全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電2020年交出亮麗成績(jī)單，預(yù)期全年美元營(yíng)收年成長(zhǎng)率逾三成并創(chuàng)下歷史新高。2021年雖然仍有新冠肺炎疫情蔓延、地緣政治及貿(mào)易戰(zhàn)等外在環(huán)境變數(shù)，但晶圓代工訂單強(qiáng)勁，第二季前產(chǎn)能利用率維持滿載。設(shè)備業(yè)者及市場(chǎng)法人看好臺(tái)積電2021年3nm產(chǎn)能建設(shè)及2nm技術(shù)研發(fā)加速進(jìn)行，全年資本支出將上看200億美元再創(chuàng)新高。

臺(tái)積電2020年資本支出估達(dá)170億美元，創(chuàng)下新高無(wú)虞。但7nm及5nm等先進(jìn)制程、16nm以上成熟制程等產(chǎn)能仍供不應(yīng)求。臺(tái)積電2021年持續(xù)擴(kuò)增產(chǎn)能以因應(yīng)強(qiáng)勁需求，包括Fab 18A廠第三期5nm產(chǎn)能將在第一季開(kāi)出，F(xiàn)ab 18B廠3nm產(chǎn)能建置正加速進(jìn)行，同時(shí)提升2nm閘極全球場(chǎng)效電晶體（GAAFET）技術(shù)研發(fā)速度等。

設(shè)備業(yè)者指出，受惠于5G及WiFi 6、人工智慧及高效能運(yùn)算（AI/HPC）、車用及物聯(lián)網(wǎng)晶片等晶圓代工需求強(qiáng)勁，臺(tái)積電看好2021年產(chǎn)能持續(xù)供不應(yīng)求，7nm及5nm接單幾乎全滿，成熟制程產(chǎn)能全線吃緊，加上3nm產(chǎn)能建設(shè)及美國(guó)5nm新廠動(dòng)工將同步展開(kāi)，持續(xù)增加極紫外光（EUV）曝光機(jī)及相關(guān)設(shè)備采購(gòu)規(guī)模，預(yù)期2021年資本支出將上看200億美元，連續(xù)三年創(chuàng)下歷史新高。

以2021年新廠建置進(jìn)度來(lái)看，臺(tái)積電針對(duì)3nm制程打造的Fab 18B廠共三期工程已動(dòng)工，美國(guó)5nm建廠即將展開(kāi)，南科Fab 14廠會(huì)再興建P8廠做為特殊制程晶圓廠，并在同一廠區(qū)內(nèi)興建先進(jìn)封裝技術(shù)生產(chǎn)基地。再者，竹科廠區(qū)將興建擁有兩座研發(fā)晶圓廠的研發(fā)中心，其中R1研發(fā)晶圓廠預(yù)計(jì)2021年完工，做為2nm及更先進(jìn)制程的研發(fā)基地，竹南先進(jìn)封裝廠則如期進(jìn)行。

根據(jù)預(yù)計(jì)臺(tái)積電3nm將于2022年第二季進(jìn)入量產(chǎn)，5G及HPC應(yīng)用會(huì)是主要產(chǎn)品線。根據(jù)臺(tái)積電規(guī)畫，3nm晶圓廠廠房基地面積約為35公頃，潔凈室面積將超過(guò)16萬(wàn)平方公尺，大約是22座標(biāo)準(zhǔn)足球場(chǎng)大小。3nm進(jìn)入量產(chǎn)時(shí)，當(dāng)年產(chǎn)能預(yù)估將超過(guò)每年60萬(wàn)片12吋晶圓。業(yè)界預(yù)期臺(tái)積電會(huì)是全球第一家提供3nm量產(chǎn)的半導(dǎo)體廠，該廠區(qū)也會(huì)是全球擁有最多EUV產(chǎn)能的超大型晶圓廠（GigaFab）。
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