全球電子元器件與開發(fā)服務(wù)分銷商e絡(luò)盟宣布供應(yīng)安世半導(dǎo)體最新系列功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）。該創(chuàng)新系列GaN FET外形尺寸小，可實(shí)現(xiàn)高功率密度及高效率功率轉(zhuǎn)換，能夠以較低的成本開發(fā)出更高效系統(tǒng)，同時(shí)還可助力電動(dòng)車、5G通信、物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用改進(jìn)電源性能。隨著越來(lái)越多的立法提高碳排放減排要求，實(shí)現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換和更高的電氣化水平勢(shì)在必行。GaN FET這一創(chuàng)新系列為設(shè)計(jì)工程師提供了真正解決這些問題的有效方案。

GaN技術(shù)突破了硅基IGBT和SiC等現(xiàn)有技術(shù)的諸多局限，可為各種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用帶來(lái)直接和間接的性能效益。在電動(dòng)車領(lǐng)域，GaN技術(shù)可直接降低功率損耗，從而為汽車實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的行駛里程。同時(shí)，更高效的功率轉(zhuǎn)換還能降低使用冷卻系統(tǒng)進(jìn)行散熱的需求，這有利于減輕車身重量并降低系統(tǒng)復(fù)雜性，繼而可實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的行駛里程，或是使用更小的電池達(dá)到相同的里程。 功率GaN FET也非常適用于數(shù)據(jù)中心、電信基礎(chǔ)設(shè)施及工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用。

GaN FET系列可為各種方案應(yīng)用提供卓越性能，包括AC-DC圖騰柱PFC硬開關(guān)應(yīng)用、LLC移相全橋軟開關(guān)應(yīng)用（諧振或固定頻率）、所有DC-AC逆變器拓?fù)湟约笆褂秒p向開關(guān)的AC-AC矩陣式轉(zhuǎn)換器等。

主要優(yōu)勢(shì)包括：

柵極驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單、低 RDS（on）及快速開關(guān)

卓越的體二極管（低Vf）、低反向恢復(fù)電荷 Qrr

堅(jiān)固耐用

低動(dòng)態(tài) RDS（on）

開關(guān)性能穩(wěn)定

柵極驅(qū)動(dòng)抗干擾性強(qiáng) （Vth ~ 4 V）

Farnell及e絡(luò)盟全球半導(dǎo)體與單板計(jì)算機(jī)總監(jiān)Lee Turner表示：“安世半導(dǎo)體以其豐富多樣的創(chuàng)新半導(dǎo)體產(chǎn)品而享譽(yù)全球。我們很高興能夠引入安世半導(dǎo)體的功率GaN FET系列，以便進(jìn)一步提升對(duì)客戶的支持服務(wù)。GaN是高效電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域的前沿技術(shù)，此次引入的這些新產(chǎn)品將是未來(lái)創(chuàng)新物聯(lián)網(wǎng)、汽車和通信設(shè)計(jì)方案的關(guān)鍵組成部分?！?/p>

為了支持尋求采用GaN FET技術(shù)的客戶，F(xiàn)arnell和e絡(luò)盟社區(qū)共同舉辦了一次網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)，邀請(qǐng)了來(lái)自安世半導(dǎo)體的GaN國(guó)際產(chǎn)品營(yíng)銷工程師Ilian Bonov“深入剖析”這項(xiàng)新技術(shù)。網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)主題為 “采用安世半導(dǎo)體GaN FET設(shè)計(jì)高效、穩(wěn)定的工業(yè)電源”，全面介紹了安世半導(dǎo)體cascode技術(shù)的特點(diǎn)及其在軟硬開關(guān)拓?fù)渲械膽?yīng)用優(yōu)勢(shì)，并分享了一項(xiàng)4kW圖騰柱 PFC案例研究。
責(zé)任編輯：tzh