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[譯] 盡管DDR5快來了,DDR4還是取得新進展

40°研究院 ? 2020-09-23 16:37 ? 次閱讀
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DDR5暫無發(fā)布日期,DDR4正在取得重大進展。

今年夏天初,美光(Micron)和三星(Samsung)等公司宣布了采用DDR5的內存的巨大飛躍。盡管新版本似乎在我們的掌控之中,但仍需要一段時間才能將當前的PC和服務器設計為與DDR5兼容。

同時,為了幫助減緩需求曲線以提高數(shù)據速率,DDR4進行了升級,具有更高的密度,更快的速度和更快的響應速度。以下是DDR4的一些最新進展,以保持其3A游戲中的份額。

美光為游戲做好準備

美光的全球計算機內存和存儲消費品牌美光Crucial最近宣布了限量版Crucial Ballistix MAX 5100游戲DRAM。該存儲設備是為游戲玩家量身打造的Crucial Ballistix產品組合的一部分。

Crucial提供可定制的DRAM模塊以及鋁制散熱器,以最大程度地散熱。圖片由Micron提供給Crucial

該DRAM模塊可以以5,100 MT / s(每秒百萬次傳輸)的速度傳輸數(shù)據,遠遠超過了行業(yè)標準的3,200 MT / s的速度。

美光副總裁兼消費產品總經理Teresa Kelley描述了美光在DDR4方面的發(fā)展:“我們是第一個推出DDR4,第一個在游戲DRAM上安裝LED的公司,現(xiàn)在我們最新的Crucial Ballistix存儲器正在提供通過提供更高的幀頻和更好的系統(tǒng)性能,游戲玩家將擁有更銳利的優(yōu)勢?!?/p>

SMART Modular Technologies推出NVDIMM

DDR4進步的另一個參與者是SMART Modular Technologies。內存模塊,固態(tài)存儲產品和混合解決方案的開發(fā)人員最近分享了有關高密度,非易失性雙列直插式內存模塊(NVDIMM)的消息。這些模塊有16 GB和32 GB版本。這些模塊將以DDR4 3,200的速度運行。

NVDIMM對于大量敏感數(shù)據傳輸至關重要,因為在斷電或斷開電源輸入的情況下,NVDIMM會保留所有數(shù)據,直到電源恢復。美光公司計算和網絡業(yè)務的市場營銷副總裁Malcolm Humphrey解釋說,內存模塊是為動態(tài)環(huán)境設計的。

SMART的內存模塊將具有32 GB的高密度,從而可以集成更多芯片并傳輸更多信號。圖片由SMART Modular Technologies提供

他解釋說:“需要彈性內存和存儲以確保關鍵任務信息持續(xù)可用性的企業(yè)將從SMART的NVDIMM中受益?!?/p>

SMART的設備將結合美光的DDR4 DRAM技術以及內部制造的高速PCB設計,這些設計可在無限寫入耐力下運行。

Lexar成為新玩家,可加快數(shù)據速率

Lexar是一家以SSD卡,閃存驅動器,存儲卡和讀卡器聞名的公司。每種技術都有自己專用的質量保證實驗室,可以在啟動新設備之前進行廣泛的測試。Lexar加入了該計劃,以滿足更快的數(shù)據速率,更大的帶寬和更低的功耗的需求曲線。

該公司的兩個新的DRAM內存模塊提供了高級性能,將提高家用PC的速度。據說Lexar DDR4-2666 SODIMM筆記本內存和Lexar DDR4-2666 UDIMM臺式機內存可在1.2 V電壓下運行,并提供2666 MT / s的速度。

即使與其他制造商(例如美光公司)以5100 MT / s的速度創(chuàng)造終極的游戲體驗一樣,Lexar仍將目標鎖定在當前的同業(yè),學生和教師身上。

新型Lexar臺式機和筆記本電腦內存的運行速度將比普通家用PC快,這使其成為在家中工作的有用選擇。圖片由Lexar提供

“盡管遠程辦公室和任何地方的學習都在增加,但我們的目標是繼續(xù)提供具有卓越質量和性能的產品,以便您可以構建一個智能工作室或智能教室,以獲得最佳的用戶體驗,”總經理Mick Chen說道。雷克沙

盡管Lexar在內存游戲中還算是一個新生事物,但該公司正在為更快的數(shù)據傳輸速度而努力。

DDR5上市延遲,讓DDR4更新速度激增

DDR4的設計規(guī)格最初為2 GB的內存和1,600 MT / s的內存速度,但此峰值已發(fā)展為64 GB的內存選項,數(shù)據速度達到3200 MT / s。即使DDR5將具有雙倍的訪問內存和更低的功耗,但主要的吸引力在于數(shù)據的傳輸速度。

從外觀上看,美光仍在通過Critical Ballistix改進其DDR4,速度為6,666 MT / s。盡管如此,當DDR5完全實現(xiàn)時,預測將其設置為超過8400 MT / s的速度。

DDR5有望以更低的功耗,更快的數(shù)據傳輸和更高的密度來實現(xiàn)比DDR4更大的飛躍,從而實現(xiàn)更強的信號處理。圖片由美光科技提供

DDR5可能要過一段時間才會推出-由于當前的大流行而推遲了發(fā)布日期。但是,正如美光(Micron),雷克沙(Lexar)和SMART Modular Technologies這樣的公司所表明的那樣,這沒有理由阻止新DDR4模塊的發(fā)展。


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