隨著 5G 的到來，市場對氮化鎵器件的需求猛增。據(jù)市場調(diào)研公司 Yole Development 預(yù)測，全球 GaN RF 器件的市場規(guī)模到 2024 年將超過 20 億美元，其中無線通信將占據(jù)絕大部分。而作為射頻領(lǐng)域的專家，Qorvo 在這個(gè)領(lǐng)域也有著領(lǐng)先的優(yōu)勢。

Qorvo 提供全面的 GaN/GaAs 代工流程和先進(jìn)的封裝專業(yè)知識產(chǎn)品組合，能提供業(yè)界廣泛的 RF GaN-on-SiC（碳化硅氮化鎵）產(chǎn)品組合，幫助客戶實(shí)現(xiàn)卓越的效率和運(yùn)行帶寬，還能縮小器件的體積，進(jìn)而降低材料成本。這些小尺寸的器件還帶來了更低的電容和組合損耗，在幫助設(shè)計(jì)人員設(shè)計(jì)帶寬更寬的放大器之余，還能獲得更高的效率和增益。

在今天開幕的 ELEXCON 2020 電子展上，Qorvo 將會亮相展會特設(shè)的“ GaN & SiC 展區(qū)”，帶來公司在射頻氮化鎵和電源方面的精彩分享。

在射頻氮化鎵方面，Qorvo將帶來包括 QPF4005 和 QPF4006 在內(nèi)的 39GHz FEM 組合系列。其中 QPF4005 是一款雙通道多功能 GaN MMIC 前端模塊，適用于 39GHz 相控陣 5G 基站和終端。對于每個(gè)通道，多功能 MMIC 芯片均包含一個(gè)低噪聲放大器，一個(gè)低插入損耗高隔離度 TR 開關(guān)和一個(gè)高增益高效多級 PA。而 QPF4006 是面向 39GHz 相控陣 5G 基站和終端的多功能 GaN MMIC 前端模塊。該器件結(jié)合了低噪聲高線性度 LNA，低插入損耗高隔離度 TR 開關(guān)和高增益高效多級 PA。

來到電源方面，則主要是Qorvo收購的Active-Semi的核心優(yōu)勢。作為數(shù)十億美元規(guī)模的電源管理和智能電機(jī)驅(qū)動集成芯片市場上迅速崛起的領(lǐng)導(dǎo)者。Active-Semi所提供的模擬和混合信號SoC產(chǎn)品組合為工業(yè)、商業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用提供用于充電系統(tǒng)、供電系統(tǒng)和嵌入式數(shù)字控制系統(tǒng)的可擴(kuò)展核心平臺，其提供的Power Application Controller（PAC）和可編程模擬IC可大大縮減解決方案尺寸和成本，提高系統(tǒng)可靠性并縮短系統(tǒng)開發(fā)時(shí)間。

歡迎大家在電子展期間（2020 年 9 月 9-11 日）蒞臨深圳國際會展中心(寶安) 9、11 號館“GaN & SiC 展示專區(qū)”9M52-B 展位，與 Qorvo 來一場不見不散的約定。

原文標(biāo)題：Qorvo 亮相 ELEXCON 2020

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