翻譯自——newelectronics

摩爾定律已經(jīng)不能用了嗎？其實這取決于哪一方面。

斯坦福大學(xué)電氣工程教授Philip Wong與來自麻省理工學(xué)院、臺積電、加州大學(xué)伯克利分校的研究所的同事一起，寫了一篇關(guān)于硅尺度化進展的論文。文中指出，技術(shù)人員不應(yīng)該僅僅關(guān)注晶體管間距的縮放面積，而應(yīng)該關(guān)注每個連續(xù)節(jié)點的有效密度。

看看其他因素，芯片制造業(yè)正在回歸基本。在1975年國際電子設(shè)備會議（IEDM）上的演講中，英特爾的執(zhí)行官Gordon Moore決定用兩年的時間將設(shè)備密度定期提高一倍。在那之前，這個行業(yè)一直在以更快的速度發(fā)展，每年翻一番。到1975年，摩爾已經(jīng)看到進步的速度在下降。

Moore認為二維幾何縮放只是在同等成本下實現(xiàn)雙倍功能的一部分。他認為這是相當大的一部分，但肯定不是全部。他預(yù)測，芯片尺寸的顯著增加和電路設(shè)計的改進將滿足剩下的要求。然而，那時的晶圓廠才剛剛開始利用IBM研究員羅Robert Dennard注意到的比例因素： 更小、更緊湊的晶體管不僅可以實現(xiàn)成本改進，還可以實現(xiàn)能源改進。

上世紀80年代向CMOS的轉(zhuǎn)變加速了這一進程，直到本世紀頭十年中期，行業(yè)耗盡了Dennard規(guī)?；拇蟛糠趾锰?。在那之后，簡單的2D縮放將變得越來越麻煩。

這在最近幾年SRAM的擴展趨勢中最為明顯，從歷史上看，SRAM擴展一直是密度改進的良好指南。雖然它在邏輯上一直保持了28nm的步伐，但隨后就開始落后了，因為在金屬間距和晶體管尺寸不一樣的情況下，它很難做出增量的改進。

電路的進化

EDA工具供應(yīng)商Synopsys將在IEDM上做一個演示。它將展示在過去的幾年里，對縮放的貢獻是如何改變的。

Moore所稱的“電路智慧（Circuit cleverness）”已經(jīng)卷土重來，盡管與最初提出的形式有所不同。這一次，它的名字是設(shè)計-技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO）。通過讓設(shè)計人員就電路布局最合理的工藝變更提供建議，工藝工程師可以做出更好的權(quán)衡。這一點在SRAM的比例變化中顯而易見，由于晶圓布局的變化，密度出現(xiàn)了明顯的躍升。

Wong和Synopsys團隊認為，DTCO是未來10年實現(xiàn)1nm節(jié)點的關(guān)鍵因素。但是純維度縮放還沒有完全消失。雖然二維縮放的空間不大，但是三維縮放很有潛力，而不一定是像HBM這樣的內(nèi)存標準那樣堆疊芯片。你可以潛移默化地把它當成3D。

利用垂直尺寸的一種方法是將晶體管側(cè)轉(zhuǎn)。這將繼續(xù)場效應(yīng)晶體管的發(fā)展，從一個純平面器件，通過FinFET的垂直與頂部柵極接觸。通過將柵極包裹在晶體管的三面，鰭片對晶體管通道提供了更強的靜電控制。但超過5納米，需要全環(huán)繞柵極結(jié)構(gòu)（Gate-All-Around FET）。實際上，通過柵極的nanosheet可以滿足這一要求。更妙的是，盡管這增加了過程的復(fù)雜性和成本，但你可以通過堆疊nanosheet來獲得更多的驅(qū)動電流，就像FinFET通常使用兩個或更多的鰭片一樣。堆疊可能比multifin結(jié)構(gòu)消耗更少的區(qū)域。

對于FinFET來說，它應(yīng)該是較為先進的晶體管。在每一代新技術(shù)中，芯片制造商都能將晶體管規(guī)格縮小0.7倍，在器件層面上實現(xiàn)15%的性能提升、50%的面積增益、40%的功耗降低和35%的成本降低。幾年前，業(yè)界為了維持這種微縮路徑，從“老式”的平面MOSFET過渡到FinFET晶體管架構(gòu)。在FinFET中，源極和漏極之間的溝道呈鰭狀。柵極環(huán)繞這個3D溝道，從溝道的3個側(cè)面進行控制。這種多柵極結(jié)構(gòu)可以消除短溝道效應(yīng)，短溝道效應(yīng)會在柵極長度縮短時降低晶體管的性能。出色的短溝道控制至關(guān)重要，因為它為器件微縮奠定了基礎(chǔ)——允許更短的溝道長度和更低的工作電壓。

2012年，首批商用22nm FinFET問世。從那時起，F(xiàn)inFET架構(gòu)得到了改進，以提高性能和減少面積。例如，F(xiàn)inFET的3D特性允許增加鰭片高度，從而在相同的封裝面積上獲得更高的器件驅(qū)動電流。如今，工業(yè)界正在加緊生產(chǎn)“內(nèi)含”FinFET的10nm/7nm芯片。在最先進節(jié)點的單元層面，標準單元的Track高度為6T（這是單元面積的量度標準），每個器件的鰭片數(shù)量低至2個。

