快恢復(fù)二極管主要用作續(xù)流二極管，與快速開(kāi)關(guān)三極管并聯(lián)后面帶感性負(fù)載，如Buck，Boost變換器的電感、變壓器和電機(jī)，這些電路大部分是用恒脈脈寬調(diào)制控制，感性負(fù)載決定了流過(guò)續(xù)流二極管的電流是連續(xù)的，三極管開(kāi)通時(shí)，續(xù)流支路要截止以防短路，下面例子給出了三極管與續(xù)流二極管的相互作用。

圖1是簡(jiǎn)化的Buck電路。其輸出電壓Vout低于輸入電壓Vin。圖2是T1的控制信號(hào)和T1，D1的電壓、電流波形。有源器件T1，D1的開(kāi)通關(guān)斷相位如下：

T0時(shí)刻T1有開(kāi)通信號(hào)。輸入電壓Vin加在L，Cout的串聯(lián)支路，使iL線(xiàn)性增加。電感L和Vout決定電流，過(guò)一段時(shí)間后控制器使T1關(guān)斷，在斷續(xù)工作時(shí)，電感L儲(chǔ)能（W=0.5LiL2）通過(guò)續(xù)流支路傳送到Cout。

在t2時(shí)刻T1再次開(kāi)通，整個(gè)過(guò)程重復(fù)。

二極管的開(kāi)關(guān)過(guò)程可分為四部分：

A.T1導(dǎo)通時(shí)二極管阻斷;

B.阻斷到導(dǎo)通時(shí)間；開(kāi)通；

C.T1關(guān)斷，二極管導(dǎo)通；

D.導(dǎo)通到關(guān)斷瞬間；關(guān)斷。

圖1 Buck變換器電路圖

圖2 T1的控制信號(hào)和T1，D1的電壓、電流波形

A. 阻斷

MOFET導(dǎo)通時(shí)，二極管兩端的反壓是Vin。與所有的半導(dǎo)體一樣，二極管的陽(yáng)極到陰極有一個(gè)小電流（耐電流IR），漏電流由阻斷電壓，二極管芯片工作溫度和二極管制作技術(shù)決定。反向電壓導(dǎo)致的總功率損耗是：

PSP=VIN·IR

B. 開(kāi)通

三極管T1關(guān)斷瞬間，電感電流iL保持不變。二極管兩端電壓逐漸減小，電流逐漸上升。D1的電流上升時(shí)間等于T1的電流下降時(shí)間。關(guān)斷時(shí)在pn結(jié)存儲(chǔ)的大量電荷被載流子帶走，使得電流上升時(shí)pn結(jié)的電阻減小，二極管開(kāi)通時(shí)有電壓尖峰，由芯片溫度、-diF/dt和芯片工藝決定。

正向電壓尖峰與反向電壓相比很?。ā?0V），應(yīng)用時(shí)不影響二極管的工作（圖7中的D1波形）。但是二極管的開(kāi)通電壓尖峰增加了三極管的電壓應(yīng)力和關(guān)斷損耗。

電壓尖峰VFR決定了二極管的開(kāi)通捌耗。這些損耗隨開(kāi)關(guān)頻率線(xiàn)性增加。

C. 通態(tài)

一且開(kāi)通過(guò)程結(jié)束。二極管導(dǎo)通正向電流lF，pn結(jié)的門(mén)限電壓和半導(dǎo)體的電阻決定正向壓降VF。這個(gè)電壓由芯片溫度、正向電流IF和制造工藝決定。

利用數(shù)據(jù)手冊(cè)中的VTO和rT可以計(jì)算正向壓降和通態(tài)損耗。

圖3所示正向壓降的簡(jiǎn)化模型是：

VF=rT·IF+VTO

相應(yīng)的通態(tài)損耗是：

計(jì)算出來(lái)的損耗只是近似值，因?yàn)閂TO和rT隨溫度變化，而給出的只是在一定溫度下（TVJM的參考值。

圖3 典型的正向壓降VF與其簡(jiǎn)化模型VTO+IF·rT的關(guān)系

D. 關(guān)斷

與通態(tài)特性不同，高頻應(yīng)用時(shí)二極管的選擇是否合適主要取決于關(guān)斷特性的參數(shù)，三極管開(kāi)通時(shí)，電流IF的變化率等于三極管電流上升率di/dt。如果使用MOSFET或IGBT，其-diF/dt很容易超過(guò)1000A/μs。前面提到，二極管恢復(fù)阻斷能力前必須去除通態(tài)時(shí)存儲(chǔ)在pn結(jié)的載流子。這就會(huì)產(chǎn)生反向恢復(fù)電流，其波形取決于芯片溫度、正向電流IF，-diF/dt和制造工藝。

圖4是正向特性相同的金摻雜和鉑摻雜外延型二極管不同溫度下的反向恢復(fù)電流。

圖4 在TVJ=25℃和125℃時(shí)兩FRED二極管的反向恢復(fù)電流和電壓

相同溫度下不同制造工藝的二極管的反向恢復(fù)特性明顯不同。

鉑摻雜二極管反向恢復(fù)電流的減小速度很快（圖5（b）），可控少數(shù)載流子的金摻雜二極管的恢復(fù)特性較軟（圖5（a））。

恢復(fù)電流減小得很快，線(xiàn)路中分布電感導(dǎo)致的電壓尖峰越高。如果最大電壓超過(guò)三極管的耐壓值，就必須使用吸收電路以保障設(shè)備的安全工作。而且過(guò)高的du/dt會(huì)導(dǎo)致EMI/RFI問(wèn)題，在RFI受限的地方要使用復(fù)雜的屏蔽。

圖5 在TJ=125℃時(shí)不同-diF/dt的反向恢復(fù)電流

二極管的反向恢復(fù)電流不僅會(huì)增加二極管的關(guān)斷損耗。還會(huì)增加三極管的開(kāi)通損耗，因?yàn)樗彩嵌O管的反向電流。圖6（a）和（b）表明三極管開(kāi)通電流是電感電流加上二極管的反向恢復(fù)電流，而且開(kāi)通時(shí)間受trr影響會(huì)增大。

圖6（a）和（b）重點(diǎn)說(shuō)明軟恢復(fù)特性時(shí)低恢復(fù)電流的好處。首先，軟恢復(fù)特性的金摻雜二極管的電壓尖峰較小和反向恢復(fù)電流較小。因此二極管有低關(guān)斷損耗。其次，低反向恢復(fù)電流可減小三極管的開(kāi)通損耗。因此，二極管的選擇直接決定了兩個(gè)器件的功率損耗。

圖6 表示反向恢復(fù)電流影響的三極管的電流和電壓波形