,同時(shí)也需要通過(guò)一些功能安全認(rèn)證,比如家電行業(yè)的 IEC60730 等或者 ISO13849 等。一般的系統(tǒng)故障可以通過(guò)設(shè)計(jì)的迭代和嚴(yán)格測(cè)試來(lái)避免,但是硬件的隨機(jī)失效理論上是無(wú)法完全消除的,所以要想提高硬件隨機(jī)失效的診斷覆蓋率,就需要軟硬件診斷機(jī)制來(lái)保障。

作為系統(tǒng)的核心控制部分,MCU 主平臺(tái)的診斷機(jī)制就是最關(guān)鍵的部分。針對(duì)一般通用的 MCU,以 Piccolo C2000 系列為例,硬件上提供了一些診斷或者校驗(yàn)機(jī)制,如下所示:

MARCH 主要提供了哪兩種 RAM 檢測(cè)方式?

同時(shí) TI 也提供了一些軟件診斷方案,如 MSP430 IEC60730 Software Package 和 C2000 SafeTI 60730 SW Packages 軟件庫(kù)等,可以提供很多的診斷測(cè)試功能,例如 CPU、時(shí)鐘、外設(shè)、RAM 等的診斷,已經(jīng)可以滿足一部分的需求。如下圖所示為 C2000 SafeTI 60730 SW Packages 中的功能和資源消耗。

然而在實(shí)際的應(yīng)用中,有些安全標(biāo)準(zhǔn)要求對(duì) RAM 進(jìn)行周期性的在線診斷,同時(shí)不能影響程序的正常運(yùn)行。但是程序在運(yùn)行過(guò)程中存儲(chǔ)在 RAM 中的數(shù)據(jù)會(huì)實(shí)時(shí)的變化,而 RAM 的診斷往往會(huì)破壞這些存儲(chǔ)的數(shù)據(jù),比如電機(jī)控制類的實(shí)時(shí)性要求較高的場(chǎng)合。所以在沒(méi)有 ECC 的情況下,如何對(duì) RAM 進(jìn)行實(shí)時(shí)在線的診斷是一個(gè)值得討論的問(wèn)題。

下面以電機(jī)控制為例,討論硬件校驗(yàn)的實(shí)現(xiàn),尤其是 RAM 在線檢測(cè)的過(guò)程。

1. 系統(tǒng)軟件流程

非破壞性的診斷可以放在背景循環(huán)里面進(jìn)行,這些軟件診斷不會(huì)對(duì)實(shí)時(shí)性中斷造成影響,例如看門狗測(cè)試,內(nèi)部晶振測(cè)試,F(xiàn)LASH CRC 校驗(yàn),靜態(tài)變量 RAM CRC 校驗(yàn),堆棧溢出判斷,以及 GPIO 口診斷等。另外一些破壞性的或者對(duì)實(shí)時(shí)控制有影響的診斷,可以放到主中斷中進(jìn)行,如 RAM March 校驗(yàn),ALU 診斷以及 CPU 寄存器診斷等。具體流程圖如下所示:

MARCH 主要提供了哪兩種 RAM 檢測(cè)方式?

2. RAM 診斷的方法

以 C2000 SafeTI 60730 SW Packages 為例,主要提供了兩種 RAM 檢測(cè)方式。

一種是 CRC 檢測(cè) STL_CRC_TEST_testRam,此功能用于測(cè)試 RAM 的位錯(cuò)誤。該測(cè)試以 0 和 1 的交替模式填充被測(cè) RAM 區(qū)域,并使用 PSA 計(jì)算 RAM 的 CRC。對(duì)于給定的 RAM 存儲(chǔ)器區(qū)域,如果 RAM 存儲(chǔ)器中沒(méi)有任何 stuck bit,則 CRC 值應(yīng)始終相同。并行串行分析器(PSA)是 c28x 器件中的一個(gè)模塊,可用于生成 40 位給定存儲(chǔ)區(qū)域上的 CRC。 PSA 多項(xiàng)式為 Y = x40 + x21 + x19 + x2 + 1。PSA 通過(guò)監(jiān)視數(shù)據(jù)讀取數(shù)據(jù)總線(DRDB)來(lái)計(jì)算 CRC 值。 一旦激活就會(huì)監(jiān)控 Data Read Data Bus (DRDB),當(dāng) CPU 通過(guò) DRDB 讀取數(shù)據(jù)時(shí),PSA 每個(gè)時(shí)鐘周期會(huì)為 DRDB 上的數(shù)據(jù)生成一個(gè) CRC。由于此測(cè)試具有破壞性,因此需要將要測(cè)試的 RAM 內(nèi)容保存到單獨(dú)的 RAM 位置。

MARCH 主要提供了哪兩種 RAM 檢測(cè)方式?

