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半導體工藝導致失調(diào)電壓是構(gòu)成電路直流誤差的重要影響因素之一?

電子森林 ? 來源:FPGA入門到精通 ? 作者:FPGA入門到精通 ? 2020-08-31 11:36 ? 次閱讀
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放大器的失調(diào)電壓是工程師在直流耦合電路設(shè)計中,評估頻次極高的參數(shù),本篇通過一個案例介紹失調(diào)電壓的影響方式,以及探討產(chǎn)生原因。

由失調(diào)電壓導致故障的一則案例

2019年8月11日(星期日)晚,筆者接到負責電源領(lǐng)域同事的信息,一家上市公司在汽車電子領(lǐng)域首款產(chǎn)品的小批量生產(chǎn)測試中出現(xiàn)異常,其中使用ADI放大器設(shè)計的電路發(fā)生“失效”問題,急需申請失效分析。8月12日上午現(xiàn)場拜訪該企業(yè),工程師講述電路設(shè)計不存在問題,并且通過ADI官方指定渠道購買15片ADA4851-1,其中2片芯片所在的板卡出現(xiàn)“失效”,將“失效”板卡中ADA4851-1芯片與正常工作板卡的ADA4851-1芯片進行互換,“失效”現(xiàn)象跟隨“異常芯片”繼續(xù)復(fù)現(xiàn),因此要求進行失效分析。

面對上述問題的現(xiàn)象描述,筆者無法定位問題的根源。與項目組負責人詳細了解電路圖和測試過程。如圖2.7,使用ADA4851-1組建差動放大電路,電路由+5V單電源供電,TP1000網(wǎng)絡(luò)由參考電壓源提供。工作中在輸入端TP1001網(wǎng)絡(luò)與TP1006網(wǎng)絡(luò)連接到地時,如果ADA4851-1的輸出端(TP1011網(wǎng)絡(luò))電壓超出±38.7mV時,系統(tǒng)判定電路出現(xiàn)異常并終止工作,上述2片“異常芯片”的輸出電壓均超過±38.7mV。

半導體工藝導致失調(diào)電壓是構(gòu)成電路直流誤差的重要影響因素之一?

圖2.7ADA4851-1應(yīng)用電路

參考ADA4851-1的電氣參數(shù)進行分析,如圖2.8。在25℃環(huán)境中,+5V供電,電路增益為1時,輸入失調(diào)電壓的典型值為0.6mV ,最大值為3.4mV。

半導體工藝導致失調(diào)電壓是構(gòu)成電路直流誤差的重要影響因素之一?

圖2.8 ADA4851-1輸入失調(diào)電壓

假定圖2.7中的比例電阻完全匹配,即R1000與R1010為220Ω,R1001與R1011為12KΩ。該差動放大電路的增益為54.4倍。輸入失調(diào)電壓經(jīng)過放大后的輸出應(yīng)為32.7mV(典型值)時電路正常工作,但是失調(diào)電壓最大值對應(yīng)的輸出值為185.5mV,已經(jīng)超出判定故障的閾值電壓。并且在+5V電壓供電時,ADA4851-1失調(diào)電壓的分布如圖2.9,輸入失調(diào)電壓為±1mV的情況出現(xiàn)頻次較高,此時對應(yīng)的輸出電壓為±54.4mV,同樣超出系統(tǒng)判定的閾值電壓。

半導體工藝導致失調(diào)電壓是構(gòu)成電路直流誤差的重要影響因素之一?

圖2.9 ADA4851-1輸入失調(diào)電壓分布

所以筆者與工程師確認,現(xiàn)有ADA4851-1應(yīng)用電路的輸出電壓折算到輸入端,均在數(shù)據(jù)手冊參數(shù)范圍內(nèi),工作不存在失效問題,該電路的軟件判定閾值設(shè)計不合理,建議整改辦法包括:

(1)調(diào)整判定故障的閾值電壓。

(2)使用低失調(diào)電壓的放大器,并類比ADA4528,在25℃環(huán)境中,+5V供電時,失調(diào)電壓最大值僅為2.5uV 如圖2.10。失調(diào)電壓的分布更為集中,如圖2.11。

半導體工藝導致失調(diào)電壓是構(gòu)成電路直流誤差的重要影響因素之一?

圖2.10 ADA4528-1電調(diào)電壓

半導體工藝導致失調(diào)電壓是構(gòu)成電路直流誤差的重要影響因素之一?

圖2.11 ADA4528-1失調(diào)電壓分布

通過該案例可見,失調(diào)電壓的存在,導致電路輸出產(chǎn)生直流誤差。

失調(diào)電壓與漂移定義

如圖2.12(a)為放大器模型,短路放大器的兩個輸入端(Vp、Vn),如果是理想放大器其輸出電壓Vo應(yīng)為0V。但是,真實放大器內(nèi)部處理Vp與Vn的輸入級存在失配,導致放大器的輸出不為0V。為了使真實放大器的輸出實現(xiàn)0V,需要在輸入管腳之間增加適合的校正電壓,稱為失調(diào)電壓(Offset voltage,Vos)。

如圖2.12(b),真實放大器的電壓傳遞曲線(VTC)不會過原點,它向左移還是右移由失配的方向決定。可以理解為在理想或無失調(diào)電壓放大器的一個輸入端串聯(lián)一個小電壓源Vos,其電壓傳遞曲線如式2-1。

半導體工藝導致失調(diào)電壓是構(gòu)成電路直流誤差的重要影響因素之一?

為了實現(xiàn)輸出電壓為0V,需要滿足式2-2。

半導體工藝導致失調(diào)電壓是構(gòu)成電路直流誤差的重要影響因素之一?