垂直堆疊的nanosheet：進化的一步

但隨著微縮至5nm以下，預(yù)計FinFET將失效。在減小柵極長度時，F(xiàn)inFET結(jié)構(gòu)反過來不能提供足夠的靜電控制。除此之外，向更低Track高度標準單元的演進需要向單鰭片器件過渡，即使鰭片高度進一步增加，單鰭片器件也不能提供足夠的驅(qū)動電流。

然而，隨著技術(shù)節(jié)點的變化，半導(dǎo)體行業(yè)并不急于轉(zhuǎn)向其他晶體管架構(gòu)。一些公司甚至決定在某些節(jié)點上停留更長時間。但仍有一些應(yīng)用——如機器學(xué)習(xí)、大數(shù)據(jù)分析和數(shù)據(jù)中心服務(wù)器——需要最新的“通用”CMOS解決方案。利用這種通用的CMOS解決方案，在同一個技術(shù)節(jié)點中的同一個晶體管結(jié)構(gòu)可以用于執(zhí)行芯片上的所有功能。

此處，垂直堆疊的nanosheet晶體管可以救急。它們可以被認為是FinFET器件的自然進化。想象一下，將一個FinFET側(cè)放，然后將其分成獨立的水平薄片，這些薄片構(gòu)成了溝道?，F(xiàn)在，一個柵極完全環(huán)繞在溝道上。與多柵極FinFET相比，nanosheet的這種柵極全包的特性提供了更出色的通道控制能力。同時，溝道橫截面在3D體積中的更優(yōu)化分布，優(yōu)化了單位面積的有效驅(qū)動。

nanosheet縮放的障礙是需要在CMOS對的n道和p道器件之間進行分離。但Imec去年提出了forksheet。這是由一個共同的支柱組成的，n和p摻雜的薄片相互疊加。與此同時，你有一個完整的CMOS反相器內(nèi)置在單晶體管結(jié)構(gòu)，節(jié)省了大約30%的面積。

從邏輯單元中獲取能量會占用有價值的區(qū)域。Imec在2018年超大規(guī)模集成電路（VLSI）研討會上的提議是將電力軌道埋在硅表面。下一步是CFET（納米薄片場效應(yīng)晶體管）： nFET和pFET共用一個柵電極作為信號輸入端，共用一個漏極作為信號輸出端，源電極分別接地和供電電源。器件尺寸可靈活調(diào)節(jié)以滿足不同芯片性能要求。

在即將到來的IEDM上，英特爾的工程師將描述他們對基于nanosheet的CFET型結(jié)構(gòu)的看法。組合晶體管使用外延來構(gòu)建一個垂直堆疊的源極漏極結(jié)構(gòu)，其閾值電壓為這兩種晶體管單獨調(diào)優(yōu)。雖然這項工作中的柵極在30nm左右相對較長，英特爾團隊希望通過自對齊堆疊實現(xiàn)顯著的晶圓尺寸縮小。

根據(jù)Synopsys的計算，CFET在SRAM方面做了很多工作，盡管它需要一些DTCO。CFET的一個缺點是，疊加引入了另一種形式的可變性，但同樣，設(shè)計調(diào)整將有助于解決這一問題。例如，最緊湊的結(jié)構(gòu)并不完全依賴于全環(huán)繞柵極結(jié)構(gòu)晶體管。相反，它包含了一個帶有三面柵極的偽p溝道晶體管，以獲得足夠好的寫入行為。

主要問題

即使晶體管密度增加，芯片設(shè)計的主要問題是金屬互連中的寄生電阻和電容。這可能會迫使未來的生產(chǎn)工藝從以銅為主要原料轉(zhuǎn)向更奇特的金屬，如釕。

英特爾提出了一種基于設(shè)計的替代方案，即盡管將電阻和電容切割在一起似乎是可取的，但并不是所有的電路路徑都將以同樣的方式受益。

單個路徑可以從單獨調(diào)諧的電阻和電容中獲益。這就是指導(dǎo)英特爾在所謂交錯互連上的發(fā)現(xiàn)。

這種交錯的方法并不是讓每條平行線都一樣，而是將高、短的線交替排列，短的線排列在更高的絕緣子材料堆上。這降低了線路間的凈有效電容。實際上，高線會受到更多的干擾，而類似的影響會被間隔得更遠。

Synopsys表示，這些受DTCO啟發(fā)的設(shè)計更加復(fù)雜，它將推高晶圓成本：平均每個節(jié)點的成本會達到13%。但是有效的密度在1納米節(jié)點上仍然是可行的，并且仍然有可能使每個晶體管在每個節(jié)點上降低32%的成本。

這已經(jīng)不是昨天的摩爾定律了，但這一趨勢應(yīng)該會持續(xù)大約十年。有多少公司能夠擁有如此龐大的業(yè)務(wù)量來證明它是合理的，這仍然是另一個問題。
編輯：hfy