當(dāng)然也可以使用軟件 CRC 的方式,使用起來(lái)更靈活,并且可以選擇非破壞性的方式來(lái)計(jì)算 CRC,對(duì)一些靜態(tài)常量存儲(chǔ)的區(qū)域可以考慮這種 CRC 方式。另外一點(diǎn)是軟件 CRC 算法可以更方便的進(jìn)行代碼評(píng)估,以滿足不同安全標(biāo)準(zhǔn)的要求。

另一種是 MARCH 檢測(cè) STL_MARCH_TEST_testRam,此功能直接對(duì) RAM 進(jìn)行 32bit 的讀寫測(cè)試,可以選擇進(jìn)行 MarchC 13N 或者 MarchC- 測(cè)試。由于此測(cè)試具有破壞性,因此也需要將要測(cè)試的 RAM 內(nèi)容保存到單獨(dú)的 RAM 位置。

3. RAM 在線檢測(cè)的實(shí)現(xiàn)

由于需要周期性的 RAM 檢測(cè),以電機(jī)控制為例,可以將 RAM 檢測(cè)放到主中斷里面執(zhí)行。同時(shí)關(guān)鍵是不能影響控制程序的運(yùn)行和實(shí)時(shí)性,所以主要考慮兩點(diǎn):

第一是主中斷時(shí)間有限,要盡可能減小 RAM 檢測(cè)的時(shí)間,所以可以將 RAM 分成多個(gè)小段進(jìn)行檢測(cè),每段 RAM 越小,占用中斷的時(shí)間越小,但是所有 RAM 檢測(cè)一遍的時(shí)間會(huì)變長(zhǎng),這個(gè)需要綜合考慮。

第二是不能破壞 RAM 中的變量值,所以在檢測(cè)是之前將 RAM 段中的內(nèi)容保存到專門區(qū)域,戴檢測(cè)完成并且通過(guò)之后,再將保存好的數(shù)據(jù)恢復(fù)過(guò)來(lái),使用 memCopy 來(lái)提高效率。

具體實(shí)現(xiàn)方法如下:

首先定義好各個(gè) RAM 區(qū)間的地址范圍,可以參考具體的數(shù)據(jù)手冊(cè),如下所示:

MARCH 主要提供了哪兩種 RAM 檢測(cè)方式?

然后定義好檢測(cè)的范圍和每次檢測(cè)的數(shù)據(jù)長(zhǎng)度:

MARCH 主要提供了哪兩種 RAM 檢測(cè)方式?

注意由于 STL_MARCH_TEST_testRam 函數(shù)執(zhí)行 32 位讀 / 寫測(cè)試,而在測(cè)試 RAM 單元陣列時(shí),由于 RAM 單元的 16 位體系結(jié)構(gòu),所以要求起始地址為偶數(shù),結(jié)束地址為奇數(shù),可以測(cè)試的最大內(nèi)存范圍限制為 65535 個(gè) 32 位字。所以要求測(cè)試長(zhǎng)度也需要為奇數(shù)。

在主中斷里面的 RAM 在線檢測(cè)函數(shù)里,首先將要檢測(cè)區(qū)域的 RAM 值保存下來(lái):

if ((gStructSTLMonitor.NowRamAddrStart 》= MARCH_RAM_START)

&& (gStructSTLMonitor.NowRamAddrStart 《= (MARCH_RAM_END-RAM_CHK_NUM)))

{

gStructSTLMonitor.NowRamAddrEnd = gStructSTLMonitor.NowRamAddrStart + RAM_CHK_NUM;

memCopy((uint16_t *)gStructSTLMonitor.NowRamAddrStart,(uint16_t *)

gStructSTLMonitor.NowRamAddrEnd,(uint16_t *)MARCH_RAM_BK);

}

然后進(jìn)行檢測(cè):

gStructSTLMonitor.status = STL_MARCH_TEST_testRam((uint32_t *)

gStructSTLMonitor.NowRamAddrStart,(uint32_t *)gStructSTLMonitor.NowRamAddrEnd);

if(gStructSTLMonitor.status != SIG_RAM_MARCH_TEST)

{

STL_SetFail();

}

else

{

memCopy((uint16_t *)MARCH_RAM_BK,(uint16_t *)(MARCH_RAM_BK + RAM_CHK_NUM),

(uint16_t *)gStructSTLMonitor.NowRamAddrStart);

gStructSTLMonitor.NowRamAddrStart = gStructSTLMonitor.NowRamAddrEnd + 1;

gStructSTLMonitor.gTestStep++;

}

注意檢測(cè)成功之后馬上恢復(fù)當(dāng)前區(qū)域的 RAM 值,并為下一次檢測(cè)做好準(zhǔn)備。如果檢測(cè)發(fā)現(xiàn)故障,則進(jìn)入故障處理函數(shù)。
責(zé)任編輯:pj

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