所以放大器的兩個輸入端電壓關(guān)系是近似相等,即“虛短”原則。Vos的取值范圍在毫伏到微伏。

半導體工藝導致失調(diào)電壓是構(gòu)成電路直流誤差的重要影響因素之一?

圖2.12 具有失調(diào)電壓的放大器模型和電壓傳遞曲線

對于某個放大器的失調(diào)電壓是確定值,但是放大器會因為溫度、工作時間變化,使輸入失調(diào)電壓產(chǎn)生隨其變化量比值的變化,該比值稱為失調(diào)電壓漂移(Offset Voltage Drift)。

(1)變量為溫度,單位是μV/℃,表示輸入失調(diào)電壓的變化量與導致該變化的溫度變化量的比值。數(shù)據(jù)手冊提供的參數(shù)為測量溫度范圍內(nèi)的平均值,符號為ΔVOS/ΔT,或者dVOS/dT。

考慮溫度漂移的失調(diào)電壓,為式2-3。

半導體工藝導致失調(diào)電壓是構(gòu)成電路直流誤差的重要影響因素之一?

如圖2.2,以ADA4077-1 SOIC封裝 B級芯片為例,在25℃環(huán)境中,供電電壓為±15V,失調(diào)電壓最大值為35μV,失調(diào)電壓漂移最大值為0.25μV/℃。當芯片溫度上升到75℃時,將參數(shù)代入式2-3計算失調(diào)電壓變化為47.5μV。

半導體工藝導致失調(diào)電壓是構(gòu)成電路直流誤差的重要影響因素之一?

圖2.2 ADA4077失調(diào)電壓與溫漂

(2)變量為時間,單位是μV/Mo,表示失調(diào)電壓每月變化多少微伏。代表放大器在長期工作中失調(diào)電壓的穩(wěn)定性。

如圖2.18,ADA4077數(shù)據(jù)手冊提供實測10000小時失調(diào)電壓漂移。工程師以此模擬系統(tǒng)長期運行,可以評估在設(shè)備長期工作中放大器失調(diào)電壓的穩(wěn)定情況。

失調(diào)電壓漂移是放大器電路設(shè)計中難以處理的參數(shù),因為它的存在隨時會產(chǎn)生新的失調(diào)電壓,所以常見的處理方法是使用失調(diào)電壓漂移參數(shù)小的放大器。

半導體工藝導致失調(diào)電壓是構(gòu)成電路直流誤差的重要影響因素之一?

圖2.18 ADA4077實測10000小時的失調(diào)電壓長期漂移

失調(diào)電壓產(chǎn)生原因

(1)輸入級的制造工藝

放大器輸入失調(diào)電壓的產(chǎn)生,主要由于輸入級對稱三極管晶圓的不匹配所導致。如圖2.13,三極管(Q1,Q2)的匹配度,在一定范圍內(nèi)和晶圓面積的平方根成正比,就是說匹配度提高到原來的兩倍,晶圓面積就是原來的四倍。當達到一定水平后,增加晶圓面積也不能改善輸入失調(diào)電壓,另外增加面積會直接增加芯片的制造成本。所以,常用的方法是在放大器生產(chǎn)后再進行測試與校準,或者在輸出級使用斬波等技術(shù)改善放大器的失調(diào)電壓。

半導體工藝導致失調(diào)電壓是構(gòu)成電路直流誤差的重要影響因素之一?

圖2.13放大器輸入級電路

如表2.1為ADI不同種類放大器的失調(diào)電壓范圍,及代表型號。

半導體工藝導致失調(diào)電壓是構(gòu)成電路直流誤差的重要影響因素之一?

表2.1 多類放大器的失調(diào)電壓范圍和代表型號

(2)芯片封裝技術(shù)

放大器的封裝類型,通常包括SOIC、MSOP、LFCSP、SOT-23幾種,大多數(shù)放大器的封裝不會影響失調(diào)電壓。如圖2.14所示ADA4528-1 有MSOP、LFCSP封裝兩種,失調(diào)電壓的典型值,最大值、最小值沒有因為封裝而不同,如圖2.10。

半導體工藝導致失調(diào)電壓是構(gòu)成電路直流誤差的重要影響因素之一?

圖2.14 ADA4528-1封裝示意圖

但是少數(shù)放大器的封裝技術(shù)會影響放大器的失調(diào)電壓。如圖2.2,ADA4077-2 A級的MSOP封裝芯片的失調(diào)電壓最大值為90μV,典型值為50μV。同等條件下SOIC封裝的ADA4077-2 A級芯片的失調(diào)電壓最大值為50μV,典型值為15μV。兩種封裝失調(diào)電壓的分布也存在明顯區(qū)別,其中SOIC封裝的失調(diào)電壓分布相對集中,如圖2.15。

半導體工藝導致失調(diào)電壓是構(gòu)成電路直流誤差的重要影響因素之一?

圖2.15 ADA4077-2MSOP與SOIC封裝的失調(diào)電壓分布

注:芯片規(guī)格書中常見A級、B級產(chǎn)品,在生產(chǎn)的原材料,制造過程完全一致,區(qū)別在封裝測試完成以后,將個別較好的參數(shù)進行標記。

綜上,由于半導體工藝所導致失調(diào)電壓是構(gòu)成電路直流誤差的重要影響因素之一。在穩(wěn)定的環(huán)境中,由失調(diào)電壓導致的直流誤差可以進行校準,但是失調(diào)電壓漂移所產(chǎn)生影響無法過校準完全消除。
責任編輯:pj

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