晶體管是一種以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的電子元件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓和信號(hào)調(diào)制等多種功能?。其核心是通過控制輸入電流或電壓來調(diào)節(jié)輸出電流，實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大或電路開關(guān)功能?。

基本定義

晶體管泛指所有半導(dǎo)體單體元件，包括二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管（FET）等?。它通過半導(dǎo)體材料的電學(xué)特性（如摻雜形成的PN結(jié)）控制電流流動(dòng)，是現(xiàn)代電子電路的基礎(chǔ)構(gòu)建塊?。

核心特性

?功能多樣性?：可放大微弱信號(hào)（如音頻放大器）、快速切換（數(shù)字電路邏輯門）、穩(wěn)壓或調(diào)制信號(hào)?。
?高速響應(yīng)?：實(shí)驗(yàn)室中切換速度可達(dá)100GHz以上，遠(yuǎn)超機(jī)械開關(guān)?。
?微型化?：可集成于芯片中，如現(xiàn)代CPU包含數(shù)十億晶體管?。

主要分類

?雙極型晶體管（BJT）?：通過基極電流控制集電極電流，分為NPN和PNP型?。
?場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）?：通過柵極電壓控制源漏極電流，包括MOSFET等?。

晶體管參數(shù)測(cè)量是電子工程中的核心技能，涉及極限參數(shù)、電學(xué)特性、頻率特性等多維度測(cè)試。以下是關(guān)鍵參數(shù)分類及測(cè)量方法：

一、極限參數(shù)測(cè)量

1?.電壓參數(shù)?

?擊穿電壓?：使用耐壓測(cè)試儀，逐步增加反向電壓至電流突增點(diǎn)（如VCEO測(cè)試需基極開路）?。
?最大反向電壓?：通過階梯電壓法監(jiān)測(cè)漏電流變化，確定PN結(jié)耐壓極限?。

2?.電流與功率參數(shù)?

?最大集電極電流（IC）?：串聯(lián)可調(diào)電阻和電流表，逐步增加負(fù)載至晶體管溫升異常?。
?最大功耗（Ptot）?：結(jié)合恒流源和熱像儀，監(jiān)測(cè)結(jié)溫不超過Tjmax（通常150°C~175°C）?。

二、電學(xué)性能參數(shù)測(cè)量

?增益與放大特性?
?電流放大系數(shù)（β/hFE）?：共發(fā)射極電路下，測(cè)量基極電流（Ib）與集電極電流（Ic）比值?。
?轉(zhuǎn)移電導(dǎo)（gm）?：FET中通過柵極電壓變化與漏極電流響應(yīng)計(jì)算?。
?開關(guān)特性?
?飽和電壓（VCE(sat)）?：BJT導(dǎo)通時(shí)，直接測(cè)量集電極-發(fā)射極壓降?。
?閾值電壓（Vth）?：MOSFET柵極電壓掃描法，觀察漏極電流首次顯著上升點(diǎn)。

晶體管參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)SC2020是半導(dǎo)體分立器件電學(xué)參數(shù)測(cè)試的專用設(shè)備，主要用于半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠家進(jìn)行圓片中測(cè)或封裝成測(cè)，各類整機(jī)廠家、科研院所的質(zhì)量檢測(cè)部門IQC進(jìn)行來料檢驗(yàn)，研發(fā)部門進(jìn)行失效分析、選型配對(duì)、可靠性分析測(cè)試。系統(tǒng)為桌面放置的臺(tái)式機(jī)結(jié)構(gòu)，由測(cè)試主機(jī)和程控電腦兩大部分組成。外掛各類夾具和適配器，還能夠通過Prober接口、Handler接口可選（16Bin）連接分選機(jī)和機(jī)械手建立工作站，實(shí)現(xiàn)快速批量化測(cè)試。通過軟件設(shè)置可依照被測(cè)器件的參數(shù)等級(jí)進(jìn)行自動(dòng)分類存放。能夠極好的應(yīng)對(duì)“來料檢驗(yàn) ”“失效分析 ”“選型配對(duì) ”“量產(chǎn)測(cè)試 ”等不同應(yīng)用場(chǎng)景。系統(tǒng)軟件基于Labview平臺(tái)開發(fā)，填充式菜單界面，帶自動(dòng)糾錯(cuò)功能，可進(jìn)行器件參數(shù)的分檔、分類編程，并可實(shí)時(shí)顯示和記錄分檔、分類測(cè)試結(jié)果，測(cè)試結(jié)果和統(tǒng)計(jì)結(jié)果均可以EXCEL格式存貯于計(jì)算機(jī)中，根據(jù)需要可以打印輸出。

中昊芯測(cè)SC2020

審核編輯 黃宇